Tema 3-SCR-Rectificadores - Controlados PDF

GTE
Electrónica de Potencia
Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados

Sevilla, Febrero 2023
ÍNDICE
GTE
• INTRODUCCIÓN Rectificador Controlado de
Silicio (SCR)
• RECTIFICADOR MONOFÁSICO
• Rectificador de Media Onda
• Rectificador Puente Monofásico
• RECTIFICADORES TRIFÁSICOS SIMPLES
• RECTIFICADOR PUENTE TRIFÁSICOS
• RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 2

INTRODUCCIÓN
GTE
Electrónica de potencia para conversión de la energía eléctrica
•Baja Potencia:
MOSFETS
• Media-Alta Potencia:
Diodos
DC/AC IGBTs
(Inversores) • Muy Alta Potencia:
Corriente Continua: IGCTs-GTOs
DC/DC p. ej. Baterías, paneles
(Choppers) fotovoltaicos, SMES…
Baja Potencia: MOSFETS

Media-Alta Potencia: Corriente Alterna: AC/AC
Diodos
p. ej. Red Eléctrica, (Matriciales)

IGBTs
Maquinas Eléctricas,
Muy Alta Potencia: AC/DC Aerogeneradores…
IGCTs-GTOs (Rectificadores)
Diodos (no controlados)

o
SCRs (controlados)
Fuentes Convertidores Dispositivos

INTRODUCCIÓN
GTE
Características Generales del BJT
Saturación Cuasi-Saturación Esquema del BJT de tipo NPN

1/Rd
Ruptura Secundaria C
IC(A) IB iC
IB5 Ruptura Primaria
IB4
Activa B iB
IB3
IB2
Corte iE
IB1
IB=0 E
0
BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
Uso muy limitado → ¿Cuales son sus limitaciones?

INTRODUCCIÓN
GTE
Constitución del BJT
E
Transistor Tipo Meseta (en desuso):
n+ La anchura de la base y su dopado serán
B B lo menores posibles para conseguir una
p
ganancia lo mayor posible (baja
n+
recombinación de los electrones que
atraviesan la base).
C
Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un dopado pequeño.
ØEl problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona de
deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por tanto necesario
encontrar unos valores intermedios de compromiso.
BV ↑↑ β
ØEste compromiso implica que los BJT de
potencia tienen una ganancia típica de Ancho Base ++ --
corriente entre 5 y 10. (muy baja). Dopado Base -- --

INTRODUCCIÓN
GTE
Estructura básica del SCR (Tiristor)
CÁTODO (K) PUERTA (G)
Sección Longitudinal
de un SCR
IA A
n+ n+ n+ 1019,10µ
Capa 1017 imp/cm3,

Unión Catódica p
Capa de Control Catódica 30÷100µ
BJT
IC C
Unión de Control 10 ÷5×10 ,
13 14
n
- Capa de Bloqueo 50÷1000µ
IG IB
G B
Unión Anódica
p+ 1017÷ 1019, IE
Capa Anódica
30÷50µ
K E
ÁNODO (A)

INTRODUCCIÓN
GTE
Estructura básica del SCR (Tiristor)
Puerta Cátodo
Sección de un SCR
para potencias muy
elevadas
n+ n+ n+ n+ n+
Ánodo p
n-
Puerta VAK
n+
Cátodo p+
Ánodo

INTRODUCCIÓN
GTE
El tiristor: Curvas características ideales
Ánodo Ánodo
Ánodo
IA
Conducción VAK=0 VAK>0
VAK<0
Cátodo Cátodo
Bloqueo
Cátodo Directo
VAK
Bloqueo
Inverso

INTRODUCCIÓN
GTE
El tiristor: Curvas características (no ideal)
IA
Conducción
IG2 > IG1 IG=0
Bloqueo
IH Directo
VRWM IB0
VH VB02 < VB01 < VB0

VAK
Bloqueo
Inverso Escalas
diferentes
Ruptura

INTRODUCCIÓN
GTE
El tiristor: Polarización inversa
A Unión
+ Inversamente
p Polarizada
Ánodo
VCC
RC n
- RC
Ánodo
VCC
VAK
Puerta + VAK<0
VCC
Cátodo
G
p
RG Cátodo
SCR polarizado Inversamente n+
VGG
K

INTRODUCCIÓN
GTE
El tiristor: Polarización directa
A Unión
+ Inversamente
p
Polarizada
Ánodo Ánodo
A RC n
- RC
VCC
+
VAK
VCC
G VAK=0 VAK>0
VCC
K
G
p h
+
h
+
RG Cátodo Cátodo
SCR polarizado Directamente +
n
e- e- e-
VGG
K

