23/11/2023

Sistemas Electrónicos de
Potencia
DR. GERARDO MINO AGUILAR

Otoño 2023

Objetivo del Curso.-

Sentar las bases para la comprensión del procesamiento, control y conversión de la

energía eléctrica que conociendo las formas de onda de las señales de alimentación y
el nivel de potencia se identificarán los modos de conversión que se implementarán
por medio de la electrónica de potencia, empleando diversas estrategias de control se
generan los pulsos de disparo para los dispositivos semiconductores de potencia o
conmutación empleados en el diseño de convertidores. Con esta asignatura, los
estudiantes reforzarán sus conocimientos teóricos, prácticos con aplicaciones
aprendidos de diferentes asignaturas que se imparten a Nivel Formativo en las
licenciaturas y sus especialidades de la Facultad.

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Contenido del Curso.-

I. Fundamentos y dispositivos de
electrónica de potencia

1.3.4. Transistores de Potencia

1.3.4.1. BJT
1.3.4.2. MOSFET
1.3.4.3. IGBT
1.3.3.4. SIT

Transistores

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Transistores de
potencia
Son clasificados en 3 tipos:

1. Bipolar junction transistor (BJT)

2. Metal‐oxide semiconductor field‐effect transistor
(MOSFET)
3. Insulated gate bipolar transistor (IGBT)
4. SIT

En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como

interruptores.

Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan para que éstos trabajen
en la zona de saturación (conducción) o en la zona de corte (bloqueo).

Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo,
un circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.

Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta en conducción.

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TRANSISTORES
Los transistores de potencia son de 3 clases:
1) BJT,
2) MOSFET de potencia,
3) IGBT Y
4) SIT

Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector.

En el caso normal funciona como un interruptor en la configuración de

emisor común.

TRANSISTORES
Mientras la base de un transistor NPN esté a mayor potencial que el
emisor, y la corriente de la base tenga el valor suficiente para activar
el transistor en la región de saturación, el transistor permanece
cerrado, siempre que la unión de colector a emisor tenga la polarización
correcta.

Los transistores bipolares de alta potencia se suelen usar en

convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 kHz y se aplican
bien en capacidades hasta de 1200V Y 400 A.

Las diversas configuraciones de los transistores bipolares de potencia

se ven en la figura 30.

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La caída directa de un transistor conductor está en el intervalo de 0.5

a 1.5 V.

Si se retira el voltaje de activación de la base, el transistor

permanece en modo de no conducción (o abierto).

Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se

consiguen con capacidades relativamente bajas de potencia de 1000 V Y100
A, en un intervalo de frecuencia de varias decenas de kHz.

Los diversos MOSFET de potencia, de distintos tamaños, se muestra en la

figura 1.3.4.1.

Figura 1.3.4.1.1. Intervalos de potencia de los semi conductores de potencia comerciales.

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1.3.4.1. BJT Bipolar

Junction Transistor
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

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1.3.4.1. Bipolar junction transistor (BJT)

Semiconductor de 3 terminales, 2 uniones pnp o npn

Fig. 1.3.4.1.2. a) Símbolo b) Curva i‐v c)Características ideales

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 Los transistores BJT más utilizados en la  La polarización de este dispositivo se realiza por
electrónica de potencia son los NPN, y su corriente y es de la forma:
operación se centra en corte y saturación, es
decir, como interruptor electrónico.

 Recordemos que para que un transistor NPN se
encuentre polarizado es necesario que la
tensión del colector sea mayor a la de la base y
esta mayor que la del emisor (vC > vB > vE) en
por lo menos 0.7V.
 Para operar el transistor en corte es necesario
suministra cero corriente por la base.
 La condición para operar el transistor en saturación
es:

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• El estado de conducción del BJT, se consigue

proporcionando la suficiente corriente de base
para llevarlo a saturación.

• La tensión de saturación colector – emisor VCE

típica es de 1 a 2V.
BJT.‐
Características • Es un dispositivo controlado por corriente, el BJT
de potencia normalmente tiene una baja HFE, a
veces menor a 20.

Fig. 1.3.4.1.3. Símbolo y terminales del BJT.

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Tabla 1.3.4.1. Tipos de transistores BJT de potencia

Figura 1.3.4.1.4. Encapsulados de Transistores BJT NPN.

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BJT
Regiones de operación
E‐B C‐B Polarización Región
(D / I)
D I D‐I ACTIVA
D D D‐D SATURACIÓN
I I I‐I CORTE
I D I‐D INVERSA

Ganancia de corriente 𝜶 𝐲 𝜷
𝐼 𝛽
𝛼 𝛼
𝐼 1 𝛽
O bien
𝐼 𝛼
Figura 1.3.4.1.5. Curva I‐V de un BJT. 𝛽 𝛽
𝐼 1 𝛼

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Básicamente se trata de interruptores de potencia controlados por

corriente.

Existen dos tipos fundamentales, los “npn” y los “pnp”, si bien en Electrónica de Potencia
los más usuales y utilizados son los primeros.

Figura 1.3.4.1.6. Tipos de BJT NPN y PNP.

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Figura 1.3.4.1.7. Estructura de un BJT NPN, polarizado.

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La operación normal de un transistor se hace con la unión J1 (B-E) directamente

polarizada, y con J2 (B-C) inversamente polarizada.

En el caso de un transistor npn, los electrones son atraídos del emisor por el potencial
positivo de la base.

Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los portadores
tenga energía cinética suficiente para atravesarla, llegando a la región de transición de
J2, siendo entonces atraídos por el potencial positivo del colector.

El control de VBE determina la corriente de base, IB, que, a su vez, se relaciona con Ic por
la ganancia de corriente del dispositivo.

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Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con baja
concentración de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensión de bloqueo del
componente.

En la estructura típica de un transistor bipolar de potencia (Figuras 1.3.4.7 y 1.3.4.8. ).

Los bordes redondeados de la región de emisor permiten una homogeneización del

campo eléctrico, necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas débiles
entre base y emisor.

