Universidad de Oriente

Núcleo Monagas

Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas

Departamento de Ingeniería de Sistema

Electrónica

Sección 1

Maturín-Monagas

Transistores

Estudiante:

Bárbara Palacios

C.I: 27.559.664

Maturín, enero del 2022.

 Índice

Introducción ....................................................................................................... 3

¿Qué es un transistor? ....................................................................................... 4

¿Cómo funciona un transistor? .......................................................................... 4

Tipos de Transistores ......................................................................................... 5

-Transistor de unión bipolar ................................................................................ 5

- Transistor de unión bipolar(BJT) ...................................................................... 5

-Transistor de efecto de campo(JFET) .............................................................. 6

- El transistor de efecto de campo, o FET ......................................................... 7

- Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET .............................................. 8

-Fototransistor .................................................................................................. 10

Transistores y electrónica de potencia ............................................................. 11

Análisis de DC y AC ......................................................................................... 11

Análisis de pequeña señal y respuesta en frecuencia. ..................................... 14

Conclusión........................................................................................................ 18

Bibliografía ....................................................................................................... 19

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 Introducción

El transistor es un dispositivo electrónico que fue inventado en el año 1951, está

formado por materiales semiconductores. En ese tiempo, revolución la
electrónica, ya que, tiene la función de regular el flujo de la corriente eléctrica
sobre un circuito, es decir, actúa como un interruptor o amplificador.

Habitualmente se encuentra presenta en la mayoría de los equipos que usamos

diariamente como las alarmas, computadoras, radios, entre otros.

El predecesor de este dispositivo, era las válvulas termoiónicas, estas para

trabajaban con tensiones bastantes altas y tenían un periodo de “calentamiento”
para que empezaran a funcionar, por lo que la aparición de este dispositivo
facilito micho el diseño de circuitos electrónicos.

3
¿Qué es un transistor?

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de

uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

¿Cómo funciona un transistor?

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con

materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta
y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector
Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas
donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
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Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas (configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.

Tipos de Transistores:

 Transistor de unión bipolar:

Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor

capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente
de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el
nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos
en su día.

 Transistor de unión bipolar(BJT):

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-
N-P, dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones,
como el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan
portadores de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos
aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,

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tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de

dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico
de la unión

 Transistor de efecto de campo(JFET):

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de

efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor
de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más
básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenado. Aplicando tensión positiva entre el
drenado y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenado con polarización cero. Con
un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento,
cesa la conducción en el canal.

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  El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés:

Que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de

entrada. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita
de material p o n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar
del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos
del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-
gate) en el collar.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

-Zona óhmica o lineal: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para 𝑉𝐷𝑆 = 0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

-Zona de saturación: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta

como una fuente de corriente gobernada por VGS

-Zona de corte: La intensidad de drenado es nula (𝐼𝐷 = 0).-Transistor de efecto

de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.

Parámetros del FET:

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero 𝑉𝑑𝑠 como

de la puerta 𝑉𝑔𝑠 . Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que
la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:

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 𝐼𝑔 = 0 𝑒 𝐼𝑑 = ƒ(𝑉𝑑𝑠, 𝑉𝑔𝑠)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas

(en el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de 𝑉𝑑𝑠
y 𝑉𝑔𝑠 en esta forma:

𝜕𝐼𝑑 𝜕𝐼𝑑
𝐼𝑑 = . 𝑉𝑑𝑠 + .𝑉
𝜕𝑉𝑑𝑠 𝜕𝑉𝑔𝑠 𝑔𝑠

1
𝐼𝑑 = . 𝑉 + 𝑔𝑚 . 𝑉𝑔𝑠
𝑟𝑑 𝑑𝑠

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la
rd es infinita (muy grande).

El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es

igual a la separación vertical entre las características que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa

Metal-Óxido-Semiconductor:

Es un tipo de transistor que tiene 3 patillas. El MOSFET conduce corriente

eléctrica entre 2 de sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla,
llamada Gate. Es un interruptor que se activa por tensión. En este caso la
compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa
de óxido. La activación de este transistor es por tensión, se activa cuando
ponemos a una tensión mínima en la patilla del transistor llamada Gate.

Las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drenaje (salida).

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Se ven las 3 patillas y como cuando conectamos G hay circulación de corriente
entre D y S.

Ventajas del Transistor MOSFET

La principal ventaja de este tipo de transistor es que utiliza baja potencia para
llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida
es muy pequeña.

Esto hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y

dispositivos electrónicos como los teléfonos inteligentes, relojes digitales,
pequeños juguetes de robot y calculadoras.