INTRODUCCIÓN
GTE
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo de Cebado
A
A A
p1 p1 IA = IE1 IB1
J1
J1
n1 n1 T1
n1
J2 J2 IC2
J2 IC1
G p2
G p2 p2
J3 G T2
n2 J3
n2 IG IB2
IK = -IE2
K
K
K
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente

INTRODUCCIÓN
GTE
FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo de Cebado
Para el transistor pnp: I C1 = -a1 × I E1 - I CO1 (a) IA = IE1 A

IB1
I C 2 = -a2 × I E 2 + I CO 2 T1
Y para el transistor npn: (b) IC2
IC1
Como: I A = I E1 , I K = - I E 2 = I A + I G (c,d)
G T2
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene: IG IB2
I C1 = -a1 × I A - I CO1 , I C 2 = a 2 × ( I A + I G ) + I CO2 (e,f) IK = -IE2
Como la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene: I A + I C1 = I C 2 (g) K
Sustituyendo IC1 e IC2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas expresiones (e)
y (f), se obtiene:
I A - a1 I A - I CO1 = a2 ( I A + I G ) + I CO 2 (h)
I Ga 2 + I CO1 + I CO 2
Finalmente, se despeja IA en (h) y se obtiene: IA =
1 - a1 - a 2
INTRODUCCIÓN
GTE
Ejemplos de diodos y tiristores

INTRODUCCIÓN
GTE
SCR ABB 5STP 0365D0002:

6500V, 1500A (pulsos de 50µs)

INTRODUCCIÓN
GTE
Oblea de
Aleación
Silicio
de Cobre
Pasivación
(Silicona)
Cátodo
Puerta
Aislante
Ánodo Contacto de
Molibdeno
(Porcelana)
Sección de un SCR de gran potencia (ABB)
INTRODUCCIÓN
GTE
5SGA30J2501 (ABB):2500V-3000A
Ejemplo de SCRs de gran potencia (ABB)

INTRODUCCIÓN
GTE
Oblea de un SCR mediana potencia cortadas

antes de encapsular
Obleas de un LASCR, de un
SCR de gran potencia
INTRODUCCIÓN
GTE
Montaje para construir convertidores

de gran potencia

INTRODUCCIÓN
GTE
Montaje para construir convertidores de gran potencia

ÍNDICE
GTE
Silicio (SCR)

RECTIFICADOR MONOFÁSICO
GTE
Rectificador de Media Onda: Carga resistiva
400
vs
200
v , v [V]
vo
o
-200
s
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)
40
is
20
i s [A]
-20
• di/dt muy alta
• Armónicos de alta frecuencia -40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE

GTE
400
vs
200
v , v [V]
vo
o
-200
s
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)
120 40
Z 100 vo,AV
is
80 20
<latexit sha1_base64="Zxd/JpSuiI3+NWpb97qJPopwHh8=">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</latexit>
⇡
1
vo,AV = Vp sin(!t)d!t 60
i s [A]
vo,AV [V]
2⇡ ↵ 0
40
Vp 20-20
= (1+cos(↵)) 0
2⇡ -20-40
0 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
Rectificador de Media Onda: Carga R+L
400
vs
200
vs , vo [V]
vo
0
-200
®
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Time (s)
40
is
20
• Efecto debido a la energía
is [A]
0
almacenada en la bobina
• Tensiones negativas en la -20
carga ®
-40
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Time (s)

GTE
Rectificador de Media Onda: Carga R+L
400
vo
200 A
v R, v o [V]
vR
0 B
-200
T
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
• En régimen permanente, la Time (ms)
variación de la energía en la 400
bobina es nula: vL
200
di A
VS = VL + VR ; VL = L × ;
v L [V]
dt 0
B
1 -200
di = × VL × dt
L -400
T
i ( t1 ) 1 1t 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
Di = ò di = × ò VL × dt = 0 Þ Time (ms)
i ( t0 ) L t0
0 = Area ( A) - Area ( B ) • ¡Áreas iguales!
GTE
Rectificador de Media Onda: Otras configuraciones
• Impiden tensiones
negativas en la carga

ÍNDICE
GTE
Silicio (SCR)

Rectificador Puente Monofásico
GTE
Carga altamente inductiva
Caso a = 0

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)
40
is
i s, i o [A] 20 io
Caso a = 0 0
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)
Caso a = 0 40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)
40
is
i s, i o [A] 20 io
Caso a = 0 0
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
Caso a ≠ 0

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
0 < wt < a Time (s)
40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
a < wt < p Time (s)
Caso a ≠ 0

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
p < wt < p+a Time (s)
40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
p+a < wt < 2p Time (s)
Caso a ≠ 0

