IEGT, MCT y ETO. Comparación.

Autor: Alex Jara Salguero

MÁSTER EERR, CONTROL Y DISEÑO DE CONVERTIDORES ELÉCTRICOS
Escuela de Ingeniería y Arquitectura, Universidad de Zaragoza, 2018

Resumen-- En este artículo se presta especial atención

a los principales temas referidos a IGCT (que tienen una
conmutación con un pulso de corriente muy alta y muy
rápida), MTC (que se pueden encender y apagar con
pulsos de tensión, con una alta ganancia de apertura) y
ETO (dispositivo con dos gates: uno normal para
abertura y uno con serie de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) para
cerrar), todos estos desde lo básico de operación,
estructura, principio de funcionamiento y características
que diferencia el uno del otro. Los 3 dispositivos antes
mencionados se caracterizan por tener una mayor
corriente de turn-off que se requiere en la actualidad
para las diferentes aplicaciones.
I. INTRODUCCIÓN
D ESDE el principio, el desarrollo de los semiconductores
de potencia ha estado buscando el interruptor ideal.
Todavía en estos días, y gracias a la creciente
demandada de sistemas de electrónica de potencia para
diferentes aplicaciones (industria y tracción, generación,
transmisión y distribución, espacio, medicina, etc.), la
búsqueda del interruptor ideal continúa y continuará en el
futuro. Los esfuerzos de investigación y desarrollo se han
centrado para minimizar las pérdidas por conexión y estado,
con el objetivo de ampliar los semiconductores SOA (en
ambos direcciones, corriente y voltaje), operar a la
frecuencia de conmutación más alta posible, siendo estos
circuitos simples y eficientes, se busca también aumentar la
capacidad de disipación de potencia, fiabilidad y robustez de
los componentes, etc.
Fig. 1. Símbolo del IGCT
B. Principio de Funcionamiento
Este dispositivo tiene un diodo inverso integrado
indicado por la unión n+ n- p del lado derecho (Fig. 2). La
capa de acoplamiento n- distribuye el esfuerzo dieléctrico a
través de la capa n-, reduce el espesor de esa capa,
disminuye las perdidas por conducción en estado de
encendido. La capa p del ánodo se fabrica delgada y
ligeramente dopada, para permitir una remoción más rápida
de cargas del lado del ánodo durante el apagado.
Para el Encendido este dispositivo se enciende aplicando
la corriente de encendido a su compuerta.
En el Apagado el IGCT se apaga con una tarjeta de
circuito impreso multicapa de compuerta que aplica un
pulso de apagado de subida rápida. Con esta variación de la
corriente de compuerta, el transistor npn del lado del cátodo
se apaga en su totalidad en menos de aproximadamente de
1μs, y de hecho el transistor pnp del lado del ánodo se deja
con una base abierta y se apaga en forma casi inmediata.
Debido a la muy corta duración del pulso, se reduce mucho
la energía de encendido de compuerta y se reduce al mínimo
el consumo de la misma. Al aplicar una corriente de subida
rápida y alta corriente en la compuerta en el IGCT se trata
en especial de reducir en lo posible la inductancia del
circuito de la compuerta. Esta propiedad también es
necesaria en los circuitos de compuerta del MTO y del ETO.

II. TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA

(IGCT)

