Lección 5

OTROS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Sistemas Electrónicos de Alimentación 5º Curso. Ingeniería de Telecomunicación

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los años 80 Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por corriente

C

EL IGBT DE POTENCIA

MOSFET

Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutación (Bipolar) No tiene diodo parásito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V

EL IGBT DE POTENCIA

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: • Bajo ciclo de trabajo • Baja frecuencia (< 20 kHz) • Aplicaciones de alta tensión (>1000 V) • Alta potencia (>5 kW) Aplicaciones típicas del IGBT EL IGBT DE POTENCIA • Control de motores • Sistemas de alimentación ininterrumpida • Sistemas de soldadura • Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia .

menor caída de tensión Conduce más corriente Se calienta más Esto es un problema para paralelizar IGBTs .Gran capacidad de manejo de corriente Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor El IGBT tiene menor caída de tensión Menores pérdidas en conducción Problema: EL IGBT DE POTENCIA Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura.

Encapsulados de IGBT Módulos de potencia TO 220 TO 247 MTP EL IGBT DE POTENCIA .

Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET • Tensión de ruptura • Corriente máxima • Tensión colector-emisor en saturación EL IGBT DE POTENCIA Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensión 250 V 300 V (Poco usuales) Alta tensión 600 V 900 V 1200 V .

el encapsulado incorpora internamente un diodo G E .Características básicas EL IGBT DE POTENCIA C En ocasiones.

Características eléctricas Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares) Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS) Características térmicas EL IGBT DE POTENCIA .

Características dinámicas Circuito equivalente del IGBT La base del bipolar no del accesible La circuitería exterior no puede solucionar el problema de la eliminación de los minoritarios de la base EL IGBT DE POTENCIA Esto da lugar a la llamada “cola de corriente” (current tail) Problema: aumento de pérdidas de conmutación Cola de corriente .

los tiempos de conmutación del IGBT no dan información sobre las pérdidas de conmutación Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente Este efecto es muy significativo en el conjunto de pérdidas Además.Características dinámicas Al contrario que en el MOSFET. el tiempo de caída de la tensión VCE no queda definido Este tiempo es muy importante para definir las pérdidas Se hace mediante gráficos que proporciona el fabricante EL IGBT DE POTENCIA .

Tipos de Tiristores SCR (Silicon Controlled Rectifier) A este dispositivo se le suele llamar Tiristor DIAC TRIAC GTO TIRISTORES .

SCR (Silicon Controlled Rectifier) Es uno de los semiconductores más antiguos 1957 General Electric Research Laboratories Tiene una enorme capacidad de manejar potencia Son muy robustos Seguirá teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia TIRISTORES Estructura de 4 capas .

SCR Característica V-I Puerta IA Ánodo A VAK Cátodo K IA Polarización directa: una vez disparado. conduce como un diodo Polarización directa: si no se ha disparado. no conduce VAK TIRISTORES Zona de transición Con polarización inversa se comporta como un diodo: no conduce El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero .

Encapsulados de SCR MAGN A PACK ADD A PACK PACE PACK TIRISTORES TO-200 .

Parámetros fundamentales para seleccionar un SCR • Tensión de ruptura • Corriente máxima • Velocidad de conmutación Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales TIRISTORES 400 V Alta tensión 800 V 1000 V 1200 V Soportan tensión directa (VDRM ) e inversa (VRRM ) .

se deben de cumplir dos condiciones: 1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor IG Zona de disparo seguro Ningún SCR se dispara TIRISTORES VGK No se garantiza el disparo .Características de disparo Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta Para que el disparo sea efectivo.

Características de disparo El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto de corte esté en la zona de disparo seguro Z1 V1 IG V1 / Z1 Zona de disparo seguro TIRISTORES V1 VGK .

el SCR sigue conduciendo aunque no tenga corriente en puerta .Características de disparo 2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente ánodo-cátodo sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento (Latching Current) IA Sigue conduciendo ILATCHING Se apaga IG TIRISTORES Una vez disparado.

se suele disparar los SCR con trenes de pulsos IG .Características de disparo Podríamos disparar el SCR con un pulso de corriente Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece rápidamente y se alcanza fácilmente la corriente de enclavamiento IA Z1 = R IA V1 IG IG Z1 Se apaga Z1 = Ls TIRISTORES Para evitar esto.

puede inducirse corriente en la puerta y entrar en conducción i VAK dVAK grande dt TIRISTORES .Características de disparo El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensión Si la tensión ánodo-cátodo cambia muy bruscamente.

el SCR se apaga de forma natural En realidad.Apagado del SCR Idealmente.ej 600mA) TIRISTORES . se apaga cuando la corriente baja hasta un cierto valor llamado Corriente de mantenimiento (holding current) IA Corriente de enclavamiento (p.ej 1 A) Corriente de mantenimiento (p. cuando la corriente que circula entre ánodo y cátodo llega a cero.

Apagado del SCR Hay dos tipos de apagado: • Apagado estático • Apagado dinámico IA IMANTENIM NTO IE El apagado estático se utiliza en aplicaciones VAK de red (50 Hz) El tiristor se apaga de forma natural TIRISTORES El apagado dinámico se utiliza en aplicaciones de frecuencia más elevada (1 .20 kHz) Se requiere un circuito externo para apagar el SCR de forma forzada IA µ s VAK .

Ejemplo de funcionamiento V1 Disparo R1 V1 VR VR VT TIRISTORES VT .

Conduce en ambos sentidos Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes T1 G T2 TIRISTORES Su uso es común en aplicaciones de “baja” potencia (pero relativamente alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentación) 200.50 A Especificaciones típicas . 800. 400.TRIAC Funciona como un tiristor Al dispararlo. 600. 1000 V 1. conduce hasta que la corriente pasa por cero Es bidireccional.

TRIAC Hay 4 posibilidades de funcionamiento No todas son igual de favorables T2 + IG T2 + IG T2 + IG T2 + IG T1 T1 T1 T1 IG > 35 mA 30 mA 40 mA 35 mA 30 mA 60 mA 70 mA 30 mA 60 mA 35 mA 30 mA 40 mA TIRISTORES IH < IL < IH Corriente de mantenimiento IL Corriente de enclavamiento .

TRIAC Ejemplo Nivel de comparación RL (Carga) C Comp. con Histéresis VG R VRL α : ángulo de disparo Controlando el ángulo de disparo se controla la potencia que se le da a RL A este tipo de control se le llama control de fase VCom p α TIRISTORES VG .

30 V 30 V VT12 TIRISTORES Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores .DIAC No es un interruptor Una vez disparado se comporta como un diodo Cuando su corriente pasa por cero. Es totalmente simétrico IT12 T1 T2 . se apaga Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC que suele ser de 30 V.

se dispara • Con corriente saliente por puerta. el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema • El GTO solventa ese inconveniente • Con corriente entrante por puerta.GTO K Gate Turn-Off Thirystor G A • En muchas aplicaciones. se apaga TIRISTORES • Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia • Es muy robusto .

la corriente de disparo es mayor. • Caída de tensión en conducción ligeramente superior al SCR TIRISTORES • Algo más rápido que un SCR . Por ejemplo.GTO • Soporta altas tensiones • Puede manejar corrientes elevadas • La caída de tensión en conducción es relativamente baja • El GTO es básicamente igual que un SCR • Se han modificado algunos parámetros constructivos para poder apagarlo por puerta • Se pierden algunas características (solución de compromiso).

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