INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁ NICA Y

ELÉ CTRICA
INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y
ELECTRÓNICA

ALUMNO: NEGRETE TÉLLEZ JUAN OBRAYAND

BOLETA: 2020301751

PROFESOR: LOPEZ HERNANDEZ JOSE

ANTONIO

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DIGITAL

GRUPO 6CV6

Práctica 5
Funcionamiento del transistor
MOSFET:
 3

1 Objetivo
En esta práctica se pretende analizar el comportamiento de un transistor MOSFET tipo n
(nMOS). En un primer paso, se estudian las características I-V de un dispositivo real para
posteriormente realizar un modelado teó rico ajustando los valores de los pará metros con
datos experimentales, pudiendo implementar una simulació n del modelo.

2 Introducción teórica
La mayoría de la informació n de esta secció n ha sido obtenida en

2.1 Descripción general

El transistor MOS es un dispositivo de efecto campo, es decir, utiliza el campo eléctrico para
controlar la forma y, en consecuencia, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo
de carga. El MOS consta de cuatro terminales, tal y como vemos en la Figura 1(a)

G B

S
(a) Estructura (b) Esquemá tico

Figura 1: Transistor de canal n.

El tipo de dopado de sus terminales determinará el tipo de carga que fluye a través
del transistor, que pueden ser electrones o huecos, dando lugar a transistores de canal n
(nMOS) o de canal p (pMOS), respectivamente. En la prá ctica, emplearemos un transistor
nMOS, lo que nos lleva a poner énfasis en la descripció n de dicho tipo de transistor.
Los terminales que constituyen un tansitor nMOS son:

• G-Puerta("Gate"): zona de silicio policristalino fuertemente dopado con iones dona-

dores (n+). Esta separado del resto de terminales mediante una fina capa de material
dieléctrico (ver Figura 1(a)).

• B-Substrato("Bulk " o "Body"): formado por silicio cristalino poco dopado con iones
aceptores (p−).

• D-Drenador("Drain") y S-Fuente("Source"): son regiones poco profundas in- crustadas

en el substrato y fuertemente dopadas con iones donadores (n+). Cabe destacar que el
drenador y la fuente son totalmente intercambiables en ausencia de polarizació n, lo
que convierte el transistor MOS en un dispositivo electró nico simé- trico. Para
determinar que papel desempeñ an ambos bajo polarizació n, tomaremos como convenio
la tensió n fija en S, siendo en un nMOS VDS ≥ 0.
2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 4

El nMOS consta de dos pará metros geométricos principales: la longitud de G (L) y la

anchura de S y D (W ); Figura 2.

Figura 2: Pará metros geométricos del transistor.

2.2 Modos de operación

Podemos ahora introducir de forma cualitativa el modo de operació n del nMOS, lo que
ayudará a tener una comprensió n general de su funcionamiento. Si aplicamos una diferencia de
potencial VGS suficientemente positiva entre la puerta y el substrato, las cargas positivas
inducidas en la puerta son compensadas por cargas negativas en la superficie del substrato. Esto
es aná logo a lo que ocurre en un condensador. Las cargas negativas en la superficie del
substrato constituyen un canal de conexió n entre el drenador y la fuente, por lo que si
aplicamos una diferencia de potencial VDS entre ambos terminales positiva, conseguiremos que
la corriente fluya por diversos mecanismos del drenador a la fuente, dando lugar a una
intensidad ID. Por otra parte, si VGS no es lo suficientemente positiva, puede no llegar a
formarse dicho canal entre la fuente y el drenador.
Dicho esto, podemos pasar a realizar una descripció n má s detallada de las zonas de
operació n del transistor nMOS. Teniendo en cuenta que fijamos el nudo de referencia en la
fuente, consideramos las tensiones de polarizació n VGS, VDS y VBS. Nó tese que aplicando la
ley de Kirchoff de tensiones obtenemos VGB = VGS V−BS; y que por convenio, en un nMOS, VDS
0. También
≥ con el fin de que las intensidades drenador-substrato y fuente-substrato no
sean significativas, se habrá de cumplir VBS 0. ≤
Supondremos primero VDS = VSB = 0, de forma que só lo cambiará VGB. Podemos
diferenciar varias zonas:

• Acumulación: se da para VGB < 0 suficientemente negativa. Cuando la polarizació n

puerta-substrato es negativa, se produce una acumulació n de electrones en la puerta,
mientras que en substrato se acumulan carga de signo contrario (huecos).
En acumulació n, la estructura MOS se comporta como un condensador de planos
conductores paralelos. Ademá s, en las uniones drenador-substrato y fuente-substrato se
producen regiones de empobrecimiento de carga, como en cualquier unió n PN.

