Los transistores MOSFET.

MOS : Semiconductor óxido metal

FET : Transistor de efecto de campo

F=qxE

Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento

no se basa en uniones PN.

La estructura MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos
terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro
o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una
capa de Oxido de Silicio (SiO ) que, posee
2

características dieléctricas o aislantes, lo que

presenta una alta impedancia de entrada. Por último,
sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior se
coloca un contacto óhmico, en contacto con la
capsula, como se ve en la figura.

F=qxE
La estructura MOS, actúa como un condensador de
placas paralelas en el que G y B son las placas y el
óxido, el aislante. De este modo, cuando V =0, la
GB

carga acumulada es cero y la distribución de

portadores es aleatoria y se corresponde al estado
de equilibrio en el semiconductor.
Cuando V >0, aparece un campo eléctrico entre los
GB

terminales de Puerta y substrato. La región

semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p  (zona de
+

deplexión), al igual que ocurriera en la región P de

una unión PN cuando estaba polarizada
negativamente. Esta región de iones negativos, se
incrementa con V .
GB
El proceso de inversión se identifica con el cambio
de polaridad del substrato, debajo de la región de
Puerta. En inversión fuerte, se forma así
un CANAL de e  libres, en las proximidades del
–

terminal de Puerta (Gate) y de huecos p  en el

+

extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta I , es cero.
G

TIPOS DE MOSFET

1.-MOSFET de enriquecimiento
2.-MOSFET DE empobrecimiento
Pueden ser de CANAL N o canal P
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido
(SiO ) que impide prácticamente el paso de corriente
2

a su través; por lo que, el control de puerta se

establece en forma de tensión. La calidad y
estabilidad con que es posible fabricar estas finas
capas de óxido es la principal causa del éxito
alcanzado con este transistor, siendo actualmente el
dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen
que el BJT, lo que permite una mayor densidad de
integración. Comencemos con la estructura básica
del MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro
terminales, en la que el substrato semiconductor es
de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
interfase Oxido-Semiconductor se han practicado
difusiones de material n, fuertemente dopado (n ).
+

Id=f(Vgs)
ID = K(VGS-VT)2

DATOS DEL FABRICANTE

VDD = 12 V
VGS =(ENCENDIDO) 8 V
VT = 3 V
Id(encendido) 6x10exp(-3)

En la figura anterior se indica como calcular la R  del

D

MOSFET superior. Al ser V =V , cada punto de

GS DS

trabajo de este MOSFET tiene que estar en la curva

de dos terminales, si se com

Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de

puerta de un MOSFET de tipo N, se crea un campo
eléctrico bajo la capa de óxido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor P. Este campo, atrae a
los electrones hacia la superficie, bajo la capa de
óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el
campo eléctrico es muy intenso se logra crear en
dicha superficie una región muy rica en electrones,
denominada canal N, que permite el paso de
corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor
sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo
eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez
creado el canal, la corriente se origina, aplicando
una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto
a la tensión de la Fuente (Source).

En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la

inversa, ya que los portadores son huecos (cargas
de valor positivas, el módulo de la carga del
electrón). En este caso, para que exista conducción
el campo eléctrico perpendicular a la superficie debe
tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo
que la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora,
los huecos son atraídos hacia la superficie bajo la
capa de óxido, y los electrones repelidos hacia el
sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos se
forma el canal P. Cuanto más negativa sea la
tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más
huecos en el canal P), corriente que se establece al
aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa
respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene
sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

Si con
tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor
se denomina de acumulación; y de vaciamiento en
caso contrario. Mientras que la tensión de Puerta a
partir de la cual se produce canal, se conoce como
tensión umbral, V . El terminal de sustrato sirve para
T

controlar la tensión umbral del transistor, y

normalmente su tensión es la misma que la de la
Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de
Fuente y Drenador son intercambiables entre sí. En
el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión
actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el
de menor tensión en el tipo P (recoge los huecos). A
modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de
enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación a
nivel de circuito se muestra en la figura siguiente. La
flecha entre el terminal de Fuente y Gate, nos
informa sobre el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de
la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de
tensión polarizando los distintos terminales: V , V .
GS DS

Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han

conectado a GND. De este modo, V =0 (tensión
SB

Surtidor-sustrato=0) , se dice que no existe efecto

substrato.

