UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA I

PERIODO MARZO 2019 – JULIO 2019

NRC: 5523

Tema: AMPLIFICADOR EN CONFIGURACION DE BASE COMÚN

INTEGRANTES:
 Abarca Julio
 Del Hierro Joel
 Leiton Alexander
 Viera Katherine

21 de mayo del 2019

PREPARATORIO 2.3

TUTOR: Ing. Mónica Patricia Margarita Medina Andrade

SANGOLQUI-2019
TEMA: AMPLIFICADOR EN CONFIGURACION DE BASE COMÚN

1. Objetivos:

1.1 Verificar las características de funcionamiento del transistor como amplificador en la

configuración Base Común.
1.2 Interpretar los resultados calculados, simulados y medidos.

2. Consultar:

2.1 Características de entrada y salida del amplificador en la configuración Base Común.

ENTRADA

Se relaciona la corriente de entrada con 𝐼𝐸 con el voltaje de entrada 𝑉𝐵𝐸 para varios niveles de voltaje
de salida 𝑉𝐶𝐵 .

Una vez que el transistor esta en funcionamiento se supondrá que el 𝑉𝐵𝐸 es 0.7 V.

Figura 1. Curva Características de Entrada en Base Común para un BJT npn

SALIDA
Se relaciona la corriente de salida 𝐼𝐶 con el voltaje de salida 𝑉𝐶𝐵 para varios niveles de corriente de
entrada 𝐼𝐸

Figura 2. Curvas Características de Salida en Base Común para un BJT npn

Características generales

 Baja impedancia de entrada 𝑍𝐼𝑁

 Alta impedancia de salida 𝑍𝑜
 Ganancia de corriente cercana a 1 (0.9-0.998)
 Alta ganancia de voltaje
(Boylestad, 2007)

2.2 A qué se debe la acción amplificadora del transistor en la configuración Base Común.

Se denomina configuración base-común porque el terminal de la base es común a los terminales de

entrada y salida, y al igual que en la configuración emisor-común en la región activa la unión de colector
está polarizada inversamente, en tanto que la unión de emisor lo está directamente.

En la región de corte la unión de colector y de emisor se encuentra polarizada inversamente

generándose una corriente de colector despreciable, y en la región de saturación las uniones de colector
y emisor están polarizadas directamente, esto produce un cambio exponencial en la corriente de
colector con cambios pequeños de voltaje colector- base.

(Sánchez, 1996)
2.3 Ganancia de corriente del transistor en la configuración base común.

La ganancia de corriente en un transistor base común es inferior a la unidad, debido a que la corriente
de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector por lo tanto, siempre es menor que 1, en
valores entre 0.9-0.998

(Hernandez, 2012)

3. Para el amplificador en la configuración:

3.1 Base Común, realizar las siguientes actividades:

3.1.1 Imponerse el circuito amplificador para el análisis.

 Donde las resistencias y capacitores utilizados tienen un valor comercial:

Figura 3. Valores comerciales de resistencias y capacitores electrolíticos

El β del transistor 2N3904 (datasheet adjunta) tiene un valor entre 100 – 300. El valor
seleccionado es de 193, ya que es el valor obtenido al medir dicho factor utilizando el multímetro.
Siendo el transistor el que utiliza un 𝛽´

Figura 4. Selección de valor de β

3.1.2 Calcule el punto de operación del transistor.

 𝑅𝐵2
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐 ∗
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑉𝑡ℎ = 12 𝑉

1
𝑅𝑡ℎ =
1 1
+
𝑅1 𝑅2
1
𝑅𝑡ℎ =
1 1
18𝐾 + 18𝑘
𝑅𝑡ℎ = 9[𝑘𝛺]

𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝑏 =
𝑅𝑡ℎ + (1 + 𝛽)𝑅𝑐
𝑰𝒃 = 𝟕, 𝟎𝟔𝟑 𝒖𝑨
𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏
𝑰𝒄 = 𝟏, 𝟑𝟔 𝒎𝑨
𝐼𝑒 = 𝐼𝑏 + 𝐼𝑐
𝐼𝑒 = 1,36 𝑚𝐴 + 7,063 𝑢𝐴
𝑰𝒆 = 𝟏, 𝟑𝟕 𝒎𝑨
𝑉𝑒 = 𝐼𝑒𝑅𝑒
𝑉𝑒 = 1,37𝑚𝐴 ∗ 8,2 𝑘Ω
𝑽𝒆 = 𝟏𝟏, 𝟐𝑽
𝑉𝑏𝑒 = 𝑉𝑏 − 𝑉𝑒
𝑉𝑏 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑒
𝑽𝒃 = 𝟏𝟏, 𝟗𝑽
𝑉𝑐 = 24 − 𝐼𝑐𝑅𝑐
𝑉𝑐 = 24 − 6,8𝐾 ∗ 1,36𝑚𝐴
𝑽𝒄 = 𝟏𝟒, 𝟕𝟓 𝑽
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐 − 𝑉𝑒
𝑉𝑐𝑒 = 14,75𝑉 − 11,2 𝑉
𝑽𝒄𝒆 = 𝟑, 𝟓𝟓 𝑽
 3.1.3 Compruebe los voltajes y corrientes de polarización.