El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentración de

impurezas del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).

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Estructura del BJT

Figura 1.3.4.1.9. Zonas de funcionamiento de un BJT.

Figura 1.3.4.1.8. Estructura de un BJT NPN.

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Regiones de funcionamiento del BJT

- Corte: No se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se comporta como un
interruptor abierto, que no permite la circulación de corriente entre colector y emisor

- Activa: Se inyecta corriente a la base del transistor, y éste soporta una determinada
tensión entre colector y emisor (Figura 1.3.4.9.).

• La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de

proporcionalidad denominada ganancia del transistor.

• La unión CB tiene polarización inversa y la BE directa.

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Regiones de funcionamiento del BJT

- Saturación: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir

que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal.

o La tensión que soporta entre sus terminales es muy pequeña y depende del transistor.

o En este caso ambas uniones están polarizadas directamente.

o Se suele hablar de la tensión colector-emisor en saturación.

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Dado que en la zona activa se disipa

mucha potencia y en consecuencia el
rendimiento del sistema puede llegar a ser
muy pequeño.

En Electrónica de Potencia se trabaja con

tensiones y corrientes elevadas, esa
disipación de potencia debe evacuarse de
algún modo, o de lo contrario podemos
llegar a destruir el semiconductor por una
excesiva temperatura en su interior.

Figura 1.3.4.1.10. Secciones de funcionamiento en una curva iB

vs VCE.

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2N5685
5 A,
TRANSISTOR NPN DE ALTA VELOCIDAD,
100V

2N5330
30 A,
TRANSISTOR NPN DE ALTA VELOCIDAD,
150V

2SC2356
TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDAD DE
TRIPLE DIFUSION,
Figura 1.3.4.1.11. Encapsulados para un BJT. 10 A,
400V

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1.3.4.1.12. Waveforms of BJT base and collector currents at turn‐on and turn‐off.

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(a) (b)
Figure 1.3.4.1.13. BJT Darlington connections: (a) two transistors, (b) three transistors.

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1.3.4.2. Power MOSFET

(Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor)
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON TECNOLOGÍA
SEMICONDUCTOR METAL – OXIDO

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Transistor de Efecto de Campo con tecnología

Semiconductor Metal – Oxido (MOSFET)

Características
Una tensión
compuerta – fuente
Son
lo suficientemente Se utilizan en
Es un dispositivo fundamentalmente
grande activará el convertidores de
controlado por de acumulación,
dispositivo, dando potencia de alta
tensión más que de
lugar a una velocidad.
empobrecimiento
pequeña tensión
drenaje – fuente.

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Antecedentes
 Fue ideado teóricamente por el austrohúngaro Julius von Edgar Lilienfeld en
1930.

 Debido a problemas de carácter tecnológico (desconocimiento del

comportamiento de los electrones sobre la superficie del semiconductor) no se
pudieron fabricar hasta décadas más tarde.

 La intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y

lo más libre de defectos posible.

 Sólo se logró construir, gracias a el desarrollo de la tecnología del Silicio.

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Características del MOSFET

Figura 1.3.4.2.1. Símbolos de un MOSFET.

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Características del MOSFET

 Uso como interruptor controlado por Voltaje.

 Impedancia de entrada muy alta (109 a 1011 Ohms).

 Velocidad de conmutación muy alta.

 Los MOSFET de canal p tienen propiedades inferiores.

 La conducción se hace con portadores mayoritarios.

 Un MOSFET de potencia se compone de muchas células de

enriquecimiento conectadas en paralelo. Figura 1.3.4.2.1. Símbolos de un MOSFET.

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The power MOSFET, is a semiconductor power switch characterized by the highest switching
speed.

Three electrodes of the MOSFET, the drain (D), source (S), and gate (G) correspond to the
collector, emitter, and base of the BJT, respectively.

However, in contrast to that transistor, the power MOSFET is voltage controlled, and the dc
impedance of the gate‐source path is practically infinite (109 Ω–1011 Ω).

Only during fast turn‐on and turn‐off, the gate circuit does carry a short current pulse, which is
associated with the respective charging and discharging of the gate‐source capacitance (Figura
1.3.4.2.1).

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Estructura

Figura 1.3.4.2.2. Estructura interna de un MOSFET canal N.

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Estructura
 Formada por múltiples capas alternas de dopaje tipo p y n

 Estructura se denomina MOSFET canal n de enriquecimiento.

 Capa central tipo p llamado cuerpo.

 Los MOSFET más utilizados en electrónica de potencia son los

de canal N y su operación se reduce a interruptor electrónica,
es decir, en corte y operación. Figura 1.3.4.2.2. Estructura interna de un MOSFET canal N.

 La ventaja de este dispositivo en relación con el BJT es su

polarización en tensión y alta impedancia de entrada.

35

Enriquecimiento y empobrecimiento de
un MOSFET canal N

Figura 1.3.4.2.3a. Enriquecimiento de MOSFET canal N. Figura 1.3.4.2.3b. Empobrecimiento de un MOSFET canal N.

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Enriquecimiento y empobrecimiento de
un MOSFET canal P

Figura 1.3.4.2.4a. Enriquecimiento de MOSFET canal P. Figura 1.3.4.2.4b. Empobrecimiento de un MOSFET canal P.

37

Nota
 Originalmente la tecnología de PMOS fue la dominante, pero fue
desplazado por NMOS debido a que se pueden hacer más pequeños y
por lo mismo operan con mayor rapidez.

 Además de que históricamente el NMOS requiere menores voltajes de

alimentación.

 Sin embargo, el PMOS se utiliza en conjunto con NMOS para formar el

CMOS.

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Activación

Figura 1.3.4.2.5. Comportamiento del material en la activación de un MOSFET canal P.

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Curva característica de un NMOS

Se reconocen 3 regiones:
Región Activa o de Saturación.
Región Óhmica o de triodo.
Región de Corte.

Figura 1.3.4.2.6. Curva característica de un NMOS.