Según los valores que tome la tensión V , se GS

pueden considerar tres casos:

1) V =0. Esta condición implica que V =0, puesto
GS GS

que V =0. En estas condiciones, no existe efecto

SB

campo y no se crea el canal de e , debajo de la

–

Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran

cortadas (B al terminal más negativo) y aisladas.
I =0 aproximadamente, pues se alimenta de las
DS

intensidades inversas de saturación.

2) La tensión V >0, se crea la zona de
GS

empobrecimiento o deplexión en el canal. Se genera

una carga eléctrica negativa e  en el canal, debido a
–

los iones negativos de la red cristalina (similar al de

una unión PN polarizada en la región inversa),
dando lugar a la situación de inversión
débil anteriormente citada. La aplicación de un
campo eléctrico lateral V >0, no puede generar
DS

corriente eléctrica I .
DS

3) La tensión V >>0, da lugar a la inversión del

GS

canal y genera una población de e  libres, debajo del

–

oxido de Puerta y p  al fondo del substrato. Se forma

+

el CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador

y la Fuente (tipo n ) que, modifica las característica
+

eléctricas originales del sustrato. Estos electrones,

son cargas libres, de modo que, en presencia de un
campo eléctrico lateral, podrían verse acelerados
hacia Drenador o Surtidor.
Sin embargo, existe un valor mínimo de V  para que
GS

el número de electrones, sea suficiente para

alimentar esa corriente, es V, T

denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos

tratados se denomina V ). TH

Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de

operación para valores de V  positivos:
GS

– Si V < V  la intensidad I =0 (en realidad sólo es

GS T DS

aproximadamente cero) y decimos que el transistor

opera en inversión débil. En ella, las corrientes son
muy pequeñas y su utilización se enmarca en
contextos de muy bajo consumo de potencia. Se
considerará que la corriente es siempre cero. De otro
lado;
– Si V >=V , entonces I  es distinto de cero, si V  es
GS T DS DS

no nulo. Se dice que el transistor opera en inversión

fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de V , mayor será la
GS

concentración de cargas libres en el canal y por

tanto, será superior la corriente I . DS

Regiones de operación.
Cuando ya existe canal inducido y V  va DS

aumentando, el canal se contrae en el lado del

Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-
canal es en ese punto, más baja y la zona de
transición más ancha. Es decir, siempre que exista
canal estaremos en región óhmica y el dispositivo
presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede

dividir en tres regiones de operación diferentes,
dependiendo de las tensiones en sus terminales.
Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento se
tienen las siguientes regiones: región de
corte, región óhmica y región de saturación.

Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de
funcionamiento cuando la tensión entre el Drenador
y el Surtidor (V ) supera un valor fijo denominado
DS

tensión de saturación (V ) Drenador-Surtidor; este

ds sat

valor viene determinado en las hojas características

proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el
MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (I ), independientemente del valor de
D

tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor

(V ). Por lo tanto, el transistor equivale a un
DS

generador de corriente continua de valor I .

D

Es decir; el MOSFET estará en esta región,

cuando V  > V  y V  > ( V  – V  ).
GS t DS GS t

O sea, estaremos en la región de saturación cuando

el canal se interrumpe o estrangula, lo que sucede
cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera
cierto límite, el canal de conducción, bajo la Puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y
Drenador no se interrumpe, es debido al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente
de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical

