UNIDAD I.

FÍSICA RADIOLÓGICA Y
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
-Clase 3-

Ciclo II-2023
Tecnologías para Rayos X
 Agenda

1.5 Transistores BJT, UJT, 1.6 Tiristores: SCR, DIAC y

PUT, FET e IGBT TRIAC

1. UJT 1. Tiristores
2. PUT 2. SCR
3. IGBT 3. DIAC
4. TRIAC
5. Tipos de interruptores en ECA de
potencia
1.5 Transistores BJT, UJT, PUT, FET e IGBT
 Transistor de una sola unión (UJT)

Dispositivo de tres terminales

(emisor, base 1 y base 2).

Cuenta con solo una unión pn

(unijuntura) que lo hace útil como
oscilador.

Muy importante: No es un FET.

Polarización del UJT
• Diodo = unión pn
• = resistencia dinámica interna
de la barra de silicio entre el
emisor y la base 1
• = resistencia dinámica interna
de la barra de silicio entre el
emisor y la base 2
• La resistencia entre las bases es
la suma de y y serán variables
dependiendo de
• Las resistencias internas
forman un divisor de voltaje
cuando el dispositivo está
polarizado
 Curva característica del UJT
• Si ˂ no habrá corriente en el
emisor porque la unión pn no está
polarizada en directa (Corte)
• El voltaje en el emisor que hace
que la unión polarice en directa se
llama Vp
• Si la unión polariza en directa e
inicia IE con una región de
resistencia negativa (VE se reduce e
IE aumenta)
• VE incrementa poco e IE mucho en
región de saturación
 Transistor de una sola unión programable (PUT)
Dispositivo de tres terminales (ánodo,
cátodo y compuerta).

Es en realidad un tipo de tiristor. La

única similitud con un UJT es que el
PUT puede ser utilizado en algunas
aplicaciones de osciladores para
reemplazar el UJT.

El PUT es similar a un SCR excepto

porque su voltaje en el ánodo con
respecto a la compuerta puede ser
utilizado tanto para encender como
para apagar el dispositivo.
Polarización del PUT

• La compuerta puede ser polarizada a un

voltaje deseado con un divisor de voltaje
externo, de tal forma que cuando el voltaje
en el ánodo excede este nivel
“programado”, el PUT se enciende

• Es decir que polariza en directa /

conduce / se enciende cuando el voltaje en
el ánodo excede el voltaje en la compuerta
(0.7V)
 Curva característica del PUT

Una curva del voltaje entre el ánodo y

el cátodo, VAK contra la corriente en
el ánodo, IA, revela una curva de
característica similar a la del UJT.

Por consiguiente, el PUT reemplaza al

UJT en muchas aplicaciones. Una de
ellas es el oscilador de relajación.
 Transistor bipolar de compuerta aislada
(IGBT)
Dispositivo de tres terminales (colector, compuerta y emisor) que
combina características del MOSFET y el BJT. Utilizado principalmente en
aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta corriente.
Polarización del IGBT
• Un IGBT puede ser considerado como un
BJT controlado por voltaje en la
compuerta.
• El elemento de entrada es un MOSFET y el
de salida es un transistor bipolar. El IGBT
se polariza incrementando el voltaje en la
compuerta a un valor que excede el voltaje
de umbral.
• La estructura npnp forma un transistor y
una resistencia parásita. Estos
componentes parásitos no tienen efecto
durante operación normal. No obstante, si
se excede la corriente máxima en el
colector el dispositivo permanecerá
enganchado.
 Curva característica del IGBT
El gráfico es similar al de un BJT, excepto que el parámetro que se mantiene constante
para un gráfico es VGE porque IGBT es un dispositivo controlado por voltaje a
diferencia del BJT, que es un dispositivo controlado por corriente.
1.6 Tiristores: SCR, DIAC y TRIAC
 Tiristores
Se construye con cuatro capas semiconductoras (pnpn). Los tiristores
incluyen el diodo de 4 capas, el rectificador controlado de silicio (SCR), el
diac, el triac y el interruptor controlado de silicio (SCS).