• Banda plana: a medida que aumentamos VGB < 0, el potencial superficial es cada vez
menos atractivo para los huecos, de forma que estos comienzan a distribuirse de
uniformemente por le substrato, viendo disminuida la capacidad del MOS. La tensió n a la
cual se produce este efecto se denomina tensió n de banda plana y se denota V FB .

• Empobrecimiento: para valores de VGB superiores a V FB , el potencial comienza a

ser repulsivo para los huecos del substrato, que pasan a ocupar posiciones má s
profundas dejando tras de sí una regió n cargada negativamente por los iones fijos de
2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 5

la red. Tales cargas negativas en el substrato, se compensan mediante cargas positivas en

la puerta (efecto condensador).

• Inversión: Si aumenta VGB, el potencial superficial atrae a los electrones en la zonas

empobrecidas cercanas a S y D. La superficie de B pró xima al ó xido pasa de estar
poblada de huecos a estarlo de electrones, lo que produce una inversió n en el tipo de
carga predominante en dicha regió n, denominada canal. Se distinguen varias subzonas de
operació n en funció n de la concentració n de electrones del canal que se ha formado en el
substrato, que pasaremos a analizar con má s detalle puesto que son con las que
trabajaremos durante la prá ctica.

2.3 Inversión
Vamos a discutir el comportamiento del transistor en esta regió n en funció n de los
potenciales VGS y VDS. La característica de entrada del transistor se corresponde con la
Figura 3.

Figura 3: Característica de entrada del transistor nMOS.

Definimos la tensió n umbral VT como el valor de VGS a la que empieza a formarse el

canal. Se puede obtener extrapolando la dependencia lineal observada en la grá fica y
calculando el corte con el eje de abscisas. Ademá s se pueden distinguir varias zonas:

• Inversió n débil (VGS < VT ): el mecanismo dominante es la difusió n de electrones y la zona

de empobrecimiento es mayor en tamañ o cerca del drenador que en la fuente. Por
ello, la intensidad que circula del drenador a la fuente es muy pequeñ a:
VGS − VT
ID ≈ I0e η UT (2.1)
donde UT = kT /q es la tensió n térmica y η es un pará metro de ajuste. Notemos que al
ser el exponente negativo, los valores de ID serán cercanos a cero.

• Saturació n (VDS ≥VGS V−T 0):≥si aumentamos el valor de VGS el comporta- miento
de la intensidad para a ser cuá dratico en su dependencia respecto de VGS y
prá cticamente constante respecto de VDS:
β
ID ≈ (VGS — )2 (1 + ) (2.2)
2 VT λVDS
2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 6

donde λ es el pará metro de modulació n de carga y es el responsable de la pendiente en la

relació n ID-VDS como podemos observar en la Figura 4. El pará metro β se define como
W
β = µCoJ x
L
con CoJ x = εox /tox , donde εox es la permitividad del ó xido, tox su espesor y µ la
movilidad de los portadores.

• Inversió n fuerte (0 ≤ VDS < VGS − VT = VDJ S ): domina el arrastre de electrones

debido a al fuerte componente horizontal del campo eléctrico presente en el canal, y
el gradiente de concentraciones es inapreciable frente a este efecto.

ID ≈ β (VGS − VT ) VDS (2.3)

Figura 4: Característica de entrada del transistor nMOS para diferentes valores de VGS.

2.4 Efecto Substrato (VSB > 0)

Notemos que cuando VSB > 0 es importante tener en cuenta la relació n VGS = VGB VSB −
ya que una mayor diferencia de potencial entre el substrato y la base produce una
disminució n de la tensió n VGS, es decir, se contrapone a la inversió n. Al aumentar VSB
aumenta la anchura de la regió n empobrecida bajo S, volviéndose má s atractiva para los
electrones, lo que produce una disminució n de la concentració n de portadores en el canal,
siendo necesaria una mayor tensió n para que este forme, es decir, aumenta VT .

(a) VSB = 0 (b) VSB > 0

Figura 5: Efecto substrato.