Estructura de un MOSFET

Estos se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida)

que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.

Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace
de dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero.

Por encima de este óxido se coloca una placa de metal conductor.

El óxido con el metal forman la tercera patilla o borne de conexión llamada puerta
o gate (en inglés).

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Tenemos 4 partes pero solo 3 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la
puerta (gate), formando una única patilla del transistor.

S y D = semiconductor/es.

A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S).

Al otro lado la patilla llamada Drenaje (D), drenado o salida.

Entre estos dos terminales pasa la corriente cuando activamos G por medio de
tensión.

La corriente cuando se activa el transistor entra por S y sale por D, siempre que
G tenga una tensión mínima, llamada tensión Umbral o threshold = Vth.

G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido.

P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D.

El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal.

Es la zona que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando

aplicamos tensión entre S y D.

 Fototransistor:

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias

cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

-Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

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-Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (Modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los

dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión
y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de
potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado.

Análisis de DC y AC

El circuito que vamos a analizar es el siguiente:

De este amplificador se sabe que:

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Ganancia del transistor (β): 100

Voltaje de encendido (VBE): 0.7

Voltaje Early (VA): ∞

En este ejemplo vamos a despreciar los efectos capacitivos del transistor, razón
por la cual no vamos a considerar Cμ, Cπ y CM. Al considerar el valor de VA como
infinito, para nosotros ro será un circuito abierto. Dicho esto, empecemos con el
análisis en corriente directa.

El análisis en corriente directa nos permitirá obtener el valor de I CQ, el cual es

necesario para constituir el modelo Pi-híbrido que utilizaremos para el análisis
de pequeña señal. Para el análisis en DC se considerará que el circuito se
encuentra en condiciones estables, razón por la cual los capacitores serán
circuitos abiertos. La corriente ICQ es la corriente de entrada del colector del
transistor.

Como sabemos la ganancia del transistor y conocemos el voltaje de encendido,

podemos calcular la corriente de base y multiplicarla por la ganancia para
obtener la corriente de colector.

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La corriente de base se calcula puede ser definida como la corriente que pasa a
través de la resistencia RB, la cual podemos calcular con la siguiente expresión:

𝑉 + − 𝑉𝐵𝐸 (12 − 0.7)

𝐼𝐵 = = = 11.3𝜇𝐴
𝑅𝐵 1000000Ω

Esta corriente, que es muy pequeña, al ser multiplicada por la ganancia del
transistor (100) nos permite obtener ICQ.

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = (100)(11.3𝜇𝐴) = 1.13 𝑚𝐴

Con esta información estamos listos para pasar al modelo Pi-híbrido.

Necesitamos calcular el valor de la resistencia rπ y de la trans-conductancia gm.

𝛽. 𝑉𝑇 (100)(0.026 𝑉)
𝑟𝜋 = = = 2300.88Ω ≈ 2.3𝑘Ω
𝐼𝐶𝑄 1.13 𝑚𝐴

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 𝐼𝐶𝑄 1.13 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = = 0.043462 𝑆 = 43.46 𝑚𝑆
𝑉𝑇 0.026𝑚𝐴

Con estos valores podemos construir el modelo Pi-híbrido completo, incluyendo

los capacitores y las resistencias externas al transistor.

Las resistencias que estaban conectadas a una fuente de poder en DC quedan

conectadas a tierra, tal como sucede con RB y RC. Sin perder de vista cual es la
base, el emisor y el colector, los elementos quedan conectados tal como muestra
la imagen. Con este circuito es que haremos el análisis en corriente alterna.

Análisis de pequeña señal y respuesta en frecuencia.

En el análisis de pequeña señal calcularemos la ganancia de voltaje del

amplificador. Esta ganancia (Av) se calcula al dividir Vo/Vi. Para ello procedemos
a hacer un análisis convencional de circuitos eléctricos, utilizando la
transformada de Laplace para transformar los capacitores en impedancias en el
dominio de la frecuencia.