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The characteristics show the drain current, ID, as a function of the drain‐source voltage, VDS, for various values of
the gate‐source voltage, VGS.

Although the characteristics bear certain resemblance to those of the BJT (see Figure 1.3.4.2.6), there is no hard
saturation line.

Instead, each characteristic has a constant‐ resistance portion in the area of low VDS values, and the control
voltage, VGS, should be made sufficiently high for the on‐state operating point to lie on that portion.

The rated voltage and current represent the maximum allowable values, VDSS and IDM, of the drain‐source voltage
and drain current, respectively.

Similarly, to BJTs, power MOSFETs may not be exposed to negative drain‐source voltages, unless protected by a
diode connected in series with the transistor.

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Technical advantages of power MOSFETs are not limited to high switching speeds.

Little power is required to control them, and the control circuitry is simpler than that for BJTs.

The typical turn‐on gate‐source voltage is 20 V, while 0 V is used to turn the device off.

MOSFETs have a negative temperature coefficient on drain current, which facilitates paralleling
several transistors for an increased current‐handling capability.

If the temperature of one of the component MOSFETs increases, the conducted current drops,
restoring the thermal balance among the connected devices.

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 This characteristic also makes for uniform current density within the MOSFET, preventing the
second breakdown.

 On‐state resistance of high‐voltage power MOSFETs used to be quite high, but the recent
technological advances have resulted in significant reduction of that parameter.

 The switching losses are low, even with high switching frequencies, thanks to short turn‐on
and turn‐off times.

 These, usually less than 100 ns, are defined similarly as for the BJTs (see Figure 2.14).

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Figura 1.3.4.2.7. Power MOSFET: (a) semiconductor structure, (b) circuit symbol.

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 The diode in parallel with the MOSFET (Figura 1.3.4.2.7), called a body diode, is a
byproduct of the technological process.

 It can serve as a freewheeling diode, but being relatively slow it should be bypassed
in fast switching converters with an external fast recovery diode.

 Switching frequencies can be as high as hundreds of kilohertz in medium‐power

converters and on the order of 1 MHz in low‐power switching power supplies.

 Power MOSFETs are available with the voltage and current ratings of up to 1.5 kV and
1.8 kA.

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Curva característica de un NMOS

De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas:

1. Corte: La tensión entre la G y la S es más pequeña que una determinada tensión umbral (VT), con lo que el
dispositivo se comporta como un interruptor abierto.

2. Óhmica: Si la tensión entre la G y S es suficientemente grande y la tensión entre D y S es pequeña, el transistor

se comporta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.

3. Saturación: Si el transistor está cerrado pero soporta una tensión D‐S elevada, éste se comporta como una
fuente de corriente constante, controlada por la tensión entre la G y S.

4. La disipación de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensión‐corriente es alto.

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Curva característica de un NMOS

Curva característica en región activa o de saturación.

Figura 1.3.4.2.8. Curva característica en región

activa o de saturación de un NMOS

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Modelo a gran señal

Figura 1.3.4.2.8. Modelo a gran señal de un MOSFET canal N.

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Modelo a gran señal

 Cuando un MOSFET entra en estado de saturación, el modelado
del dispositivo se ilustra con una fuente de corriente
dependiente del voltaje entre compuerta y fuente gmVGS entre el
D y la S, conectada a una resistencia en paralelo r0.

 La compuerta se modela como un puerto de entrada

independiente del circuito mencionado, en donde el voltaje VGS
aparece al final de la resistencia R1, alimentada por VG.
Figura 1.3.4.2.8. Modelo a gran señal de un MOSFET canal N.

 La región de saturación permite al MOSFET operar como un

amplificador.

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Modelo de conmutación

Figura 1.3.4.2.9. Modelo de conmutación de un MOSFET canal N.

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Efectos Parásitos

Figura 1.3.4.2.10. Modelo con Efectos Parásitos de un MOSFET canal N.

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Efectos Parásitos
 El BJT parásito se debe mantener cortado en todo
momento, manteniendo el potencial de base lo más
cercano al potencial de la fuente.

 El diodo se polariza directamente cuando VDS es

negativa, es capaz de conducir la misma corriente
que el MOSFET.

 Diodo lento provoca grandes picos de corriente de

recuperación inversa, pueden destruir al dispositivo.
Figura 1.3.4.2.10. Modelo con Efectos Parásitos de un MOSFET canal N.

 Se anula con un diodo externo.

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Circuitos de activación

Figura 1.3.4.2.11. Circuitos de activación de un MOSFET canal N.

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Circuitos de activación
 Consideraciones:

 Alta impedancia de entrada.

 Corriente de fuga pequeña.

 El tiempo de encendido depende del tiempo de carga

de la capacitancia de entrada.

 Disminuir tiempo de encendido conectando un RC.

 Si el circuito de disparo tiene una impedancia de

salida muy baja permite mejorar el tiempo de
conmutación en un MOSFET.

Figura 1.3.4.2.11. Circuitos de activación de un MOSFET canal N.

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Figura 1.3.4.2.12. Encapsulados de MOSFET de potencia.

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Ejemplo de circuito de activación

Figura 1.3.4.2.13. circuito de activación de un MOSFET con un

Arreglo en Tótem.

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Ejemplo de circuito de activación

 Arreglo en Tótem.

 Transistores actúan como seguidores de emisor(baja

impedancia de salida).

 Opam genera la señal de compuerta

 Retroalimentación de capacitor regula la tasa de

subida y bajada

 Diodo permite cambio con rapidez sólo en una Figura 1.3.4.2.13. circuito de activación de un MOSFET con
dirección.
un Arreglo en Tótem.

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MOSFET
El circuito de excitación de un MOSFET es
más sencillo que en un BJT.

En conducción, las variaciones vDS son

linealmente proporcionales a las
variaciones de iD.

Figura 1.3.4.2.14. a) Curva I‐V b) Modelo ideal

En estado de conducción se modela como
una resistencia de conducción RDS(ON).

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Puntos a recordar

Figura 1.3.4.2.15. Símbolos utilizados para MOSFETs y curva característica.