2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 7

2.5 Movilidad
En las ecuaciones 2.2 y 2.3, podemos observar como en ambos casos la intensidad que
fluye a través del drenador es directamente proporcional a un término denominado movi- lidad
de los portadores, el cuá l se denota como. En el caso de un nMOS, los portadores a los que
hace referencia dicha movilidad son los electrones.
Si bien este término se puede aproximar como una constante 0 para valores de un campo
eléctrico bajo entre la puerta y el substrato, a medida que este aumenta, los electrones que
circulan por el drenador se comprimen contra la superficie del substrato. La mayor presencia de
defectos en la red cristalina en su entrefase con el ó xido, produce un mayor nú mero de
colisiones de los electrones con la red y la consecuente disminució n de la movilidad. Podemos
modelar este efecto de segundo orden incluyendo una dependencia de la movilidad en el
canal con las tensiones VGS y VSB aplicadas, las cuales contribuyen al aumento del campo
eléctrico entre la puerta y el substrato:
µ0
µ=
1 + θ (VGS − VT ) + θ2 VSB (2.4)

donde θ, denominado coeficiente de la degradació n de la movilidad, y θ2 son pará metros de

ajuste empírico. Utilizaremos 2.4 cuando la diferencia entre VGS y VT no sea despreciable, es
decir, cuando nos encontremos en inversió n fuerte. Finalmente, por simple inspecció n de los
términos presentes en el denominador de la expresió n 2.4, podemos observar có mo contribuye
el efecto substrato a la degradació n de la movilidad.
3 MATERIALES Y MONTAJE EXPERIMENTAL 8

3 Materiales y montaje experimental

En el transcurso de esta prá ctica vamos a emplear los siguientes materiales

• Tarjeta de intrumentació n (myDAQ).

• Software: LABVIEW, MATLAB.

• Transistores MOS de la familia CMOS 4000(MC14007UB).

• Amplificador operacional 741 (LM741CM),

• Resistores.

Vamos a trabajar con el circuito de la Figura 6.

Rsen
VD

ID 15 V

−
AO1 V0
+
AI1+

-15
AO0 V
AGND, AI1-

Figura 6: Transistor MOS conectado a una sonda de intensidad.

Analicemos los principales componentes del circuito. Tenemos un transistor MOS in-
tegrado en el chip 4007 cuyo patillaje está indicado en la Figura 7(a) (3: G, 4: S, 5: D, 7:
B). Por otro lado, el patillaje del amplificador operacional (AO741) se encuentra en la Figura
7(b), que está polarizado entre +15V y 15V. −La resistencia conectada al AO es una
resistencia de sensado, es decir, a lo largo de la prá ctica iremos cambiando su valor con el
objetivo de cubrir siempre un rango apropiado del potencial v0, que debe ser de varias
voltios sin llegar a la saturació n de la tarjeta de instrumentació n (≈ 10.5 V).

(a) OA (b) MOS

Figura 7: Patillajes.
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 9

A lo largo de práctica nos interesará obtener las características de salida (ID frente a
VDS) y la de entrada (ID frente a VGS). La medida de ID se realizará de manera indirecta a
través de V0 (AI1+), ya que aplicando el principio de tierra virtual al AO se tiene que

V0 − VD
ID ≈ Rsen (3.1)

4 Realización experimental
En los siguientes apartados se procederá a obtener diferentes características y pará me- tros
del circuito de la Figura 6 mediante el software LABVIEW, que nos permite modificar el
potencial en la puerta (AO1) y en el drenador(AO0) del nMOS. Ademá s en algunos casos
emplearemos un transistor nMOS diferente al integrado en el 4007 con el objetivo de establecer
comparativas.

4.1 Medidas de ID frente a VGS

Empezamos realizando un barrido de VGS entre 0 y 5V con pasos de 50mV, mientras VDS
permanece a un valor pequeñ o de 50mV. Los resultados obtenidos se muestras en la Figura
8

Figura 8: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. A la izquierda, ID frente a VGS y a la derecha,

V0 frente e VGS para VDS = 50mV. Fabricante: Philips.

Una vez comprobado que el rango de V0 es apropiado, nos centramos en la grá fica ID
frente a VGS. De forma cualitativa podemos diferenciar 3 regiones de operació n del
transistor. Vemos que la inversió n fuerte, donde la relació n entre ID y VGS es lineal, empieza
aproximadamente en torno a 3V. Mediante el uso de cursores seleccionamos dos puntos en esta
zona con el objetivo de obtener VT de forma precisa. Tomamos los pares (VGS = 3.2V, ID =
3.18 10−5A)· y (VGS = 4.65V, ID = 7.97 10−5A) construimos
· una recta cuya intersecció n
con el ID = 0 nos dará

VT = 2.24V (4.1)

Ademá s se puede apreciar la zona de saturació n y la de inversió n débil.