A. Estructura
El tiristor integrado de puerta conmutada (IGCT) es una
evolución del tiristor GTO y al igual que el tiristor GTO es
un control del interruptor de encendido, consiste en una
placa de compuerta integrada y un tiristor conmutado por
compuerta (GCT), además consta de un diodo antiparalelo
(Fig. 1) que se integra en el reverso conduciendo IGCT. Es Fig. 2. Corte transversal de un IGCT con diodo inverso
un semiconductor avanzado, es un conmutador para
C. Características
aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia por encima de
100 kW. Satisface las demandas conflictivas de alta (i) Baja Caída de Voltaje directo durante la
corriente, alta voltaje y apagado rápido a través de la conducción.
ingeniería de vida útil del operador. Un IGCT es un tipo (ii) Un tiempo de activación 0.4 μs y desactivación 1.25 μs.
especial de tiristor similar a una órbita de transferencia (iii) Bajas perdidas de conmutación.
geoestacionaria. Se pueden activar o desactivar por una (iv) Es un dispositivo asimétrico.
señal de puerta, tiene una menor pérdida de conducción y (v) Apagado rápido.
soportar mayores tasas de aumento de tensión (dv / dt). [1]
El tiristor controlado por puerta integrada (IGCT) es un
conmutador semiconductor de potencia diseñado para su
uso en aplicaciones de electrónica de potencia de la máxima
capacidad. Gracias al diseño heredado del tiristor, puede
conmutar grandes cantidades de energía eléctrica en un solo
componente. Esta capacidad permite que el IGCT se use en
motores de media tensión, interconexiones de redes
eléctricas, compensadores estáticos (STATCOM),
interruptores de estado sólido y choppers
El conjunto GCT y driver se denomina IGCT (Integrated
Gate Commutated Thyristor). El GCT como componente se
comercializa con el circuito de driver integrado.
(ii) Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4 μs, y un
corto tiempo de desactivado rápido, típicamente 1.25 μs,
para un MCT de 300A, 500V.
(iii) Bajas perdidas de conmutación.
(iv) Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
(v) alta impedancia de entrada de compuerta.

III. TIRISTOR CONTROLADO POR MOS (MCT)

A. Estructura
Está integrado por 2 MOSFET (Fig. 5), uno de ellos
enciende al tiristor y el otro lo apaga. Existen diversos tipos
de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor
pnpn que determina las propiedades de conducción (y de
bloqueo). Contiene aproximada 105 celdas que provee
superficies cortas de largas secciones transversales para una
rápida y uniforme conmutación de corriente. [7]
B. Principio de Funcionamiento
Este dispositivo combina las características de un tiristor
regenerativo de 4 capas y una estructura de compuerta MOS
(Fig. 3). Encendido: un MCT de canal, está en estado de
bloqueo en sentido directo se puede encender aplicando a su
compuerta un pulso negativo. un MCT de canal n se activa
con un pulso positivo en su compuerta.
Apagado: un MCT de canal p, esta encendido, para
apagarlo se suministra un pulso positivo a la compuerta con
respecto al ánodo. Cuando un MCT de canal n esta en
estado de encendido se puede apagar aplicando a su
compuerta un pulso negativo con respecto al cátodo.
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado
por compuerta si su corriente es menor que la corriente
controlable pico. Si se trata de apagar el MCT con
corrientes mayores que su corriente especificada, se debe
conmutar el MCT para apagarlo como un SCR normal. [7]
Fig. 4. Comparación MCT con otros dispositivos
MCT se puede comparar con un MOSFET de potencia,
un BJT de potencia, y un IGBT de tensiones similares y
corrientes. El funcionamiento de los dispositivos se compara
con el estado, estado desactivado, y en condiciones
transitorias. La comparación es simple y muy completa. La
densidad de corriente de un MCT es 70% superior a la de
un IGBT con la misma corriente total. Durante su Estado, el
MCT tiene una caída de conducción más baja en
comparación con otros dispositivos. Esto se atribuye a la
reducción de tamaño de las células y la ausencia de cortos
emisor presente en el SCR dentro del MCT.
La estructura MOS se reparte en toda la superficie del
dispositivo, lo que da como resultado el encendido y el
apagado rápidos, con pocas perdidas de conmutación.
Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo
(cerca de 1.5 ms) y que posee un elevado di/dt (1000 A/ms)
y dv/dt (5000 V/ms), estas características superiores lo
convierten en un dispositivo de conmutación ideal y posee
un tremendo potencial para aplicaciones en motores de
media y alta potencia, así como en distintas aplicaciones en
la electrónica de potencia. [7]

Fig. 3. Diagrama esquemático MCT [1]