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Puntos a recordar
untos Clave:
 Un MOSFET es un dispositivo controlado por
voltaje.

 Al aplicar un voltaje en la compuerta se

activa y toma una corriente de compuerta
insignificante.

 El circuito excitador de compuerta debe

tener baja impedancia para que se active
con rapidez.

Figura 1.3.4.2.15. Símbolos utilizados para MOSFETs y curva característica.

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Tabla 1.3.4.2.1. Tipos de transistores MOSFET de potencia

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MOSFET.‐
Ejemplo
• En la figura se muestra un control
básico utilizando un transistor
MOSFET de canal N.

• A diferencia de los BJT, los MOSFETs

son dispositivos que funcionan con
voltaje, no con corriente.

• Una carga eléctrica (voltaje) en la G

Figura 1.3.4.2.16. Ejemplo de con relación a S encenderá el
circuito de disparo de un MOSFET. dispositivo.

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Aplicaciones
Convertidores de baja potencia y alta frecuencia.

Figura 1.3.4.2.17. Convertidores con MOSFET.

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Aplicaciones

Figura 1.3.4.2.18. Celdas de Memoria SRAM.

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Aplicaciones

Figura 1.3.4.2.19. Capacitores

Conmutados.
Figura 1.3.4.2.20. Compuertas Lógicas.

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Aplicaciones
Figura 1.3.4.2.21. Amplificador (Audio).

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Encapsulados

Figura 1.3.4.2.22. Encapsulados de MOSFET

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Resumen
1. Los MOSFET de baja tensión tienen resistencias de conducción menores que 0.1W

2. Los de alta tensión de unos cuantos ohmios.

3. Su construcción produce un diodo parásito, que se puede utilizar de forma ventajosa.

4. Los valores nominales llegan a alcanzar hasta 1,000V y 50A.

5. Las velocidades de conmutación son mayores que las del BJT y se utilizan en
convertidores que operan por encima de 100kHz.

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1.3.4.3. IGBT Isolated

Gate Bipolar Transistor
TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA

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Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT)

Este dispositivo se considera un híbrido

Es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT

Sus características de conducción son como las del

BJT.

Su circuito de excitación es como el del MOSFET

Es adecuado para velocidades de conmutación de

hasta aproximadamente 20kHz

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Transistor Bipolar de Compuerta Aislada

(IGBT)

Figura 1.3.4.3.1. a). Símbolo del IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor). b). MOSFET.

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 El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) es un dispositivo que combina características

de los MOSFET y los BJT (Figura 1.3.4.3.1).

 En su estructura física es similar al MOSFET y en su operación eléctrica al BJT.

 Se controla por tensión como el MOSFET.

 Presenta muy alta impedancia de entrada y pocas pérdidas durante la conducción.

 Se pueden conectar en paralelo formando módulos que manejan altas intensidades de

corriente.

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 Es más rápido que un BJT pero más lento que un MOSFET.

 El símbolo esquemático, la estructura física y el modelo equivalente simplificado, refleja su

combinación (Figura 1.3.4.3.2).

 El IGBT es un dispositivo controlado por tensión que se activa aplicando una tensión positiva
en la compuerta y se desactiva al quitar esta polarización.

 Cuando la compuerta se polariza positivamente respecto al emisor, los electrones son

atraídos al canal P cerca de la región de la compuerta, produciendo una polarización directa
de la base del transistor NPN encendiendo al dispositivo.

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Figura 1.3.4.3.2. Símbolo esquemático, la estructura física y el

modelo equivalente simplificado del IGBT.

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 En el modelo equivalente simplificado (Figura 1.3.4.3.2), la caída de tensión a través del IGBT es
la suma de dos componentes: una caída de tensión debida a la unión PN y una caída de tensión
a través del MOSFET en conducción.

 Por lo tanto, a diferencia del MOSFET, la caída de tensión en el estado de conducción a través de
un IGBT nunca pasa por debajo de la tensión umbral de un diodo.

 Los IGBT se fabrican mediante dos tecnologías diferentes, la tecnología de perforación PT

(Punch Through) y la tecnología de no perforación NPT (Non Punch Through).

 Los PT‐IGBT se construyen con un sustrato de tres capas P+ N+ y N‐, (Figura 1.3.4.3.3), además
se dibujan los componentes intrínsecos que permiten obtener el circuito equivalente más
completo (Figura 1.3.4.3.4).

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Figura 1.3.4.3.3. PT‐IGBT

construido con un sustrato Figura 1.3.4.3.4. Circuito equivalente
de tres capas P+ N+ y N‐. más completo del IGBT.

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 En cualquiera de las dos tecnologías los transistores PNP y NPN forman un tiristor parásito interno
entre el colector y emisor del IGBT.

 El disparo de este tiristor parásito puede provocar una pérdida de control y la posible destrucción
del dispositivo.

 El disparo de este tiristor parásito se debe a la presencia de Rs que es la resistencia parásita de la

región de emisor.

 La corriente que fluye a través de Rs puede dar lugar a una tensión de polarización por encima del
umbral de conducción de la unión base‐emisor del transistor NPN.

 Si esto sucede el transistor NPN conducirá y llevará a la conducción al transistor PNP.

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 En los IGBT comerciales, tanto de tecnología PT como NPT, se ha reducido la probabilidad de disparo de este tiristor
parásito mediante una fuerte reducción del valor de la resistencia Rs que podría polarizar al transistor NPN.

 Cada tecnología emplea técnicas diferentes para lograr este propósito.

 El IGBT tiene dos estados de funcionamiento estables que son el de saturación y el de corte.

 Para mantener el IGBT en conducción se mantiene la tensión puerta‐ emisor (VGE) por encima de la tensión umbral de
puerta VGE(th) (Gate Threshold Voltage), valor cercano a los 5 V, (Figura 1.3.4.3.5).

 En conducción, el IGBT se comporta como un transistor bipolar con una tensión de saturación colector a emisor VCEsat
(Collector to Emitter Saturation Voltage), cuyo valor es función de VGE, la corriente de colector (IC) y la temperatura.