4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 10

Cambiamos el transistor por el fabricado por Texas Instrument [1] y gracias a los botones
"Keep" y "Recall" realizamos otro barrido y comparamos con el que habíamos obtenido
(Figura 9):

Figura 9: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. A la izquierda, ID frente a VGS y a la derecha,

V0 frente e VGS para VDS = 50mV. Philips (trazo rojo) y Texas Instruments (trazo blanco).

Podemos observar diferencias apreciables en ambas características: en primer lugar, el

transistor TI tiene una tensió n umbral má s baja que el Philips, que podemos medir con los
cursores para inferir que
VT = 1.38V (4.2)
ademá s de presentar cierta curvatura en la zona de inversió n fuerte. Ello se debe a que el
transistor TI, al ser una tecnología má s moderna, se caracteriza por un espesor de ó xido
má s pequeñ o, lo que hace aumentar las corrientes en las transiciones ó xido semiconductor,
produciendo una degeneració n de la movilidad, es decir, el valor de θ en la ecuació n 2.4 es
mayor para el TI que para el Philips.
A continuació n, estudiemos que ocurre si aumen-
tamos VDS. Para ello, volvemos al transistor original
y seleccionamos VDS = 5V y cambiamos la resisten-
cia de sensado a Rsen = 1kΩ para evitar la saturació n
de la tarjeta. El resultado obtenido es el que parece
en la Figura 10, en la cual se puede observar la zona
de inversió n débil y la de saturació n (recordemos las
ecuaciones 2.2 y 2.1).
Finalmente, procedemos a realizar un barrido de
VGS desde 0 hasta VT + 200mV con VDS = 100mV.
Ademá s cambiamos la escala de ID a logarítmica y la
resistencia de sensado a Rsen = 100kΩ (Figura 11).
Podemos ver como la parte recta de la curva es la Figura 10: ID frente a VGS con
zona de inversió n débil (recordemos la dependencia V = 5V. R = 1kΩ. Philips.
DS sen
exponencial dada por 2.1).
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 11

Figura 11: Pantalla LABVIEW. Rsen = 100kΩ. A la izquierda, ID frente a VGS y a la

derecha, V0 frente e VGS para VDS = 100mV. Philips.

Con la ayuda de los cursores podemos precisar los límites de esta regió n:

Límite superior: 1.4V, 1.14 · 10−6A Límite inferior: 0.9V, 3.30 · 10−8A

Fuera de la inversió n débil, la dependencia entre ID y VGS ya no es exponencial, por lo que

perdemos linealidad en la representació n logarítmica. Para valores de VGS menores que el
extremo inferior, se pierde la linealidad y la intensidad, que circula por la unió n drenador
substrato, decae notablemente al valor de la intensidad inversa de saturació n.

4.2 Medidas de ID frente a VDS

Pasamos a estudiar la dependencia de ID frente a VDS con VGS como pará metro (Figura
5 de la introducció n teó rica). Hacemos un barrido de VDS desde 0 hasta 5V a pasos de 50mV
y utilizamos "Keep" y "Recall" para obtener diferentes características en funció n de VGS
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 12

Figura 12: Pantalla LABVIEW. Rsen = 1kΩ. A la izquierda, ID frente a VDS y a la derecha,
V0 frente e VDS para diferentes VGS. Philips.

En particular nos fijamos en la curva correspondiente a VGS = 4V (trazo verde en Figura

12). En ella podemos diferenciar dos regiones, inversió n fuerte y saturació n; cuya transició n se
produce cuando VDS = VDJ S ≈ 1.5V, valor que va aumentando conforme lo hace VGS .
En inversió n fuerte, debido a su característica lineal el transistor se comporta como un
resistor. Por otro lado, en saturació n se comporta como una fuente de intensidad no lineal.
Sin embargo, si nos fijamos con detalle vemos que en esta zona la intensidad no es del todo
constante, ya que existe una ligera pendiente que hace que esta aumente. Ello se debe al
denominado parámetro λ de modulació n de carga que ya comentamos en la ecuació n 2.2.
Finalmente, veamos que ocurre para valores pequeñ os de VDS. Realizamos un barrido
para valores desde 1mV hasta 0.5V con otro barrido de VGS = 1.6 a 2.2V. Cambiamos la
resistencia de sensado y pasamos a escala logarítmica para ID.