Actúan como circuitos abiertos capaces de soportar cierto voltaje nominal

hasta que son disparados. Cuando son disparados, se encienden y se
convierten en trayectorias de baja resistencia para la corriente y permanecen
así, incluso después de que desaparece el disparo, hasta que la corriente se
reduce a un cierto nivel o hasta que son apagados.

Se pueden utilizar para controlar la cantidad de potencia de ca entregada a

una carga, en variadores de intensidad luminosa, control de velocidad de
motores eléctricos, sistemas de encendido y circuitos de carga, entre otros.
 Rectificador controlado de silicio (SCR)
Dispositivo pnpn de 4 capas, con
tres terminales: ánodo, cátodo y
compuerta.

Elemento unidireccional, debido a que

el sentido de la corriente es único, la
conducción entre ánodo y cátodo es
controlada por la compuerta, es decir
controla cuando el rectificador cambia
al estado de circuito abierto al estado
de cortocircuito.
 Operación del SCR
En el estado apagado, actúa idealmente como circuito abierto entre el ánodo y el
cátodo; en realidad, existe una resistencia muy alta. En el estado encendido,
actúa idealmente como un cortocircuito del ánodo al cátodo (realmente es
resistencia baja).
Curva característica del SCR
 Diodo para corriente alterna (DIAC)

Dispositivo semiconductor de
cuatro capas y dos terminales
(tiristor) que conduce corriente en
una u otra dirección cuando se
activa (bilateral).

Tiene dos terminales

denominadas ánodo 1 y ánodo 2.
 Operación del DIAC
La conducción ocurre cuando se alcanza el voltaje de ruptura con una u otra
polaridad. Una vez que se presenta la ruptura, la corriente fluye en una
dirección según la polaridad del voltaje a través de las terminales. El dispositivo
se apaga cuando la corriente se reduce por debajo del valor de retención
Curva característica del DIAC
• Cuando el voltaje alterno
aplicado positivo o negativo, sea
menor que el voltaje de ruptura,
el DIAC se comportará como un
circuito abierto; es decir no
conducirá corriente.

• Cuando el voltaje alterno

aplicado positivo o negativo, sea
mayor que el voltaje de ruptura,
el DIAC se comportará como un
cortocircuito; es decir
conducirá corriente.
 Triodo para corriente alterna (TRIAC)
Es como un DIAC con una terminal
compuerta. Este puede ser disparado
por un pulso de corriente en la
compuerta y no requiere voltaje de
ruptura para iniciar la conducción,
como el diac.

Básicamente, se puede pensar en un

TRIAC simplemente como dos SCR
conectados en paralelo y en
direcciones opuestas con una
terminal común, la compuerta.
Operación del TRIAC
Curva característica del TRIAC
El potencial de ruptura se reduce a
medida que se incrementa la
corriente en la compuerta,
exactamente como con el SCR.

El TRIAC deja de conducir cuando la

corriente en el ánodo se reduce por
debajo del valor especificado de la
corriente de retención, IH. La única
forma de apagarlo es reducir la
corriente a un nivel suficientemente
bajo.
 Tipos de interruptores en electrónica de
potencia
No controlados
No se pueden controlar externamente, solo mediante el circuito

Semicontrolados
Se puede controlar el estado de encendido externamente

Controlados
Se puede controlar el encendido y apagado externamente con
las señales adecuadas
 Referencias

1. Floyd, T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación.

https://elibro.net/es/ereader/bibliotecaudb/74154?page=1
2. Russo, P. (2018). Handbook of X-ray Imaging Physics and Technology. Recuperado de
https://www-pub.iaea.org/MTCD/Publications/PDF/Pub1564webNew-74666420.pdf
3. E. (2019, 8 junio). Insulated Gate Bipolar Transistor | IGBT. Recuperado de
https://www.electrical4u.com/insulated-gate-bipolar-transistor-igbt/
4. DEGEM Systems. (1987). Curso EB-112. Fundamentos de los semiconductores II. -, -:
Inter Training Systems.