 El IGBT se encuentra en corte cuando, una vez terminado el proceso de apagado, la tensión VGE se mantiene por
debajo de la tensión umbral.

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Figura 1.3.4.3.5. características de conducción del IGBT de Fairchild® FGA20N120FTD (1200 V, 20 A).

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Figura 1.3.4.3.6. a). Ejemplo de estructura del IGBT.

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Figura 1.3.4.3.6. b) Circuito equivalente completo del IGBT. c).

Circuito equivalente simplificado del IGBT.

81

Figura 1.3.4.3.7. a). Curvas características del IGBT. b). Curva del
VGE vs iC del IGBT.

Figura 1.3.4.3.8. Circuito básico para un IGBT.

82

41
 23/11/2023

83

 La máxima tensión que soporta un IGBT se denomina tensión de ruptura colector-emisor BVCES
(Collector to Emitter Breakdown Voltage).

 Se mide entre las terminales de colector y emisor con la compuerta en cortocircuito con el
emisor.

 Actualmente, hay IGBT disponibles comercialmente que soportan hasta 6.5 kV (MIO 600-
65E11), (Figura 1.3.4.3.9).

 Las características de transferencia del IGBT y del MOSFET son similares.

84

42
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 El IGBT está cortado si la tensión entre compuerta-emisor está por debajo de la tensión umbral.

 Para tensiones de compuerta mayores que la tensión umbral, la curva de transferencia es lineal
sobre la mayor parte de la gama de corriente de colector.

 La tensión compuerta-emisor cuando el colector está en cortocircuito a emisor (VGES) es un

parámetro que determina la tensión máxima admisible de la compuerta-emisor.

 Esta tensión está limitada por el espesor y las características del óxido de compuerta.

85

Figura 1.3.4.3.9. característica de salida y de transferencia para el IGBT de

Fairchild® FGA20N120FTD (1200 V, 20 A).

86

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 Debido a que estos dispositivos trabajan en conmutación es importante tener en cuenta el comportamiento dinámico, para
ello, es importante considerar en el diseño un circuito equivalente que tiene en cuenta las capacidades parásitas que afectan
la respuesta en conmutación, (Figura 1.3.4.3.10).

Cies (Capacitancia de entrada)

 Es la capacitancia de entrada medida entre las terminales de compuerta y el emisor con el colector en cortocircuito con el
emisor.

 Cies se compone de la capacitancia entre la compuerta y colector (CGC) en paralelo con la capacitancia entre puerta de y el
emisor (CGE):

Cies = CGC + CGE

 Como esta capacidad de entrada debe cargarse antes de que el dispositivo comience a conducir y descargarse antes de que el
dispositivo comience a bloquearse Cies tienen una relación directa con los tiempos de retardo en el encendido y apagado.

87

Coes (Capacitancia de salida)

 Es la capacitancia de salida medida entre los terminales de

colector y emisor con la compuerta en cortocircuito con el emisor.

 Coes se compone de la capacitancia entre colector y emisor (CCE) en

paralelo con la capacitancia entre la puerta y colector (CGC).

Coes = CCE + CGC

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Cres (Capacitancia de transferencia inversa)

Es la capacidad medida entre el colector y puerta con el emisor conectado

a tierra. Es igual a la capacitancia entre puerta y colector.

Cres = CGC

La capacitancia Cres a menudo se refiere como la capacitancia Miller y es

uno de los parámetros principales que afectan los tiempos de subida y de
bajada durante la conmutación (Figura 1.3.4.3.11).

89

Figura 1.3.4.3.10. Circuito equivalente de un

IGBT que tiene en cuenta las capacidades
parásitas que afectan la respuesta en
conmutación.

90

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Figura 1.3.4.3.11. Valor de las capacitancias Cies, Coes, Cres parásitas del IGBT FGA20N120FTD.

91

Figura 1.3.4.3.12. Encapsulados de IGBT (discretos y en arreglo).

92

46
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 Los IGBT suelen conectarse en paralelo.

 Esta conexión permite aumentar la potencia a entregar a la carga.

 La implementación en paralelo de IGBT debe asegurar un reparto

equilibrado de la corriente y de las temperaturas en los dispositivos.

 Los IGBTs comerciales se encuentran como dispositivos discretos e

integrados en bloque (Figura 1.3.4.3.12).

93

IGBT.‐ Características

La densidad de potencia es aprovechada del

BJT, ya que ésta es más alta que la de un
MOSFET.
El control del componente es por la aplicación
de una polarización entre puerta y emisor.
El accionamiento o disparo se hace por
tensión.

Figura 1.3.4.3.13. Símbolo IGBT.

94

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IGBT

Figura 1.3.4.3.14. Equivalentes y estructura de un IGBT.

95

Figura 1.3.4.3.15. Curvas características del IGBT. a). Vc vs IC b). VG vs IC.

96

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IGBT.‐ Características

El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT

La velocidad de conmutación del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V,

con un control sencillo de tensión de compuerta.

97

IGBT.‐ Curva I‐V

No presenta
Alta impedancia Bajas pérdidas ningún problema
de entrada de conducción de ruptura
secundaria

Figura 1.3.4.3.16. Curva I‐V de un IGBT.

98

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Aplicaciones

99

Inversor Monofásico

Figura 1.3.4.3.17. a). Inversor monofásico a base de IGBTs. b). Voltajes en los puntos a y b del inversor y
voltaje Vab

100

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Simulación de un Convertidor CD /CA

Figura 1.3.4.3.18. Simulación en Simulink de un

inversor monofásico de onda completa.

101

Figura 1.3.4.3.19. Corriente y voltaje de salida del inversor a diferentes frecuencias de conmutación.

102

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Figura 1.3.4.3.19. Tabla comparativa entre los 3 tipos de transisrores

103

1.3.4.4. Dispositivos y
circuitos emergentes

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SIT
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia.