Figura 13: Pantalla LABVIEW. Rsen = 100kΩ. A la izquierda, ID frente a VDS y a la

derecha, V0 frente e VDS para diferentes VGS. Philips.

Dado que estamos en valores VGS < VT , es decir, en zona de inversió n débil, las curvas tienden
rápidamente a un valor constante dependiente de VGS como se deduce de 2.1. Dado que la
dependencia de log ID con VGS en esta zona es lineal y estamos tomando valores de
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 13

VGS equiespaciados, las grá ficas también lo estará n.

4.3 Verificación de Efecto Substrato

Utilizando la tensió n de 15V
− de la tarjeta de instrumentació n, construimos un divisor de
tensió n usando un resistor de 100kΩ y un potenció metro de kΩ de modo que la tensió n de
salida sea 200mV
− tal y como muestra es circuito de la Figura 14. Realizamos un barrido de
VGS de 0 a 5V en pasos de 50mV para VDS = 100mV para valores de VBS = 0V y VBS =
−200mV usando el divisor de tensió n.

Rsen
VD

ID
15
V

AO1 − V0
AI1+
+

-15 V
AO0

100k
1k
AGND, AI1-

Figura 14: Transistor MOS conectado a una sonda de intensidad con efecto substrato.

Mostramos las grá ficas obtenidas en la Figura 15:

4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 14

(a) Philips (b) Texas

Figura 15: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y VSB = 200mV (rojo).

Utilizando los cursores, calculamos las tensiones umbrales:

 
VT (VSB = 0mV) = 2.24V VT (VSB = 0mV) = 1.38V
 
Philips: VT (VSB = 200mV) = 2.51V TI: VT (VSB = 200mV) = (4.3)

1.67V

∆VT = 0.27V 
∆VT = 0.29V
Observamos en ambos casos un desplazamiento hacia la derecha debido a que el efecto
sustrato se contrapone al aumento de la tensió n VGS, ya que la zona de operació n depende
de VGB = VGS−VSB.
A continuació n, estudiemos con má s detalle la regió n subumbral. Realizamos un barrido de
1V hasta 3.5V cambiando el eje de las intensidades a escala logarítmica (Figura 16)

(a) Philips (b) Texas

Figura 16: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y VSB = 200mV (rojo).
 5 OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL MODELO 15

Podemos estimar el límite superior de la zona de inversió n débil como la zona de la grá fica
donde se pierde la dependencia lineal. Dado que la tensió n umbral produce, en primera
aproximació n, un desplazamiento de las zonas de operació n, esta diferencia también se
corresponde con el desplazamiento de la tensió n umbral ya indicado en 4.3. En efecto, si
usamos los cursores para medir obtenemos:

Philips: ∆V = 2.65V − 2.35V = 0.30V TI: ∆V = 1.70V − 1.45V = 0.25V (4.4)

resultados que se aproximan razonablemente a los obtenidos en 4.3.

5 Obtención de los Parámetros del Modelo

Es esta secció n vamos a usar datos experimentales tomados a lo largo de la prá ctica
para obtener algunos de los parámetros del modelo está tico de simulació n del MOSFET,
adecuado siempre que el mismo opere en inversió n fuerte.

5.1 Obtención de µ0, VT y0θ en Óhmica profunda

Utilizamos datos obtenidos en zona ó hmica profunda tomando como referencia los va- lores
de VT obtenidos en 4.1 y 4.2:

VGS en [2.5V, 5V] con pasos de 50mV; VDS = 10mV; Rsen = 100kΩ.

empleamos la herramienta de Matlab CFTOOL [5] y ajustamos los datos mediante la ex-
presió n
1 % UO/(1+THETA∗ ( vgs−VT) ) ∗ 3 . 4530 e −8∗100∗( vgs−VT) ∗10 e−3
que no es má s que una simplificació n de la expresió n 2.3 asumiendo que
εox
CoJ x = = 3.4530 · 10−8 F cm−2 y que = 100
W
tox L
ajustamos los parámetros de tolerancia "TolFun" y "TolX" a 10−12 y obtenemos las grá ficas de
la Figura 17 y parámetros de ajuste:

Pará metro Estimació n Intervalo

θ(THETA) 3.777 · 10−3V−1 [1.004 · 10 V−1, 7.646 · 10−3V−1]
−3

µ0(UO) 722.7cm2 V−1 s−1 [713.7cm2 V−1 s−1, 731.7cm2 V−1 s−1]
VT0 (VT0) 2.149V [2.140V, 2.158V]

Tabla 1: Pará metros obtenidos con CFTOOL para el transistor Philips

Pará metro Estimació n Intervalo

θ(THETA) 0.2414V−1 [0.2352V−1, 0.2474V−1]
µ0(UO) 626.4cm2 V−1 s−1 [619.5cm2 V−1 s−1, 633.2cm2 V−1 s−1]
VT0 (VT0) 1.306V [1.299V, 1.312V]

Tabla 2: Pará metros obtenidos con CFTOOL para el transistor Texas

5 OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL MODELO 16

(a) Philips

(b) TI

Figura 17: Ajuste CFTOOL.

5.2 Obtención de γ, φ y κ en Óhmica y Saturación

En esta secció n obtendremos los parámetros γ, φ y κ del modelo de nivel 3 cuyo manual
se puede consultar en [3]. Para ello, usaremos los pará metros anteriormente obtenidos en la
secció n 5.1 y supondremos ademá s

• Dimensiones del transistor: W = 500µm, L = 5µm.

• Dopado del substrato: NSUB=2.74 · 1016cm−3.

• Espesor del ó xido de puerta: tox = 100nm.

• Constantes: εox = 3.453·10−13F cm−1, εSi = 1.03592·10−12F cm−1, q = 1.602·10−19C.

Emplearemos la funció n LSQNONLIN (ver [5] y [2]) de MATLAB que aperece en el script
que adjuntado en el Anexo A. Los valores obtenidos han sido

GAMMA PHI KAPPA

Philips γ = 1.037 V1/2 φ = 1.892 · 10−4V κ = 2.833V−1
TI γ = 0.8330 φ = 8.8272 · 10−9V κ = 0.7047V−1
V1/2
Tabla 3: Pará metros de ajuste del Modelo de Nivel 3.
5 OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL MODELO 17

En la Figura 18 representamos los datos experimentales obtenidos en la secció n 4.3 junto con
la curva proporcionada gracias al modelo de nivel 3.

(a) Philips

(b) TI

Figura 18: ID frente a VDS con VGS = 4V y VSB = 200mV. Datos experimentales y curva de
mejor ajuste segú n el modelo de nivel 3.
6 PRUEBA DEL MODELO DE SIMULACIÓN 18

6 Prueba del modelo de simulación

Con el fin de corroborar los valores obtenidos en la Secció n 5, nos proponemos construir un
modelo y usarlo para simular nuestros transistores MOS de canal n. Para ello, imple-
mentamos en el software PSPICE-Schematics el circuito de la Figura 19, teniendo en cuenta que
los potenciales V1, V2 y V3 se corresponden con VDS, VGS y VSB respectivamente.

Figura 19: Esquemá tico para la simulació n del MOSFET.

Debemos ahora configurar el circuito introduciendo los valores de los pará metros obte-
nidos en la secció n 5 en un archivo de texto y ejecutar el aná lisis en DC. Podemos encontrar una
descripció n má s detallada de este proceso en [6]. Tras ejecutar este análisis obtenemos los
siguientes resultados, expuestos en las Figuras 20(a) y 20(b) .

(a) Philips

(b) TI

Figura 20: ID frente a VGS con VDS = 100mV. Curva superior: VSB = 0V. Curva inferior:
VSB = 0V (Efecto substrato).
7 Conclusión
A lo largo de la prá ctica hemos manifestado todos los objetivos y conceptos teó ricos que se
trataban de alcanzar en un inicio.
 20

Anexos
A Código Matlab
Script:
1 %% Ajuste segun e l modelo de n i v e l 3 ( Seccio n 9 . 2 )
2

3 clear , clc , close all

4 format long
5

6 %% Importacion de l o s datos c o r r e s p o n d i e n te s a l a s e c c i o n 8 . 2 .
7

8 datos=importdata ( ’ id_vs_vds_vsb_200_1k_phillipsDOT . txt ’ ) ;