GTE
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Caso a ≠ 0 Time (s)
40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
Carga altamente inductiva: Valor medio de la tensión de salida
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
40
is
20
<latexit sha1_base64="+Luiz5qSMQpc9fMqJuZ4BdZRA0o=">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</latexit>
Z ⇡+↵
i s, i o [A] io
1 0
vo,AV = Vp sin(!t)d!t
⇡ ↵ -20
2Vp -40
= cos(↵) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
⇡ Time (s)
α ∈ [0, π]

GTE
Carga altamente inductiva: Valor medio de la tensión de salida
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
200 40
vo,AV
is
Z 100 20
i s,o,AVi o [A] io
⇡+↵
<latexit sha1_base64="+Luiz5qSMQpc9fMqJuZ4BdZRA0o=">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</latexit>
1
[V]
0 0
vo,AV = Vp sin(!t)d!t
⇡ ↵
v
-100-20
2Vp -200-40
= cos(↵) 00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
⇡ Time (s)
α ∈ [0, π]

GTE
Carga altamente inductiva: Conmutación no instantánea
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

GTE
Carga altamente inductiva: Conmutación no instantánea
400
vs
200
vs, vo [V]
vo
-200
-400
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
40
is
i s, i o [A] 20 io
-20
-40
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (s)

ÍNDICE
GTE
Silicio (SCR)

RECTIFICADORES TRIFÁSICOS SIMPLES
GTE
Rectificador Polianódico: Estructura general para m fases
2p/m
u1
u2
+
um
Rectificador Polianódico Definición de a y formas de onda

Se define a de forma que para a = 0 las formas de onda sean como en los
convertidores no controlados

GTE
Rectificador Polianódico: Tensión media de salida para 3 fases y a = 0
uO(t)
Valor medio de tensión uR(t) uS(t) uT(t)
5p
3
UO AVG
=
2p òp
6
6
U M sen(wt )d (wt ) =
3 æp ö 3 3
= U M senç ÷ = U M = 0.827U M
p è 3 ø 2p
30º 90º 150º 210º 270º 330º

0º 60º 120º 180º 240º 300º 360º
Rectificador controlados con a=0 y m fases

Valor medio de tensión m æp ö
UO = U M senç ÷
AVG
p èmø

GTE
Rectificador Polianódico: Tensión media de salida para 3 fases y cualquier a
Área A π +α
A 1 3 ⎛ ⎛ 2π ⎞ ⎞
Uα = = ∫ ⎜U M ⋅ cos ⎜ω t- ⎟ − U M ⋅ cos ω t ⎟dω t=
2π 2π π ⎝ ⎝ 3 ⎠ ⎠
3
3 3
UM ⋅ 3⎡ ⎛ π⎞ ⎛ π⎞ ⎛π ⎞ π⎤
Uα = ⎢sen ⎜α − ⎟ − sen ⎜ − ⎟ − sen ⎜ + α ⎟ + sen ⎥ =
2π ⎣ ⎝ 3⎠ ⎝ 3⎠ ⎝3 ⎠ 3⎦
2p/m
UM ⋅ 3⎛ π ⎛ π⎞ ⎛π ⎞⎞
Uα = ⎜ 2sen + sen ⎜α − ⎟ − sen ⎜ + α ⎟⎟
a 2π ⎝ 3 ⎝ 3⎠ ⎝3 ⎠⎠
1 1
Aplicando sen p - sen q = 2 cos
2
( p + q ) × sen
2
( p - q ) resulta:
UM ⋅ 3⎡ π ⎛ π ⎞⎤ 3 π
Uα =
2π ⎣
⎢ 2sen
3
+ 2cos α ⋅ sen -
⎜ ⎟⎥
⎝ 3 ⎠⎦
= U M
⋅
π
⋅ sen
3
(
1− cos α = )
Ua = U ov (1- cos a )
GTE
Área A
Ua = U ov (1- cos a )
La tensión media a la salida del rectificador
controlado será:
2p/m
U o = U ov - Ua = U ov × cosa
a