En esencia, es la versión del tubo de vacío triodo, en estado sólido, y

se parece a un transistor de unión de efecto de campo (JFET, por sus
siglas en inglés junction field-effect transistor).

Tiene posibilidades de poco ruido, poca distorsión y alta potencia en

alta audiofrecuencia.

Los tiempos de cerrado y abertura son muy cortos, de unos 20µs.

105

SIT
La característica de cerrado normal y el alto límite de caída en estado
cerrado limita sus aplicaciones para conversiones generales de potencia.

La capacidad de corriente de los SIT puede ser hasta de 1200V, 300A, Y

la velocidad de conmutación puede ser hasta de 100kHz.

Los SIT son más adecuados para aplicaciones de gran potencia en alta
frecuencia (por ejemplo, amplificadores de audio, VHF/UHF (muy alta
frecuencia/ultra alta frecuencia) y de microondas.

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POWER MODULES
To facilitate the design and simplify the physical layout of power electronic converters, manufacturers of
semiconductor devices offer a variety of power modules.

A power module is a set of semiconductor power switches interconnected into a specific topology and
enclosed in a single case, (Figure 2.22d).

Most popular topologies are the single and three-phase bridges, or their sub-circuits.

Power modules may also contain several switches of the same type connected in series, parallel, or series-
parallel, to increase the overall voltage and/or current ratings.

108

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POWER MODULES
The series connections of the devices (Figures 1.3.4.4.1a–1.3.4.4.1c) are used in
rectifiers, while the antiparallel connection of two SCRs in (Figure 2.23d), can
form a part of an ac voltage controller or a static ac switch.

A six-pulse (or two-pulse) diode rectifier module (Figure 1.3.4.4.1e, and Figure
1.3.4.4.1f) depicts a single-phase rectifier bridge for dc motor control.

The two diodes on the left-hand side form an additional rectifier, which allow
producing a dc current for the field winding of the motor.

109

Figura 1.3.4.4.1. Diode and SCR modules: (a) two power diodes, (b) power diode and SCR, (c) two SCRs, (d) antiparallel connection of two SCRs (BCT), (e)
diode rectifier, (f) controlled rectifier for dc motor control.

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The two‐transistor Darlington cascade is used in modules (Figure 1.3.4.4.2.), showing a dual‐switch
module, quad‐switch module, and six‐switch module.

Each BJT is equipped with a parallel freewheeling diode, while the resistor‐diode circuits connected
between the emitter and base of each composite Darlington transistor help to reduce the leakage
current and speed up the turn‐off.

The quad‐switch bridge topology can serve, depending on the control algorithm, as a four‐quadrant
chopper or a single‐phase voltage‐source inverter.

The six‐switch bridge configuration constitutes a three‐phase voltage‐source inverter.

111

Figure 1.3.4.4.2. Power BJT (Darlington) modules: (a) dual switch, (b) quad switch, (c) six switch.

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 However, the more devices are crammed together in a single module, the less heat per device
can safely be dissipated, and the lower the current ratings are.

 Hence the need for the dual‐switch module, which can be used as a building block of either of
the bridge topologies if the required load current is too high for the available quad‐switch or
six‐switch modules.

 A dual power MOSFET module (Figure 1.3.4.4.3a) and a six‐switch module (Figure 1.3.4.4.3b).

 Quad‐switch circuit with a front‐end diode rectifier to be supplied from (Figure 1.3.4.4.3c).

113

Figure 1.3.4.4.3. Power MOSFET modules: (a) dual switch, (b) six switch, (c) quad
switch with diode rectifier, (d) four‐transistor switch.

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 A single‐switch module in which, to increase the overall current rating, four power MOSFETs
are connected in parallel and simultaneously controlled using a single gate (Figure 1.3.4.4.3d).

 The resistors connected to each internal gate of the four transistors equalize the voltage
signals applied to the individual MOSFETs.

 Topologies of IGBT modules analogous to those of the BJT (Figure 1.3.4.4.2.) are shown in
Figure 1.3.4.4.4.

 A part of an IGBT chopper, specifically the “high‐end” (connected to plus of the source) (Figure
1.3.4.4.5a), while the “low‐end” part (connected to minus of the source) (Figure 1.3.4.4.5b).

115

(c)Figure 1.3.4.4.4. IGBT modules: (a) dual switch, (b) quad switch, (c) six switch.

116

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 A single leg of a three‐level diode‐clamped IGBT inverter appears in Figure 1.3.4.4.5c.

 Finally, an arrangement of 7 IGBTs and 13 diodes constituting the power circuit of a three‐phase, ac‐
to‐dc‐to‐ac converter, a frequency changer, (Figure 1.3.4.4.6).

 Not shown are the required external resistive and capacitive components, too large to incorporate
into the module.

 The described power modules contain power circuits only.

 Control of the switches require additional external components.

117

Figure 1.3.4.4.5. IGBT modules: (a) high end of chopper, (b) low
end of chopper, (c) leg of a three‐level diode‐clamped inverter.

118

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To facilitate the construction of power electronic converters, the so‐called intelligent power
modules (IPMs) have been introduced by several manufacturers.

In IPMs, power components are accompanied by protection circuits and gate drives.

This is not an easy task, as the delicate digital devices must co‐exist with the high‐voltage and
high‐current semiconductor power switches.

The example topologies described represent only a tip of an iceberg of the great variety of
modular circuits available on the market of power electronic devices.

119

Figure 1.3.4.4.6. IGBT‐based modular frequency changer.

120

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1.3.4.5 COMPARACIÓN DE
INTERRUPTORES CONTROLABLES

Sólo se pueden hacer pocas declaraciones definitivas al comparar estos dispositivos, pues se
debe tomar en cuenta un número de propiedades en forma simultánea y porque los dispositivos
aún se están desarrollando a pasos rápidos.

121

COMPARISON OF SEMICONDUCTOR
POWER SWITCHES
Designers of modern power electronic converters have the choice of many types of
semiconductor power switches.

The variety of available devices allows optimal selection of switches for a given converter.

