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EL MOSFET

El FET de semiconductor xido-metal, o MOSFET (del ingles Metal-Oxide Semiconductor FET), tiene una fuente, puerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta est aislada elctricamente del canal. Por esta causa, la corriente de puerta es incluso menor que en un FET. El MOSFET frecuentemente se llama IGFET, que quiere decir FET de puerta aislada (del ingles insulated-gate FET). Existen dos tipos de MOSFET, el de empobrecimiento y el de enriquecimiento. Aparte de algunas aplicaciones especificas, el MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco. El MOSFET de enriquecimiento se usa mucho, tanto en circuitos discretos como integrados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia, que significa conectar y desconectar corrientes grandes. En circuitos integrados su uso principal es en conmutacin digital, proceso bsico que fundamenta los, ordenadores modernos.

EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

En la Figura 1 se muestra un MOSFET de empobrecimiento, tambin denominado MOSFET de deplexin. Se compone de una pieza de material tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a travs del estrecho canal entre la puerta y la zona p.

Figura 1. MOSFET de empobrecimiento

Una capa delgada de dixido de silicio (SiO2) se deposita en el lado izquierdo del canal. El dixido de silicio es semejante al vidrio y, por tanto, es un aislante. En un MOSFET la puerta es metlica; debido a que la puerta est aislada del canal, una corriente de puerta despreciable circula aun cuando la tensin de puerta es positiva. En la Figura 2a aparece un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de puerta negativa. La alimentacin VDD obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenador. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del substrato p. Como sucede con el JFET, la tensin de puerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta, menor ser la corriente de drenador. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente negativa, la corriente de drenador se interrumpe. En consecuencia, el funcionamiento de un MOSFET es similar al de un JFET cuando VGS es negativa. Al estar la puerta de un MOSFET aislada elctricamente del canal, podemos aplicar una tensin positiva a la puerta, como se muestra en la Figura 2b. La tensin positiva de puerta incrementa el nmero de electrones libres que circulan a travs del canal. Cuanto ms positiva sea la tensin de puerta, mayor ser la conduccin desde la fuente hacia el drenador.

EL MOSFET DE ENRlQUEClMlENTO

El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento (tambin llamado MOSFET de acumulacin). Sin el MOSFET de enriquecimiento no existiran las computadoras personales, tan empleadas hoy en da.

Figura 2. (a) MOSFET de empobrecimiento con puerta negativa; (b) MOSFET de empobrecimiento con puerta positiva

La idea bsica En la Figura 3a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio. Como se puede ver, ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. Cmo funciona? La Figura 3b muestra las tensiones de polarizacin normales. Cuando la tensin de puerta es nula, la corriente entre la fuente y el drenador es nula.

Figura 3. MOSFET de enriquecimiento. (a) No polarizado; (b) Polarizado

Por esta razn, el MOSFET de enriquecimiento est normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero. La nica forma de obtener corriente es mediante una tensin de puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p, y stos se recombinan con los huecos cercanos a1 dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos pr6ximos al dixido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. El efecto es idntico al de crear una capa delgada de material tipo n prxima al dixido de silicio. Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. La VGS mnima que crea la capa de inversin de tipo n se llama tensin umbral (en ingls: threshold voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador es nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th) , una capa de inversin tipo n conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores tpicos de VGS(th) para dispositivos de pequea seal pueden variar entre 1 y 3 V. Los JFET y los MOSFET de empobrecimiento estn clasificados como tales porque su conductividad depende de la accin de las capas de deplexin.

El MOSET de enriquecimiento est as clasificado porque su conductividad mejora cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral. Los dispositivos de empobrecimiento conducen normalmente cuando la tensin de puerta es cero, mientras que los dispositivos de enriquecimiento estn normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero.

