ACTIVIDAD EN CLASE

JESUS DAVID PERDOMO BENAVIDES

NUMERO DE FICHA: 2066866

Servicio Nacional de Aprendizaje – SENA

Ibagué -Tolima

2021

1:
- ¿Qué es un Tiristor?

R/ El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrónicos constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o
como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac o DIAC). Se
emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

- ¿Qué significan las siglas GTO?, por favor describir el significado de las siglas en español e
inglés.

R/ Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de
electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la
terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al
aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado
de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).

- Describir de manera gráfica el símbolo que representa el componente electrónico GTO;

estructura externa.

R/

- Describir de manera gráfica el símbolo que representa el componente electrónico GTO;

estructura interna.
R/

- Describa de manera textual el principio de funcionamiento del componente electrónico

GTO.

R/ Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se

operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado
conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas características y
limitaciones.

- Nombre las características del GTO, Mínimo 3 de ellas que sean fundamentales para
identificar su forma de funcionamiento.

R/ La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de

silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y puerta
(G). La diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta (G) puede
apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA
leak) existe

- Describa de manera textual las aplicaciones que tiene el componente en la industria,

realice una lista de mínimo 5 y describa de manera textual o gráfica 3 de esas aplicaciones.
R/

-APLICACIONES

 Trocadores y convertidores.
 Control de motores asíncronos.
 Inversores.
 Caldeo inductivo.
 Rectificadores.

Actividad 2:

Por medio de las fuentes de consulta digitales resuelva el siguiente taller en el Documento de
Respuesta

2:

- ¿Qué significan las siglas IGBT?, por favor describir el significado de las siglas en español e
inglés.

R/ El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés

Insulated Gate Bipolar Transistor)

- Describir de manera gráfica el símbolo que representa el componente electrónico IGBT;

estructura externa, Como BJT, Como MOSFET.

R/

-
Describir de manera gráfica el símbolo que
representa el componente electrónico IGBT; estructura interna.
R/

Describa de manera textual el principio de

funcionamiento del componente electrónico IGBT.

R/ Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde
el valor de bloqueo hasta cero. ... EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el
estado de cambio de encendido a apagado y viceversa.

- Describa de manera textual y nombre como mínimo 3 características relevantes del IGBT
que caracterice su funcionamiento.

R/

-El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que
son controlados por un metal-óxido-semiconductor 

- Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. 
-Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero.
- Describa de manera textual las aplicaciones que tiene el componente en la industria,
realice una lista de mínimo 3 y describa de manera textual o gráfica 1 de esas aplicaciones.

R/  

-IGBT en un variador de frecuencia

-Como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia.
-Control de la tracción de motores

Actividad 3:

- ¿Qué significan las siglas MOSFET?, por favor describir el significado de las siglas en Español
e Inglés.
R/ El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 

- Describir de manera gráfica el símbolo que representa el componente electrónico MOSFET;

estructura externa.

R/

- Describir de manera gráfica el símbolo que representa el componente electrónico MOSFET;

estructura interna (Tipo N – Tipo P).

R/

- Describa de manera textual el principio de funcionamiento del componente electrónico

MOSFET.

R/ Una sencilla y práctica explicación del funcionamiento de un

transistor MOSFET puede resumirse en qué; al aplicar una determinada tensión
(positiva respecto a GND) sobre la Puerta o Gate, dentro del transistor, se genera un
campo eléctrico que permite la circulación de corriente entre el terminal Drenador y el
terminal

- Describa de manera textual los modos de operación del componente electrónico MOSFET,
involucre las ecuaciones asociadas a cada modo de operación.

R/

MOSFET COMO INVERSOR

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación implica que la tensión de
entrada y salida del circuito posee una excursión de tensión, elevada (de 0 a VDD) entre
los niveles lógicos alto H (asociada a la tensión V DD) y bajo L (asociada a la tensión 0).
Para el nivel bajo, se persigue que VGS > V y que el transistor se encuentre trabajando
en la región óhmica, con lo cual VDS << 1.

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR

Sabemos que, si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la Fuente es menor que
la tensión umbral, VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los terminales de
Fuente y Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo,
cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor entra en conducción.