GTE
a=0º; Uo=257V a=30º; Uo=222V a=60º; Uo=129V a=90º; Uo=0V
<latexit sha1_base64="huaKImPDzx4yh1w2Ch7UqDBTWaE=">AAACEnicbVDLTsJAFJ3iC/GFunRTJCa6wZaosDEhceMSE3kklDTT8ZZOmD4yc2tCGv5Cf0ZXRt3xA/6NA7JQ8Cwm595zbjLneIngCi3ry8itrK6tb+Q3C1vbO7t7xf2DtopTyaDFYhHLrkcVCB5BCzkK6CYSaOgJ6HjDm6neeQSpeBzd4yiBfkgHEfc5o6hXbvG85WbW2CldOyWrUq/W2m6W6NFhsdKvAB9PHSqSgDqSDwI8c4tlq2LNYC4Te07KZI6mW5w4DzFLQ4iQCapUz7YS7GdUImcCxgUnVZBQNqQD6Gka0RBUP5sFG5snfixNDMCczb+9GQ2VGoWe9oQUA7WoTZf/ab0U/Xo/41GSIkRMW7Tmp8LE2Jz2Yz5wCQzFSBPKJNe/NFlAJWWoWyzo+PZi2GXSrlbsq4p1d1FuXM6LyJMjckxOiU1qpEFuSZO0CCPP5JV8kE/jyXgx3oz3H2vOmN8ckj8wJt+DqZwM</latexit>
U0 = 0.827Vp cos(↵)
a=150º; Uo=-222V a=180º; Uo=-257V

a=120º; Uo=-129V

GTE
La fórmula antes calculada:
U o = U ov - Ua = U ov × cosa
Tensión no
a aplicada
No es válida para todo el rango de a en el caso de cargas resistivas o con diodos de libre circulación, ya que no se
podrán aplicar tensiones negativas a la carga, en este caso, solo será aplicable si a está en el intervalo:
π π
0<α < − ⇒ Ud siempre > 0
2 3
ÍNDICE
GTE
Silicio (SCR)

RECTIFICADOR PUENTE TRIFÁSICOS
GTE
Puente trifásico: Formas de onda para cualquier a
R Tensiones en un Puente Rectificador
Carga
S Ud Trifásico con Ángulo de Disparo a
T
wt=2p
Si a=0 y m=3,
3 3
UO = UM
AVG
p

RECTIFICADOR PUENTE TRIFÁSICOS
GTE
Puente trifásico: Valor medio de salida para cualquier a
π
α+
3
1
Ud =
⎛ 2π ⎞ ∫ U c d(ω t)
Ud
α
⎜ ⎟
⎝ 6 ⎠
π
α+
3
3
Ud =
π
∫ U c d(ω t)
α
π π
U c = 2U M sen( )cos(ω t − )
3 6
π
α+
3 m
12
Ud =
π
π
2U M sen( )
3
∫
π
cos(ω t − )d(ω t)
6
→ Ud =
π
π
3
π
U M sen( )sen( )cos(α )
6
α
3 3
Ud = U M cos(a ) = 1.65 U M cos(a )
p
ÍNDICE
GTE
Silicio (SCR)

RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
GTE
Puente trifásico: Topologías
Puente Rectificador Id Puente Rectificador Id
+ +
T1 T2 T1 D1
iS iS
Carga
Carga
VS Vd VS Vd
D1 D2 T2 D2
- -
a a

RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
GTE
Puente trifásico: Formas de onda para carga altamente inductiva
iS T1
M
+
Id
VS/2
D2 D2 D1 D1 D2 D2
D1
Carga
T2 T1 T1 T2 T2 T1
0 Ud
T2
VS/2
- N -VS/2
D2
VS/2
a a

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Tema 3-SCR-Rectificadores - Controlados PDF

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Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 2

Baja Potencia: MOSFETS

p. ej. Red Eléctrica, (Matriciales)

Diodos (no controlados)

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 3

Saturación Cuasi-Saturación Esquema del BJT de tipo NPN

Uso muy limitado → ¿Cuales son sus limitaciones?

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 4

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 5

CÁTODO (K) PUERTA (G)

Capa 1017 imp/cm3,

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 6

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 7

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 8

IG2 > IG1 IG=0

VH VB02 < VB01 < VB0

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 9

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 10

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 11

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 12

Para el transistor pnp: I C1 = -a1 × I E1 - I CO1 (a) IA = IE1 A

Como la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene: I A + I C1 = I C 2 (g) K

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 14

SCR ABB 5STP 0365D0002:

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 15

Ejemplo de SCRs de gran potencia (ABB)

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 17

Oblea de un SCR mediana potencia cortadas

Montaje para construir convertidores

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 19

Montaje para construir convertidores de gran potencia

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 20

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 21

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 22

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 23

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 24

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 25

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 28

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 29

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 30

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 31

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 32

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 33

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 34

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 35

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 36

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 37

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 38

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 39

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 40

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 41

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 42

Rectificador Polianódico Definición de a y formas de onda

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 43

Valor medio de tensión uR(t) uS(t) uT(t)

30º 90º 150º 210º 270º 330º

Rectificador controlados con a=0 y m fases

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 44

Tema 3. SCR y Rectificadores Controlados 46

a=0º; Uo=257V a=30º; Uo=222V a=60º; Uo=129V a=90º; Uo=0V

a=150º; Uo=-222V a=180º; Uo=-257V