Caractersticas de salida

Un MOSFET de enriquecimiento para pequea seal tiene una limitacin de potencia de 1 W o menos. La Figura 4a muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de enriquecimiento tpico. La curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) , la corriente de drenador es aproximadamente cero. Cuando VGS es mayor que VGS(th) , el dispositivo conduce y la corriente de drenador se controla por medio de la tensin de puerta. La parte casi vertical corresponde a la zona hmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal es en la zona hmica. La Figura 4b muestra la curva de caracterstica de transferencia tpica. No hay corriente de drenador hasta que VGS es mayor que VGS(th) . A partir de entonces, la corriente de drenador se incrementa rpidamente hasta que alcanza la corriente de saturacin ID(sat) . Ms all de este punto el dispositivo est polarizado en la regin hmica. Por tanto, ID no puede crecer aunque VGS crezca. Para asegurar la saturacin fuerte se usa una tensin de puerta VGS(on) bastante por encima de VGS(th) como se muestra en la Fig. 4b.

Figura 4. Grafica de MOS de enriquecimiento. (a) Caractersticas de salida; (b) Caractersticas de transferencia

Smbolo elctrico

Cuando VGS = 0, el MOSFET de enriquecimiento est en corte al no haber canal de conduccin entre la fuente y el drenador. El smbolo elctrico de la Figura 5a tiene una lnea de canal a trazos para indicar esta condicin de corte. Como el lector sabe, una tensin de puerta mayor que la tensin umbral crea una capa de inversin de canal tipo n que conecta la fuente con el drenador. La flecha apunta hacia esta capa de inversin, la cual acta como un canal tipo n cuando el dispositivo est conduciendo. Tambin hay un MOSFET de enriquecimiento de canal p. El smbolo elctrico es similar, excepto que la flecha apunta hacia fuera, como se muestra en la Figura 5b.

Figura 5. (a) Dispositivo de canal n; (b) Dispositivo de canal p

Mxima tensin puerta-fuente

Los MOSFET tienen una delgada capa de dixido de silicio, un aislante que impide la corriente de puerta para tensiones de puerta tanto positivas como negativas. Esta capa de aislamiento se mantiene todo lo delgada que sea posible para proporcionar a la puerta ms control sobre la corriente de drenador. Debido a que la capa de aislamiento es tan delgada se puede destruir fcilmente con una tensin puerta-fuente excesiva. Por ejemplo, un 2N7000 tiene una VGS(mx) de 20 V. Si la tensin puerta-fuente es ms positiva que +20 V o ms negativa que -20 V, la delgada capa de aislamiento se destruir. Aparte de la aplicacin directa de una VGS excesiva, se puede destruir la delgada capa de aislamiento de forma ms sutil. Si se retira o se inserta un MOSFET en un circuito mientras la alimentacin est conectada, las tensiones transitorias debidas a efectos inductivos y otras causas pueden exceder la limitaci6n de VGS(mx). De esta manera, se destruir el MOSFET. Incluso tocar con las manos un MOSFET puede depositar suficiente carga esttica para que exceda la VGS(mx) . Esta es la razn por la que los MOSFET frecuentemente son empaquetados con un anillo metlico alrededor de los terminales de conexin, envueltos en papel aluminio o insertados en espuma conductora. Muchos MOSFET estn protegidos con diodos zener internos en paralelo con la puerta y la fuente. La tensin zener es menor que la VGS(mx). En consecuencia, el diodo zener entra en la zona de ruptura antes de que se produzca cualquier dao a la capa de aislamiento. La desventaja de estos diodos zener internos es que reducen la alta resistencia de entrada de los MOSFET. El precio vale la pena en algunas aplicaciones, ya que algunos MOSFET muy caros se destruyen fcilmente sin la protecci6n de los diodos zener. En conclusin, los dispositivos MOSFET son delicados y se destruyen fcilmente, de modo que se han de manejar cuidadosamente. Asimismo, nunca se deben conectar o desconectar mientras la alimentacin est conectada. Finalmente, antes de coger con la mano un dispositivo MOSFET, debemos poner a masa nuestro cuerpo tocando el chasis del equipo con el que se est trabajando.

LA ZONA OHMICA

Aunque el MOSFET de enriquecimiento se puede polarizar en la zona activa, no se suele hacer porque es principalmente un dispositivo de conmutacin. La tensin de entrada tpica toma un valor bajo o alto. Tensin baja es 0 V, y tensin, alta es VGS(on) un valor que se especifica en las hojas de caractersticas.