As each switch type has its advantages and disadvantages, it would be difficult to unequivocally
judge one of them as generally better than the others.

A hypothetical perfect switch that can be used as a reference in evaluating real devices would
have the following characteristics:

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(1) High‐rated voltage and current, allowing application of single switches in high‐power
converters.

(2) Low, possibly zero, leakage current in off‐state and voltage drop across the switch in on‐state.
These would result in the minimum conduction and off‐state power losses in the switch.

(3) Short turn‐on and turn‐off times, allowing the device to be switched with high frequencies
and minimum switching losses.

(4) Low power requirements to turn the switch on and off.

This would simplify the design of control circuits and improve the efficiency and reliability of
the whole converter.

123

(5) Negative temperature coefficient of the conducted current, to

result in the equal current sharing by paralleled devices.

(6) Large allowable dv/dt and di/dt values, limiting the need for
snubbers for protection of the switch from failures and
structural damage.

(7) Low price—an important consideration in today’s highly

competitive field of commercial power electronics.

124

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o Finally, it is desirable for semiconductor power switches to have large safe operating areas (SOA),
both the forward‐bias and reverse‐bias ones.

o The concept of SOAs, omitted for conciseness from the description of individual types of switches,
requires some elaboration.

o Notice that the voltage–current characteristics for BJT, MOSFET (Figure 1.3.4.5.1) and IGBT do not
extend uniformly over the whole range of the voltage.

o The hyperbolical envelope of these characteristics results from the fact that the amount of heat
generated in the device is proportional to the power loss, that is, the voltage–current product.

125

Figure 1.3.4.5.1. Voltage–current characteristics of the power MOSFET.

126

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o For this product to be constant and equal to the maximum allowable value, the current must
be inversely proportional to the voltage.

o This yields a hyperbolical limit on the allowable steady‐state operating points in the voltage–
current coordinates.

o When a switch turns on or off, the instantaneous operating points can fall far beyond that
limit.

o Barring a significant overvoltage, this is not necessarily dangerous for the switch since the
turn‐on and turn‐off may be too short for an excessive temperature buildup.

127

 A typical SOA for a power MOSFET (Figure 1.3.4.5.2) is drawn in the logarithmic scale to replace hyperbolical
borderlines with linear ones.

 The sloped line on the left‐hand side results from the on‐state resistance of the MOSFET, which determines the
voltage drop across the device for a given drain current.

 The three sloped lines on the right‐hand side are the SOA limits for current pulses of the indicated durations.

 A forward‐bias SOA corresponds to the situation when the gate‐source voltage is positive, as during turn‐on.

 If that voltage is negative, as for turn‐off, the respective SOA is called a reverse‐bias SOA.

128

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Figure 1.3.4.5.2. Safe operating area of power MOSFET.

129

 Both of them are identical for the power MOSFET, but it is not necessarily so for the other fully controlled
switches.

 Similarly, to high dv/dt and di/dt ratings, a robust SOA reduces the need for external protection circuits.

 The most powerful semiconductor switches tend to be slow, while the high‐frequency switches have lower
power handling capabilities.

 Progressing from the slow high‐power SCRs and GTOs through IGCTs, BJTs, and IGBTs, to the fast but relatively
low‐power MOSFETs, the best balance between the voltage–current ratings and high‐frequency switching
ability is stricken by the IGBT.

 The IGBT, although not free from certain weaknesses, such as relatively high conduction losses, seems to be
closest to the perfection expressed by the presented wish list of properties.

130

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 The future of inverter‐grade SCRs looks bleak, although the slower, phase‐control SCRs still
constitute the best choice for phase‐controlled rectifiers and ac voltage controllers.

 BJTs are gradually phased out by the hybrid‐technology devices.

 In conclusion, it is worth mentioning that the variety of the existing semiconductor power
switches are by no means limited to those presented in this chapter.

 Besides the popular switches described, there is another batch of other, less common devices,
such as, for instance, MOS‐controlled thyristors (MCTs), static induction transistors (SITs), or
static induction thyristors (SITHs).

131

 Basic properties and maximum ratings of most common semiconductor power switches are
summarized in Table 1.3.4.5.1.

 Most often, switches with the highest rated voltage offered by the manufacturers have only a
medium rated current, and viceversa.

 The values provided are typical, but is possible to find devices, usually special‐purpose ones,
whose ratings are even higher.

 For example, ABB lists on its website welding diodes, whose rated current exceeds 13.5 kA.

132

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Table 1.3.4.5.1. Properties and Maximum Ratings of Semiconductor Power

Switches

133

 Figures 1.3.4.5.3. and 1.3.4.5.4. show an assortment of semiconductor

power switches in their typical housings.

 It can be seen that the switches with highest voltage and current ratings,
such as power diodes, SCRs, and GTOs use exclusively the disc case,
epoxy or ceramic, whose shape allows sandwiching the switch between
two heat sinks.

 The distinct form of the IGCT allows fast injection of the large turn‐off
current to the gate area. Smaller switches are packaged in a variety of
cases.

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Figure 1.3.4.5.3. Semiconductor power switches I: (a) stud diode, (b) disc diodes, (c) disc SCRs, Figure 1.3.4.5.4. Semiconductor power switches II: (a) IGCT, (b) BJT or MOSFET, (c) IGBTs,
(d) disc GTOs. (Courtesy of ABB) (d) IGBTs, MOSFETs, or power modules. (Courtesy of ABB)

135

Transistores bipolares de potencia

Regiones de operación de los

semiconductors de potencia

A. voltaje VS frecuencia

B. corriente VS frecuencia Figura 1.3.4.5.5. Gráficas de voltaje y corriente contra

frecuencia de conmutación para dispositivos semiconductores
de potencia.

136

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Comparación de los dispositivos de

potencia

Tabla 1.3.4.5.2. Tabla comparativa de dispositivos semiconductores de potencia.

137

Dispositivos Semiconductores de
Potencia

Figura 1.3.4.5.6. a). Símbolos de los Dispositivos Semiconductores de

potencia y b). Gráfica de frecuencia de conmutación vs potencia.