corresponde a la zona óhmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET
de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera
de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso
principal está en la zona óhmica.
Los transistores unipolares están limitados en tres
magnitudes eléctricas:
–En tensión: no se puede superar el valor
máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un
valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds.
–En corriente: no se puede superar un valor de
corriente
por el drenador, conocido como Idmax.
–En potencia: este límite viene marcado por
Pdmax, y es
la máxima potencia que puede disipar el
componente.
Resumiendo:
Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa
de dióxido de silicio en el MOSFET funciona como
aislante, el cual, impide el paso de corriente de
Puerta, tanto para tensiones de Puerta negativas
como positivas. Muchos MOSFET están protegidos
con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta
y la Fuente. La tensión del zener, es menor que la
tensión Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
V .
GS(Max)
Estas curvas de salida, se obtienen al representar
las variaciones de I  al aumentar V , para diferentes
D DS

valores de V , es decir, I =ƒ(Vds)

GS D VGS=cte.

La curva más baja es la curva de V . Cuando V  es GS(T) GS

menor que V , la corriente de Drenador esGS(T)

extremadamente pequeña. Cuando V  es mayor que GS

V , fluye una considerable corriente, cuyo valor

GS(T)

depende de V . GS

Si V ≤V , el transistor MOSFET, estará en la región

GS T

de corte y la corriente I =0. D

Si V ≥V , el transistor MOSFET, estará en la región

GS T

de conducción y se pueden dar dos casos:

  a) Si V ≥V -V , el transistor MOSFET, estará en
DS GS T

la región de saturación y la corriente será

constante para un valor determinado de V . La curva GS

de transferencia de la figura que representa

I =ƒ(V )
D , se obtiene a partir de las curvas de
DS VGS=cte.

salida para una tensión V  constante que sitúe al DS

transistor en saturación. Se observa que

aproximadamente corresponde a la curva de una
parábola con vértice en V  y por tanto, la corriente T

puede determinarse de forma aproximada por:

ID=k(VGS-VT)2
donde k es el parámetro de transconductancia del
MOSFET N y se mide en mA/V . 2

 b) Si V ≤V -V , el transistor MOSFET, estará en

DS GS T

la región óhmica de forma que, al aumentar V , DS

también lo harán la corriente y la resistencia del

canal. El comportamiento del transistor puede
asociarse a la resistencia que presenta el canal entre
Drenador y Fuente.
y Fuente. No se debe sobrepasar la tensión
V  máxima de 20V, ya que el transistor se
GS

estropeará. En cambio, si la tensión de Puerta no

alcanza los 2 a 4V, el transistor no entrará en
conducción.

The depletion mode MOSFET». Electronic

Circuits
ISBN 978-81-8431-284-3.
-«1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Transistor
Demonstrated»:
John Atalla and Dawon Kahng
fabricate working transistors and demonstrate
the
first successful MOS field-effect amplifier
(issued in 1963).
-«The Silicon Engine | 1948 – Conception of the
Junction Transistor». Computer History Museum
(2007).
-TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. L. Gomez de
Tejeda.
-Técnicas electrónicas digitales.
A. Hermosa Donate. 1997
Vth=IgRg+Vgs+IdRs=0+Vgs+IdRs

Id=(1/Rs)Vth-(1/Rs)Vgs Si Id=0Vgs=Vth (Vth=VddX(R2/R1+R2)

Si Vgs=0 Id=Vth/Rs
Conclusión : Con estos dos resultados ya puedo dibujar mi recta de
carga en la curva de entrada.
EN EL CIRCUITO DE SALIDA
Vdd=IdRd+Vds+IdRs Aquí buscaremos la Id=f(Vds)
Vdd=Id(Rd+Rs)+Vds=Id=(1/Rd+Rs)Vdd-(1/Rd+Rs)Vds
Que pasa si Id=0 Vds=Vdd
Vds=0 Id=Vdd/(Rd+Rs)
Datos : Rd=1k Rs=470 ohm Vdd=20V Suponemos que Vds=9V
Podré calcular Id=?
Vdd=IdRd+Vds+IdRs=20V ( He supuesto que Vds=9V) Id(Rd+Rs)=?
=11V ( Id se deduce del punto de trabajo de la Recta de Carga)