9 vds=datos ( : , 1 ) ;
10 idexp=datos ( : , 2 ) ;
11

12 % Definimos l o s paramet ros de a j u s t e

13 opts=optimset ( ’ TolX ’ , 1 e −12 , ’ TolFun ’ , 1 e −12) ;
14

15 % Valores i n i c i a l e s con e r r o r e s
16 p0 =[ 1 . 5 0 . 7 7 ] ;
17 pmax=[10 10 1 0 ] ;
18 pmin=[0 0 . 0 0.2];
19

20

21 % Realizamos e l a j u s t e
22 p = l s q n o n l i n (@( p ) fopt 92 ( p , vds , idexp ) , p0 , pmin , pmax , opts ) ;
23

24 id=fun 92 ( p , vds ) ;
25

26

27 %% Gr a f i c a s
28 figure (1)
29 hold on ;
30 p l o t ( vds , idexp , ’ ∗ ’ ) ;
31 p l o t ( vds , id , ’ r ’ ) ;
32 l egend ( ’ Datos e xp e r i m e n ta l e s ’ , ’ Modelo de n i v e l 3 ’ , ’ Locat ion ’ , ’ best ’
);
33 % Et i q u e t as de e j e s
34 x l a b e l ( ’V_{DS} (V) ’ , ’ f on tw e i gh t ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
35 y l a b e l ( ’I_D (A) ’ , ’ f on tw e i gh t ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
36 g r i d on ;
37 hold o f f ;
38

39 %% Re su ltados
40 f p r i n t f ( 1 , ’ \n−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− \n ’ ) ;
41 f p r i n t f ( 1 , ’ Re sult ados : \ n ’ ) ;
42 f p r i n t f ( 1 , ’gamma : %4.8 f \n ’ , p ( 1 ) ) ;
43 f p r i n t f ( 1 , ’ phi : %4.8 f \n ’ , p ( 2 ) ) ;
 REFERENCIAS 21

44 f p r i n t f ( 1 , ’ kappa : %4.8 f \n ’ , p ( 3 ) ) ;
45 f p r i n t f ( 1 , ’ \n−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−\n\n\n ’ ) ; Funciones
auxiliares:
1 f u n c t i o n [ id ] = fun 92 ( p , vds )
2 %% Partros de a j u s t e
3 GAMMA=p ( 1 ) ;
4 PHI=p ( 2 ) ;
5 KAPPA=p ( 3 ) ;
6

7 %% Parametros c on oc i d os
8 vgs =4; vto = 2 . 149 ; vsb=200e − 3;
9 uo = 722 . 7 ; thet a =3.777 e − 3;
10 W=500e —4; L e f f=5e − 4;w_l=W/ L e f f ;

11 nsub =2.74 e16 ;

12 tox=1e −5;
13 eox =3.453 e −13; e s i =1.03592 e −12;

14 q=1.602 e −19;

15

16 %% Calculamos l a i n te n s i d a d s e g e l modelo a n a l i t i c o de n i v e l 3
17 fb= GAMMA/ ( 4 ∗ s q r t ( PHI+vsb ) ) ; % Parametro ~ a l e f e c t o s u b s tr a to
18 vt=vto+GAMMA (∗s q r t ( vsb+PHI) s−q r t ( PHI) ) ; % VT con e f e c t o s u b s tr a to
19 u e f f=uo/(1+ theta ∗ ( vgs −vt ) ) ; % Movilidad e f e c t i v a
20 beta=u e f f ∗ eox / tox w_l ; % Beta = u Cox ’ W/L
21 vdsat=(vgs −vt ) /(1+ fb ) ; % VDS’
22 vde=min ( vds , vdsat ) ;
23 id=beta ∗( vgs −vt −(1+fb ) /2 vde ∗ ) . vde ; % Calc ulo de ID
24 s a t=f i n d ( vds>vdsat
∗ );
25 % Encontramos e l i n d i c e de l o s v a l o r e s de VDS>VDS’
26 delta L=s q r t ( 2 ∗ e s i /( q∗ nsub ) )∗ s q r t (KAPPA∗ ( vds ( s a t −) vdsat ) ) ;
27 % C alculo de l a modulacide l a l o n g i tu d d e l canal
28 id ( s a t )=id ( s a t ) ./(1 − delta L / L e f f ) ;
29 % Ef ect o de l a modulacion en l a i n te n s i d a d en s a tu r a c i o n

1 f u n c t i o n f = fopt 92 ( p , t , y )
2 % Funcion a a j u s t a r
3 y_ fi t = fun 92 ( p , t ) ;
4 % Error
5 f =(y−y_fit ) ;