POLARIZACIÓN DE MOSFET.
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos es el
hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de V para canal n y valor negativo de V para el canal
p.

REALIMENTACIÓN, CIRCUITO DE POLARIZACIÓN.

VD=VG
y VDS=VGS=> Vs=0 [1]

Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,

VDD-IDxRD-VDS=0
siVDS=VDD-IdxRd [2]
oVGS=VDD-IDxRD;siVDS
=VGS [3]

- Describa de manera textual las aplicaciones del MOSFET, Nombre como mínimo 3 de ellas y
describa el funcionamiento de una de las aplicaciones nombradas.

R/
  Resistencia controlada por tensión.
 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Circuitos de conmutación de potencia

Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica de un tipo en otro
mediante la utilización de diferentes dispositivos electrónicos semiconductores
actuando como interruptores, para controlar o modificar una tensión o una corriente.

Nombre del símbolo función aplicación

componente
Un transistor IGBT
responde rápidamente a
los cambios de señal
(menores a 1 us),
IGBT reduciendo los niveles
audibles en el motor AC
mientras se está
controlando el torque y la
velocidad. Y, su gran
frecuencia de
conmutación (frecuencia
portadora) provee un
control de corriente de
gran respuesta dinámica.
es un dispositivo de
electrónica de potencia
que puede ser encendido
GTO por un solo pulso de
corriente positiva en la
terminal puerta o gate
(G), al igual que el tiristor
normal; pero en cambio
puede ser apagado al
aplicar un pulso de
corriente.
El transistor IGBT es adecuado
para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz
y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones. Es
usado en aplicaciones de altas
y medias energía como fuente
conmutada, control de la
tracción en motores y cocina
de inducción.
Principales aplicaciones en la
industria:
 Troceadores y
convertidores
 Control de motores
asíncronos
 Inversores
 Caldeo inductivo
 Rectificadores
 Soldadura al arco
 Sistema de
alimentación
ininterrumpida (SAI)
 Control de motores
 Tracción eléctrica
 controla el paso de la
corriente entre una
entrada o terminal
llamado fuente sumidero
(source) y una salida o
terminal llamado
MOSFET drenador (drain),
mediante la aplicación de
una tensión (con un valor
mínimo llamada tensión
umbral) en el terminal
llamado puerta (gate). Es
un interruptor controlado
por tensión.
Cambiar
Una consecuencia directa del
trabajo MOSFET conduce a Su
uso como interruptor. Un
MOSFET de canal n puede
actuar como un circuito de
conmutación cuando opera en
regiones de corte y saturación.
Esto se debe a que el MOSFET
estará ENCENDIDO cuando la
VGS el voltaje es positivo, lo
que hace que el MOSFET se
comporte como un
cortocircuito.

Actividad 5:

Realice un diagrama de proceso de la secuencia de actividades que se deben realizar para

probar el transistor. Describa en el diagrama que actividad se realiza y que resultado se debe
obtener. Si considera necesario utilizar dibujos o gráficos.

R/

El hombre quiere probar (4 transistores mosfet modelo IRF730).

Para la medición de un transistor mosfet se puede utilizar el

multímetro es muy importante si se tiene una manilla antiestática ya que podemos tener
electricidad estática que se haya acumulado en nuestro cuerpo y podría ser peligroso para el
transistor según lo relatado por el hombre

PROCEDIMIENTO:

El hombre empieza colocando su multímetro en la función de diodos y luego coloca la punta

de prueba negra (-) del multímetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal
Source. 

(Antes de empezar el procura siempre cortocircuitar el transistor desde la pata gate y la pata
dos drain para asegurarse que no tenga ninguna carga residual en el transistor o esté en
modo de disparo)

Resultado de la prueba: Según el hombre se debe obtener una medida de entre 430 mV a 580
mV o similar Sino se obtiene ninguna lectura, el FET está en circuito abierto. Si la lectura es
baja, el FET está en cortocircuito. Las medidas obtenidas de su medida fueron de 538 ohms.
Luego invierte las puntas para que transistor dispare (la punta roja en drain y la punta negra en
source) y no hay lectura en el multímetro.