En este circuito, hay dos nodos en los que no conocemos el voltaje: el nodo en
el que se ubica el voltaje Vπ y el nodo en el que se ubica el voltaje Vo.
Utilizaremos un sistema de ecuaciones de 2×2 para encontrar estos dos valores.
Las ecuaciones son las siguientes:
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Análisis del nodo 𝑣𝜋

∑ 𝐼𝑖 = ∑ 𝐼0

𝑣𝑖 − 𝑣𝜋 𝑣𝜋 𝑣𝜋
= +
100000 100000 2300
1000 + 𝑠

Análisis del nodo 𝑣0

∑ 𝐼𝑖 = ∑ 𝐼0

𝑣0 𝑣0 𝑣0
−𝑔𝑚 𝑣𝜋 = + +
5100 500000 100000000000
𝑠

Despejando este sistema de ecuaciones y remplazando el valor de gm en las

ecuaciones obtenemos lo siguiente:

−3027030000 . 𝑣𝑖 . 𝑠
𝑣0 =
(𝑠 + 30.35)(𝑠 + 19807800)

23000 . 𝑣𝑖 . 𝑠
𝑣𝜋 =
33023 . 𝑠 + 1002300

𝑣0 −3027030000 . 𝑠
𝐻(𝑠) = =
𝑣𝑖 (𝑠 + 30.35 )(𝑠 + 1987800)

Para nosotros, H(s) la función de transferencia de este amplificador, es decir, la

relación entre la entrada y la salida del circuito. Partiendo de esta función de
transferencia obtendremos muchos datos de utilidad que nos ayudarán a
comprender el comportamiento del amplificador.

El hecho de que tengamos un signo negativo por delante nos indica que la señal
de salida estará desfasada con respecto a la entrada. Esto es una característica
propia de los amplificadores de emisor común como el que estamos analizando.
Con la función de transferencia podemos hacer el análisis en frecuencia del
circuito.

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La función de transferencia H(s) posee un cero en el origen (s) y dos polos
simples (s+30.35) (s+19807800), lo cual nos da una pista de cómo será el
diagrama de Bode. Los polos simples causan quiebres en el diagrama de Bode,
lo que nos da una idea de la forma que tendrá el diagrama.

El diagrama de Bode nos muestra las frecuencias de corte del amplificador y el

ancho de banda. Para nosotros, las frecuencias de corte superior e inferior se
ubican en 30.35 rad/s y en 19.8 Mrad/s respectivamente, lo cual se puede
convertir en 4.83 Hz y 3.15 MHz. Recordemos que la frecuencia angular se
puede relacionar a la frecuencia en Hertz a través de la ecuación 2 · 𝜋 · 𝑓 = 𝜔.

El ancho de banda es la diferencia entre las frecuencias de corte, es decir,

aproximadamente 3.15 MHz (3.15 MHz – 4.83 Hz). La ganancia que se registra
en el intervalo de frecuencias comprendido entre la frecuencia inferior y la
superior se conoce como la ganancia de banda media. Esta ganancia tiene un
valor de 43.68 dB (ver la parte plana del gráfico), lo cual se podemos convertir
en ganancia de voltaje.

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 20. log10 𝐴𝑣 = 43.68

𝐴𝑣 = 152.82 ≈ 153

En resumen, el amplificador que hemos analizado es un amplificador con una

ganancia de media banda de 43.68 dB, con un ancho de banda de 3.15 MHz y
que permite amplificar señales variables en el tiempo comprendidas entre los
4.83 Hz y los 3.15 MHz. La ganancia de 43.68 dB nos indica que la amplitud de
la señal de entrada de del circuito será amplificada 153 veces (es decir, Vi·Av =
Vo).

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 Conclusión

Se puede concluir, resumiendo que los transistores son dispositivos electrónicos

semiconductores, que cumplen con el objetivo de ser amplificadores,
interruptores, o rectificador de un circuito. Está compuesto por 3 partes, el
emisor, colector y base. Estas poseen 3 zonas de trabajo, en corte, activa y en
saturación.

Son mayormente conocido dos tipos de transistores los BTJ y FET, los primeros
son aquellos que permiten controlar el voltaje a través de sus terminales y los
segundos hacen uso de un campo eléctrico para permitir el flujo de la corriente

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 Bibliografía

Electrónica fácil, Transistor FET. Disponible

en:https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html
Consultado el 13 enero del 2022.

Apuntes de electrónica, Análisis de Diseños de circuitos transistores. Disponible

en:https://www.apuntesdeelectronica.com/analogica/analisis-diseno-circuitos-
transistores.htm Consultado el 13 enero del 2022.

Área tecnología, Mosfet. Disponible en:

https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html Consultado el 13 enero
del 2022.

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Consultado el 13 enero del 2022.

Panamahitek, Análisis de pequeña señal y frecuencia del transistor. Disponible

en:http://panamahitek.com/analisis-de-pequena-senal-y-respuesta-en-
frecuencia-del-transistor-bjt/ Consultado el 13 enero del 2022.

Electrontools, Transistor bipolar y análisis de continua. Disponible

en:https://www.electrontools.com/Home/WP/transistor-bipolar-analisis-de-
continua/ Consultado el 13 enero del 2022.

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