138

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Potencia VS frecuencia para diferentes

dispositivos

Figura 1.3.4.5.7. Potencia vs frecuencia para diferentes dispositivos

139

Aplicaciones de los dispositivos

Semiconductores de potencia

Figura 1.3.4.5.8. Aplicaciones de los dispositivos Semiconductores de

potencia de acuerdo a la capacidad de corriente y voltaje de bloqueo.

140

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Figura 1.3.4.5.9. Aplicaciones de los dispositivos Semiconductores de

potencia de acuerdo a la densidad de potencia y frecuencia de operación.

141

Resumen

142

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Resumen
 Power electronic converters are based on semiconductor power switches that operate in two
states only: the on‐state and the off‐state.

 In the on‐state, the voltage drop across a switch is low, resulting in low conduction losses.

 In the off‐state, the current through a switch is practically zero, so almost no losses are
produced.

 However, during transitions from one state to another, switching losses are generated, because
for a short time both the transient voltage and current are substantial.

143

Resumen
 Each switching is thus associated with energy loss, and the more switchings per second are
executed, that is, the higher the switching frequency is, the higher the power loss becomes.

 Semiconductor power switches can be classified as uncontrolled, semi‐controlled, and fully

controlled.

 Power diodes are uncontrolled switches, which start conducting when forward biased, and cease to
conduct when the current changes its polarity.

 SCRs, triacs, and BCTs are semi‐controlled switches that can be triggered into con‐duction (“fired”)
when forward biased.

144

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Resumen
 Once fired, the devices cannot be extinguished by a control signal.

 Most common fully controlled switches are GTOs, IGCTs, power BJTs, power MOSFETs, and
IGBTs.

 The GTO and IGCT can be fired in the same way as the SCR, but they can be extinguished by a
strong negative gate current pulse.

 The current in the BJT, MOSFET, and IGBT can be linearly controlled, but to minimize losses
they are operated, like all switches, in the on–off regime only.

145

Resumen
 BJTs are current controlled, while power MOSFETs and IGBTs are voltage controlled, thus
requiring a negligible amount of gate power.

 Except for triacs and BCTs, all semiconductor power switches can conduct current in one
direction only.

 However, not all switches can block voltages of both the forward and reverse polarities.

 The symmetric blocking capability is typical for SCRs, triacs, and BCTs, some GTOs and IGCTs,
and nonpunch‐through IGBTs.

146

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Resumen
 The other devices may not be subjected to a reverse voltage unless a series‐connected diode is
employed to block that voltage.

 Catalogs and data sheets provide information on semiconductor power switches in the form of
restrictive and descriptive parameters, characteristics, and SOAs.

 Those data, especially the rated voltage and current, help to select the most appropriate devices for
a given application.

 SCRs, GTOs, and IGCTs are the largest and slowest switches, while power MOSFETs are the smallest
and fastest.

147

Resumen
 Each type has its advantages and disadvantages, but the IGBTs dominate the field of the most
common, low‐ and medium‐power converters.

 Power semiconductor industry also offers a wide choice of power modules, which, in a single case,
combine several switches in a variety of circuit configurations.

 More advanced solutions, the IPMs, also contain digital components for control and protection of
the constituent power switches.

 WBG semiconductors, such as silicon carbide, now mostly in advanced develop‐ment stages, offer
significant advantages over the existing silicon‐based technology of power switches.

 The superior operating characteristics include very high voltages, operating temperatures, and
frequencies, as well as greatly reduced energy losses.

148

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La selección de un dispositivo de potencia para

una determinada aplicación no sólo depende de
los niveles de corriente y tensión requeridos, sino
también de sus características de conmutación.

Conclusiones Los transistores y los GTO proporcionan control

de activación y desactivación

Los SCR proporcionan el control de activación

pero no de desactivación

149

Las velocidades de conmutación y las pérdidas de

potencia asociadas son dos factores muy importantes en
los circuitos electrónicos de potencia

Conclusiones El BJT es un dispositivo de portadores minoritarios

El MOSFET es un dispositivo de portadores mayoritarios

que no sufre retrasos de almacenamiento de portadores
minoritarios, lo que supone una ventaja del MOSFET en
cuanto a velocidades de conmutación

150

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Los tiempos de conmutación

del BJT son mayores que los
del MOSFET.
Conclusiones

El MOSFET tiene menores

pérdidas de conmutación.

151

Referencias
[1] Dr. Ing. Paola Vega C. http://ie.itcr.ac.cr/pvega/elementoss

[2] Rashid Muhammad H. Electrónica de Potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones. Prentice Hall, 3ra
edition, 2004.

[3] Ned Mohan, Tore M. Undeland, and William P. Robbins. Electrónica de Potencia, Convertidores,
aplicaciones y diseño. Mc Graw Hill, México, 3ra edition.

[4] Universidad Oviedo. http://www.ate.uniovi.es/ribas/docencia04‐05/electronicade‐potencia‐

12750/presentaciones/leccion17‐mosfet.pdf, 2009.

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[5] Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Circuitos Microelectrónicos. Oxford, México, 4a edition, 1998.

[6] Electrónica Básica para Ingenieros Ruiz Robredo, Gustavo A.

[7] El Tiristor. Universidad de Jaén. Escuela Politécnica Superior

Aguilar Peña, Juan Domingo

[8] http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm

153

[9] http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/electronica/opteca/
OPTOPDF2_archivos/UNIDAD2TEMA5.PDF

[10] http://www.docstoc.com/docs/108817084/Tiristor‐MCT

[11] S. Bacha, I. Munteanu, A. I. Bratcu (2014) Power Electronic Converters Modeling and Control, Springer.

[12] Andrzej M. Trzynadlowski (2016) Introduction to Modern Power Electronics (3th Edition). John Wiley & Sons,
Inc.

[13] B. Jayant, Advanced Power Rectifier Concepts. Springer. 352 pp.

154

77