Ahora el transistor esta cargando lo cual está listo para el disparo, el hombre ahora pone la
punta negativa en la pata gain y la positiva en drain y obtiene un lectura baja luego invierte la
polaridad en ambas puntas gate y drain se obtiene una lectura de mas de 800 ohms lo cual el
hombre dice estar bien pues esa lectura nos indica que el transistor ha disparado, y para
terminar el hombre comprueba si este disparo esta correcto pone la punta negativa en la pata
dos que es drain para realizar un cortocircuito y resetear el transistor y comprobar de nuevo
que este cargando el transistor para percatarse que el transistor funciona perfectamente

Actividad 4:

Con base al video anterior resuelva las siguientes preguntas:

- ¿Cuantos pines tiene el IGBT que prueban en el video? y ¿cuáles son sus nombres?

R/ Tienen 3 pines sus nombres son RJP30E2, RJP32 Y RJH32

- ¿Cómo se debe conectar el multímetro para medir entre el colector y el emisor para
comprobar el estado del componente? y ¿Qué resultado debo obtener con dicha medición?
Realice un gráfico y su correspondiente explicación.

R/ Se pone en función de diodos esta medición es similar a los mosfet (se debe obtener una
medida de 550 mV)

- ¿Qué sucede si con la punta positiva del multímetro se toca el pin “Gate” del IGBT y luego
pasarla de nuevo al emisor?, ¿a qué se debe esa respuesta?

R/ Si se toca este pin con la punta positiva del multímetro y luego se pasa esta misma punta al
emisor existira continuidad en el transistor y será registrado en el multímetro

- ¿Qué se debe hacer para que deje de dar continuidad entre el colector y el emisor?

R/ Con una pequeña carga (con el dedo) se toca el pin gate y dejara de existir esta continuidad
en el transistor ya que este es bastante sensible

- ¿Qué respuesta debo obtener con el multímetro al medir un IGBT que se encuentre
dañado?

R/ La alarma de polaridad en el multímetro ya que si existe continuidad al cargar de nuevo el

transistor y marque una lectura al descargar o resetear el transistor estará averiado y no
marcara nada en el multímetro

- Describa textualmente, ¿cuál es la prueba fehaciente para comprobar realmente que el

IGBT se encuentra en perfecto estado?

R/ Para estar totalmente seguro del funcionamiento del transistor se debe realizar una prueba
dinámica ya que el multímetro nada más le brinda 2.6 voltios para la prueba al transistor
cuando a la manera de trabajo el transistor trabaja a tensiones y frecuencias bastante altas
Actividad 6:

- Realice la simulación del circuito anterior en Proteus

- Realice un listado de los componentes del circuito y describa brevemente el funcionamiento

de cada uno de ellos.

R/
OPTOACOPLADOR

RESISTENCIAS

TRANSISTOR MOSFET

BOTON

2 FUENTES DC

2 TIERRA

1 LAMPARA

- Describa el funcionamiento general del circuito completo.

R/ El funcionamiento consiste en encender y apagar la lampara a través del pulsador

conmutando en el transistor para el funcionamiento del circuito

- Describa que función está realizando el MOSFET, es decir, que labor está cumpliendo.

R/ El mosfet esta funcionando como un interruptor en el circuito El voltaje de entrada de la

compuerta V GS se lleva a un nivel de voltaje positivo apropiado para encender el dispositivo y,
por lo tanto, la carga de la lámpara se enciende o en un nivel de voltaje cero que apaga la
misma
Actividad 7:

Con base al diagrama esquemático que se muestra a continuación realice las siguientes
actividades:

- Realice la simulación del circuito anterior en Proteus

- Describa el funcionamiento general del circuito completo.

El funcionamiento del circuito es que cuando se empieza a simular hasta no oprimir el pulsador
no se apagara la lampara pues el transistor conmuta hasta encender la bombilla por su
compuerta

- Describa que función está realizando el IGBT, es decir, que labor está cumpliendo.

Este funciona igual que un interruptor pues necesita un debido voltaje y hasta cargarse hace
paso de corriente hasta la bombilla