Drenador-fuente en resistencia

Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on). Casi todas las hojas de caractersticas dan el valor de esta resistencia a una corriente de drenador y tensin puerta-fuente especificas. La Figura 6 ilustra la idea. Hay un punto Qtest en la zona hmica de la curvas VGS = VGS(on). El fabricante mide ID(on) y VDS(on) en este punto Qtest. A partir de aqu, el fabricante calcula el valor de RDS(on) usando esta definicin: RDS(on) = VDS(on) / ID(on) (1)

Por ejemplo, en el punto de test, un VN2406L tiene VDS(on) = 1 V y ID(on)= 100 mA. Con la Ecuacin (1): RDS(on) = 1 V / 100 mA = 10

Figura 6. Midiendo RDS(on)

Tabla de MOSFET de enriquecimiento

La Tabla 1 es una muestra de MOSFET de enriquecimiento para pequea seal. Los valores tpicos de VGS(th) van de 1,5 a 3 V. Los valores de RDS(on) est entre 0,3 y 28 , lo que significa que los MOSFET tienen una resistencia baja cuando se polarizan en la zona hmica. Cuando se polarizan en corte tienen una resistencia muy alta, aproximadamente como un circuito abierto. Por tanto, los MOSFET de enriquecimiento tienen una excelente relacin de conexin-desconexin. Dispositivo VGS(th) (V) VGS(on) (V) ID(on) RDS(on) () VN2406L 1.5 2.5 100 mA 10 BS107 1.75 2.6 20 mA 28 2N7000 2 4.5 75 mA 6 VN10LM 2.5 5 200 mA 7.5 MPF930 2.5 10 1A 0.9 IRFD120 3 10 600 mA 0.3 ID(mx) PD(mx) 200 mA 350 mW 250 mA 350 mW 200 mA 350 mW 300 mA 1W 2A 1W 1.3 A 1W

Tabla 1. Muestra de MOSFET de enriquecimiento para pequea seal

Polarizacin en la zona hmica

En la Figura 7a la corriente de saturacin de drenador en este circuito es: ID(sat) = VDD / RD (2)

y la tensin de corte de drenador es VDD. La Figura 7b muestra la recta de carga para continua entre una corriente de saturacin de ID(sat) y una tensin de corte de VDD. Cuando VGS = 0, el punto Q est en el extremo inferior de la recta de carga para continua. Cuando VGS = VGS(on) el punto Q est en el extremo superior de la recta de carga. Cuando el punto Q est por debajo del punto Qtest, como se muestra en la Figura 7b, el dispositivo est polarizado en la zona hmica; es decir, un MOSFET de enriquecimiento est polarizado en la zona hmica cuando se satisface esta condicin: ID(sat) < ID(on) cuando VGS = VGS(on) (3)

La Ecuaci6n (3) es importante, ya que nos indica si un MOSFET de enriquecimiento est funcionando en la zona activa o la zona hmica. Dado un circuito con un MOSFET de enriquecimiento, podemos calcular la ID(sat). Si ID(sat) es menor que ID(on) cuando VGS = VGS(on),

sabremos que el dispositivo est polarizado en la zona hmica y es equivalente a una pequea resistencia.

Figura 7. ID(sat) menor que ID(on) con VGS = VGS(on) asegura la saturacin

Ejemplo: Cul es la tensin de salida en la figura 8? Para el 2N7000 los valores ms importantes en la tabla 1 son: VGS(on) = 4.5 V. ID(on) = 75 mA. RDS(on) = 6 .

Figura 8. Conmutacin entre corte y saturacin

Como la tensin de entrada oscila entre 0 y 4,5 voltios, el 2N7000 est conmutando entre corte y conduccin. La corriente de saturacin de drenador en la figura 8a es: ID(sat) = 20 V / 1 K = 20 mA

La figura 8b representa la recta de carga para continua. Como 20 mA es menor que 75 mA, el valor de ID(on) , el 2N7000 esta polarizado en la zona hmica cuando la tensin de puerta es alta. La figura 8c es el circuito equivalente para una tensin de puerta alta. Al tener el MOSFET de enriquecimiento una resistencia de 6 , la tensin de salida es: Vout = (6 ) (20 V) / (1k + 6 ) = 0.12 V Por otro lado cuando VGS es baja el MOSFET de enriquecimiento est abierto (figura 8d), y la tensin sube hasta la tensin de alimentacin: Vout = 20 V. Ejemplo: Cul es la corriente del LED en la figura 9?

