UNIVERSIDAD NACIONAL

“José Faustino Sánchez Carrión”

FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL,
SISTEMAS E INFORMATICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA
TEMA

PANORAMA GENERAL DE LOS INTERRUPTORES DE

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Curso: SISTEMAS ELECTRONICOS DE POTENCIA

Docente del curso: Ing. Franco Jhordy Miranda Portella

HUACHO – PERÚ
2021
PANORAMA GENERAL DE LOS INTERRUPTORES
DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

INTRODUCCIÓN
• La electrónica de potencia trata sobre la operación y aplicaciones de
dispositivos electrónicos utilizados para el control y conversión de la
potencia eléctrica. Debido a estas diferencias de aplicación se debe
seleccionar el tipo más adecuado de componente electrónico según la
función y las especificaciones del sistema a desarrollar.

• DIODOS POTENCIA, MOSFET, IGBT, BJT, NCT, GTO,

TIRISTORES.
 DIODOS DE POTENCIA
El diodo es un interruptor unidireccional sus principales características son:
• El mayor tamaño se debe al aumento de una región intermedia n de bajo dopaje que lo diferencia de los
diodos de señal.
• La tensión de caída aumenta a 1 o 2V siento esta nueva región es la causante de este fenómeno.
• Tiene dos estados de recuperación:
 Recuperación inversa: Es el tiempo de conducción a bloqueo (on-off)
 Recuperación directa: Es el tiempo de bloqueo a conducción (off-on)
• Los tipos de diodos de potencia son:
 Diodos Scholtky
 Diodos de recuperación rápida
 Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
 TIRISTORES
• Es una estructura de cuatro (P-N-P-N) que representan una función
• El paso de On a Off realiza normalmente por control externo.
• El paso de Off a On se da cuando la corriente del tiristor es mas pequeña que la corriente de
mantenimiento.
• Sus tipos dentro de estos semiconductores son:
 SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
 TRIAC (Tríodo de Corriente Alterna)
 GTO (Gate turn-off thyristor)
 MOS o MCT
 TIRISTOR SCR
• Es el dispositivo que control mayor potencia.
• Soporta mayor tensión inversa entre sus terminales.
• La corriente establece en el sentido ánodo – cátodo.
• Nuevos parámetros en su recta de funcionamiento
 ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa comportándose como un diodo.
 ZONA DE BLOQUEO DIRECTO (VAK>0 SIN DISPARO).- Compota como un circuito abierto hasta alcanzar el
voltaje de ruptura.
 ZONA DE CONDUCCION (VAK>0 disparado).- Se comporta como interruptor cerrado y se mantiene hasta que sea
menor a la corriente de mantenimiento
 TIRISTOR TRIAC
• Es un tiristor bidireccional de tres terminales.
• Permite el paso de la corriente en los dos sentidos entre terminales A1 y A2
• Funciona como dos SCR antiparalelo
• Máximo 1000v, 15 A, 15KW, 50/60 Hz.
 TIRISTOR GTO
• Máximo 5000v, 4000 A
• El GTO tiene control extremo en el paso de conducción a bloqueo, de On a Off.
• Y también permite controlar externamente el paso de OFF a On
• El mecanismo de disparo es parecido al del SCR
• Un GTO al contrario de un SCR pude no tener capacidad de bloqueo de tensiones inversas.
• Si gate + pasa de estado de ON a OFF
• Si gate – pasa de estado de OFF a ON
DESACTIVACIÓN POR PUERTA DE TIRISTORES
GTO
  GTO bloquean voltajes negativos cuya magnitud depende de los detalles del circuito
Los
amortiguador para reducir en la desconexión del circuito de control, las características
idealizadas del dispositivo al operar como interruptor se muestran en la figura 2-10c
  El voltaje de estado activo (2 a 3 V) de un GTO es un poco más alto que los
voltajes de los tiristores.
 Las velocidades de conmutación de GTO están en el rango de unos cuantos
microsegundos a .
 El GTO se usa cuando se necesita un interruptor para altos voltajes y altas
corrientes en un rango de frecuencia de conmutación de unos cuantos cientos
de hertzios a 10khz.
 TIRISTORES CONTROLADOR POR MOS.
MCT
• El tiristor controlado por MOS es un dispositivo nuevo en el mercado comercial, su símbolo del
circuito se muestra en la figura.
• El tiristor controlado por mosfet es una mejora sobre un tiristor con un par de MOSFET para
encender y apagar. El MCT por sus siglas en inglés supera varias de las limitaciones de los dispositivos
existentes de poder y promete ser un cambio mejor para el futuro.
Características:
• Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;
• Un tiempo de activado 0.4m s, y un tiempo de desactivado,
1.25ms, control 300A, 500v
• Bajas perdidas de conmutación;
• Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
• Una alta impedancia de entrada de compuerta.
 Transistores de Potencia
• Los transistores de potencia también trabajan en conmutación es
decir en ON-OFF
• Sus ventajas es que son totalmente controlados
• Se clasifican en:
• BJT(BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR)
• MOSFET
• IGBT
 Transistor BJT
• Son interruptores de potencia controlados por corriente
• Consumen mayor energía que los SCR
• Se controlan por la base
• Trabaja en 3 zonas principalmente:
 CORTE: No inyecta corriente a la base (interruptor abierto)
 ACTIVA: Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona como amplificador mas no como
semiconductor de potencia.
 SATURACION: Inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.
 Transistor MOSFET
• Son transistores controlados por tensión. Debido al aislamiento de oxido de silicio de la base.
• Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia:
• De canal “n” y de canal “p”
• Desventaja: maneja reducida potencia porque se calientan mucho
• Ventaja: Son los transistores mas rápidos que existen
• Trabaja en 3 zonas fundamentalmente:
• CORTE: VG y Vcc es menoral voltaje de umbral. Interruptor abierto
• OHMICA: Si Vg y Vcc es el mayor a Vp y Vcc se cierra el transistor modelado por una resistencia
• SATURACION: Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el drain-source elevado.
 Transistor IGBT
• Son dispositivos semiconductores hidridos
• Une la velocidad de disparo de un MOSFET con las pequeñas perdidas de conducción de un BJT
• Velocidad de conmutación en KhZ menor al MOSFET
• Maneja hasta decenas de amperios 1200 – 2000v
• Tiene una entrada de alta impedancia
• No presenta problema de ruptura secundaria como los BJT
• Tambien son activados por tensión.
 TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA
(IGBT)

  Parecido al MOSFET, el IGTB tiene una puerta de alta impedancia que solo requiere una pequeña cantidad de
energía para conmutar el dispositivo.
 Igual que el BJT, el IGTB tiene un voltaje de estado activo pequeño, incluso en dispositivos con grandes
voltajes nominales de bloqueo (por ejemplo, es de 2 a 3 V en un dispositivo de 1000 V).
 Parecido al GTO, los IGTB se pueden diseñar para bloquear tensiones negativas, como lo indican sus
características de conmutación idealizadas que se muestras en la figura 2-12c.
 
TRANSISTORES DARLINGTONS
MONOLÍTICOS:
En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en una configuración tipo Darlington en un único dispositivo
(a veces llamado par Darlington). Esta conexión permite que la corriente amplificada
por el primer transistor ingrese a la base del segundo transistor y sea nuevamente
amplificada1​
 TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor de unión bipolar BJT es un dispositivo electrónico, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, tecnología TTL o CMOS.

•Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
•Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
•Colector, de extensión mucho mayor.
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE
METAL OXIDO SEMICONDUCTOR
Se trata de un dispositivo controlado por tensión, El transistor de efecto de campo
metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de
unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.