CORRIENTES:
Corriente de base
𝑰𝒃 = 𝟕, 𝟎𝟔𝟑 𝒖𝑨

Figura 5. Corriente de base - Q

Corriente de colector

𝑰𝒄 = 𝟏, 𝟑𝟔 𝒎𝑨

Figura 6. Corriente de colector - Q

Corriente de emisor
𝑰𝒆 = 𝟏, 𝟑𝟕 𝒎𝑨

Figura 7. Corriente de emisor - Q

VOLTAJES:

Voltaje de base
𝑽𝒃 = 𝟏𝟏, 𝟗𝑽

Figura 8. Voltaje de base - Q

 Voltaje de colector
𝑽𝒄 = 𝟏𝟒, 𝟕𝟓 𝑽

Figura 9. Voltaje de colector - Q

Voltaje de emisor
𝑽𝒆 = 𝟏𝟏, 𝟐𝑽

Figura 10. Voltaje de emisor - Q

3.1.4 Calcule Zin, Zo, Av, AI.

Figura 11. Híbrido del transistor en configuración base común

26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
1,37𝑚𝐴
𝒓𝒆 = 𝟏𝟖, 𝟗𝟕𝜴

𝑉𝑜
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖𝑛
ℎ𝑓𝑒 (𝑅𝐶 || 𝑅𝐿)
𝐴𝑉 = −
ℎ𝑓𝑒 + 1 𝑅𝑇𝐻 + 𝑟𝑒
ℎ𝑓𝑒 + 1
193 (6,8𝑘 ||1𝑘)
𝐴𝑉 = − ∙
9𝑘
193 + 1
193 + 1 + 18,97
193 871,8
𝐴𝑉 = ∙
194 46,39 + 18,97
𝑨𝑽 = −𝟏𝟑, 𝟐𝟔

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐸|| 𝑍𝑖𝑛𝑇

𝑉𝑖𝑛𝑇
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝐼𝑖𝑛𝑇
𝑅𝐻𝑇
𝑍𝑖𝑛𝑇 = + 𝑟𝑒
ℎ𝑓𝑒 + 1
9𝑘
𝑍𝑖𝑛𝑇 = + 18,97
193 + 1
𝑍𝑖𝑛𝑇 = 65,36 𝛺
 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐸|| 𝑍𝑖𝑛𝑇
𝒁𝒊𝒏 = 𝟔𝟒, 𝟖𝟒𝜴
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
𝒁𝒐 = 𝟔, 𝟖 𝒌
𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖 𝑖𝑛
𝑉𝑜
𝐴𝑖 = 𝑅𝐿
𝑉𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = ∆𝑣 ∗
𝑅𝐿
64,84
𝐴𝑖 = −13,26 ∗
1𝑘
𝑨𝒊 = −𝟎. 𝟖𝟔

3.1.5 Grafique el diagrama de voltajes.

𝑉𝑐𝑐′ = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )

6.8 [𝑘Ω] ∗ 1 [𝑘Ω]

𝑉𝑐𝑐′ = 1.36 [𝑚𝐴] ( )
6.8 [𝑘Ω] + 1 [𝑘Ω]

𝑽′𝒄𝒄 = 𝟏. 𝟏𝟖𝟓 [𝑽]

𝑉𝑐𝑐 = 24 [𝑉]
𝐼𝐶 𝑅𝐶
1.36 [𝑚𝐴] ∗6.8[𝑘Ω]
′
𝑉𝐶𝐶 = 15.935[𝑉] 9.248 [𝑉]

𝑉𝑜𝑝+ 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )

1.36 [𝑚𝐴](6.8 𝑘||1 𝑘)
1.185 [𝑉]
𝑉𝐶 = 14.75 [𝑉]
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝑜𝑝− 𝑉𝐶𝐸 = (14.75 − 11.2)[𝑉]
𝑉𝑆𝐴𝑇 𝑉𝐶𝐸 = 3.55 [𝑉]
𝑉𝑖𝑛𝑝+
𝑉𝐸 = 11.2 [𝑉] 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝑖𝑛𝑝− 𝑉𝐸 = 8.2 [𝑘Ω] ∗ 1.37 [𝑚𝐴]
𝑉𝐸 = 11.2 𝑉