C. Características
(i) Una baja caída de voltaje directo durante la
conducción.

Fig. 5. Circuito equivalente MCT

 El MCT tiene una serie de propiedades que cubren un
amplio rango de aplicaciones. La principal desventaja es
que la capacidad de bloqueo inverso del dispositivo será
sacrificada en favor de la velocidad de conmutación (Fig.
5).
Fig. 5. Símbolo eléctrico MCT
IV. TIRISTOR DE APAGADO DEL EMISOR (ETO)
A. Estructura
El ETO es un dispositivo híbrido de MOS y GTO en el
que se combinan las ventajas del GTO y del MOSFET. El
ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center,
en colaboración con SPCO.
Fig. 6. Símbolo eléctrico ETO
Un ETO tiene dos compuertas: una normal, para
encenderlo, y una con un MOSFST en serie, para apagarlo.
En la actualidad se han demostrado ETO de alta potencia,
con especificaciones de corriente hasta de 4 kA y de voltaje
hasta de 6 kV.
Fig. 7. Circuito equivalente ETO
B. Principio de Funcionamiento
Principio de Encendido [1]: Un ETO se enciende
aplicando voltajes positivos a las compuertas, compuerta 1 y
compuerta 2. Cuando se aplica un voltaje positivo a la
compuerta 2, enciende el MOSFET que está conectado en
serie con el terminal del cátodo de la estructura del tiristor
PNPN. La tensión positiva aplicada a la puerta 1 apaga el
MOSFET conectado al terminal de puerta del tiristor.
Principio de Apagado [1]: Cuando se aplica una señal de
voltaje negativo de apagado al MOSFET conectado al
cátodo, se apaga y transfiere toda la corriente lejos del
cátodo (N-emisor del transistor NPN en el tiristor) a la
compuerta de la base a través de MOSFET conectado a la
puerta del tiristor. Esto detiene el proceso de enganche
regenerativo y da como resultado un apagado rápido. Tanto
el MOSFET conectado al cátodo como el MOSFET
conectado a la puerta del tiristor no están sujetos a tensiones
de alta tensión, independientemente de la magnitud de la
tensión en el ETO, debido a la estructura interna del tiristor
que contiene una unión P-N. El inconveniente de conectar
un MOSFET en serie es que tiene que llevar la corriente
principal del tiristor y también aumenta la caída total de
tensión en aproximadamente 0.3 a 0.5V y sus pérdidas
correspondientes. El ETO tiene una cola de corriente de
apagado larga al final de la desconexión y el próximo
encendido debe esperar hasta que la carga residual en el
lado del ánodo se disipe a través del proceso de
recombinación.
Fig. 8. Estructura ETO
C. Características
(i) Clasificación de alta potencia (hasta 4 kA y 6 kV)
(ii) Baja pérdida de conducción
(iii) Velocidad de conmutación rápida (hasta 5 kHz)
(iv) Capacidad de apagado Snubberless
(v) Detección de corriente incorporada
(vi) Capaz de operación en paralelo y en serie. [3]
V. COMPARACIONES
TABLA 1. COMPARACIÓN TENSIÓN, CORRIENTE Y FRECUENCIA [4]
TABLA 2. COMPARACIÓN DE PRESTACIONES DE CADA DISPOSITIVO [4]

Como se puede observar en la Tabla 1 y 2 los dispositivos

estudiados tienen semejanzas ya que son un desarrollo a
partir de requerimientos que dispositivos como el GTO
carecían y estos son perdidas de conducción, velocidad de
conmutación y control de compuerta de dispositivos como el
GTO. Lo que conlleva a que estos sean más utilizados en
aplicaciones de electrónica de potencia de la máxima
capacidad por su alto rendimiento.

VI. REFERENCES
[1] Muhammad H. Rashid, "Electronica de Potencia; Circuitos, dispositivos
y aplicaciones," PEARSON, Prentice Hall, Edición 3, ISBN: 970-26-
0532-6, 2004.
[2] Zhang,Bin. "Development of the Advanced Emitter Turn-Off (ETO)
Thyristor" (PDF).
[3] Alex Q. Huang, Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech;
“Emitter Turn-off (ETO) Thyristor Development”, FY2001 Energy
Storage Systems Peer Review.
[4] Alexander Bueno M, “Dispositivos Electrónicos de Potencia”
Controladores de Potencia, Sep 2011.
[5] J.D. Aguilar Peña, “Tiristores” Departamento de Electrónica.
Universidad Jaén; Electrónica de Potencias.
[6] Bartkl3, “Tiristor IGCT” SlideShare. Feb 2010,
https://es.slideshare.net/bartkl3/tiristor-igct
[7] EcuRed-Conocimiento con todos y para todos. “Tiristor controlado por
MOS” https://www.ecured.cu/Tiristor_controlado_por_MOS