Figura 12. Diagrama de voltajes

3.1.6 Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede aplicar sin producir
distorsión en la señal de salida.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑆𝐴𝑇 + 𝑉´𝑖𝑛𝑝+ ∗ 𝐴𝑣

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑆𝐴𝑇
𝑉´𝑖𝑛𝑝+ =
𝐴𝑣
3.55 − 2 [𝑉]
𝑉´𝑖𝑛𝑝+ =
13.26
𝑉´𝑖𝑛𝑝+ = 0.116 [𝑉]

𝑉𝑖𝑛𝑝 = 100 [𝑚𝑉]

Condiciones para que no haya recorte

a) 𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝−
11.2 [𝑉] ≥ 11.2[𝑉] − 100[𝑚𝑉]
 NO RECORTE

b) 𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑆𝐴𝑇 + 𝑉𝑜𝑝−

3.55 [𝑉] ≥ 2[𝑉] + 0.767[𝑉]
3.55 [𝑉] ≥ 2.767[𝑉]
 NO RECORTE

Voltaje de salida

Vop = 0.767 [V]

Figura 13. Voltaje de salida del amplificador

 Voltaje de salida

Figura 14. Voltaje de entrada del amplificador

3.1.7 Utilizando un voltaje de entrada menor al máximo calculado, grafique el voltaje del
amplificador en cada terminal. Vinp = 100[mV]

Voltaje en colector

+
 Figura 15. Voltaje en el colector (DC/AC)

Voltaje en base

Figura 16. Voltaje en la base (DC/AC)

Voltaje en emisor
 Figura 17. Voltaje en el emisor (DC/AC)

3.1.8 Compruebe la amplificación de voltaje.

3.1.9 Compruebe la amplificación de corriente.

3.1.10 Compruebe la impedancia de entrada.

3.1.11 Compruebe la impedancia de salida.

3.1.12 Realice el cuadro con los resultados obtenidos.

Calculado Simulado

𝑰𝑩 7.063 [µ𝐴] 13.149 [µ𝐴]

𝑰𝑬 1.37 [𝑚𝐴] 1.367 [𝑚𝐴]
𝑰𝑪 1.36[𝑚𝐴] 1.354 [𝑚𝐴]
𝑽𝑩 11.9 [𝑉] 11.882 [𝑉]
𝑽𝑬 11.2 [𝑉] 11.209 [𝑉]
𝑽𝑪 14.75 [𝑉] 14.794[𝑉]
𝑽𝑪𝑬 3.55 [𝑉] 8.599 [𝑉]
𝑨𝑽 −13.26
𝑨𝒊 −0.86
𝒁𝒊𝒏 64.84 [Ω]
𝒁𝟎 6.8 [𝑘Ω]

Bibliografía:

Hernandez, O. (21/02/2012). Slideshare. Recuperado el 20 de 05 de 2019, de:

https://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/33-configuracin-en-base-comn
Sánchez, P. (/08/1996). Análisis diseño y construccion de amplificadores. Recuperado el 20
de 05 de 2019, de https://bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/11049/1/T239.pdf
Boylestad, R. (2007). Electrónica, Teoría de Circuitos. ´Operación del transistor´(pp
189).Mc.Graw Hill.
 HOJA DE DATOS

ELECTRÓNICA I

Tema: AMPLIFICADOR EN CONFIGURACION DE BASE COMÚN

NRC: 5523

INTEGRANTES:
 Abarca Julio
 Del Hierro Joel
 Leiton Alexander
 Viera Katherine

Calculado Simulado Medido

𝑰𝑩 7.063 [µ𝐴] 13.149 [µ𝐴]

𝑰𝑬 1.37 [𝑚𝐴] 1.367 [𝑚𝐴]
𝑰𝑪 1.36[𝑚𝐴] 1.354 [𝑚𝐴]
𝑽𝑩 11.9 [𝑉] 11.882 [𝑉]
𝑽𝑬 11.2 [𝑉] 11.209 [𝑉]
𝑽𝑪 14.75 [𝑉] 14.794[𝑉]
𝑽𝑪𝑬 3.55 [𝑉] 8.599 [𝑉]
𝑨𝑽 −13.26
𝑨𝒊 −0.86
𝒁𝒊𝒏 64.84 [Ω]
𝒁𝟎 6.8 [𝑘Ω]