Figura 9. Encendiendo y apagando un LED

Cuando VGS es baja el LED est apagado. Cuando VGS es alta ocurre algo similar al ejemplo anterior porque el 2N7000 entra en saturacin fuerte. Si ignoramos la cada de tensin en el LED, la corriente por el LED es: ID 20 mA Si ponemos una cada de tensin en el LED de 2 V. tenemos: ID =(20 V 2 V) /1 k = 18 mA Ejemplo: Que pasa en el circuito de la figura 10 si una corriente de 30 mA o ms cierra los contactos del rel? El MOSFET de enriquecimiento se est usando para conectar y desconectar un rel. Como el cable del rel tiene una resistencia de 500 , la corriente de saturacin es: ID(sat) = 24 V / 500 = 48 mA Como esto es menos que la ID(on) del VN2406L, el dispositivo tiene una resistencia de solo 10 (tabla 1). La figura 10b muestra el circuito equivalente para valores altos de VGS. La corriente a travs del cable del rel es aproximadamente de 48 mA, ms que suficiente para cerrar el rel. Cuando el rel est cerrado, el circuito aparece como en la figura 10c, por tanto, la corriente final por la carga es 8 A (120 V dividido por 15 ). En la figura 10a, una tensin de entrada de solo + 2.5 V y una corriente de entrada casi cero controlan una tensin en la carga de 120 v de alterna y una corriente por la carga de 8 A. un circuito

como este es til para control remoto. La entrada puede ser una seal que ha sido transmitida desde una larga distancia a travs del cable de cobre, fibra ptica o el espacio exterior.

Figura 10. Una seal de entrada de poca corriente controla una gran corriente de salida

CONMUTACION DIGITAL

Por qu el MOSFET de enriquecimiento ha revolucionado la industria de las computadoras? Por su tensin umbral es ideal para emplearse como dispositivo de conmutacin. Cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral, el dispositivo conduce. Esta accin de corteconduccin es fundamental en la construccin de circuitos para computadoras. Una computadora comn utiliza millones de MOSFET de enriquecimiento como conmutadores de conexin-desconexin para procesar datos. (Los datos representan nmeros, texto, grficos y cualquier informacin que se pueda codificar de forma binaria.) Analgico, digital y circuitos de conmutacin La palabra analgico significa continuo, como una onda sinusoidal. Cuando hablamos de una seal analgica estamos hablando de seales que cambian continuamente de tensin, como la de la Figura 11a. La seal no tiene que ser sinusoidal. Mientras no haya saltos de tensin bruscos entre dos niveles de tensin distintos, la seal se denominar seal analgica. La palabra digital se refiere a una seal discontinua. Esto significa que la seal salta entre dos valores distintos de tensin como la forma de onda de la Figura 11b. Las seales digitales como sta son las que circulan dentro de las computadoras. Estas seales son cdigos de computador que representan nmeros, letras y otros smbolos. La palabra conmutacin es ms amplia que digital. Los circuitos de conmutacin incluyen a los circuitos digitales como un subconjunto. En otras palabras, los circuitos de conmutacin se pueden referir tambin a circuitos que encienden motores, lmparas, calefactores y otros dispositivos que usan grandes corrientes.

Figura 11. (a) Seal analgica ; (b) seal digital

Inversor con carga pasiva

La Figura 12 muestra un MOSFET de enriquecimiento con una carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal, como RD. En este circuito, vin puede ser alta o baja. Cuando vin est en nivel bajo, el MOSFET est en corte y vout es igual a la tensin de alimentacin VDD. Cuando vin est en nivel alto, el MOSFET conduce y vout cae a un valor pequeo. Para que este circuito trabaje de forma adecuada, la corriente de saturacin ID(sat) tiene que ser menor que ID(on) cuando la tensin de entrada es igual o mayor que VGS(on). Esto es equivalente a decir que la resistencia en la zona hmica tiene que ser mucho menor que la resistencia pasiva de drenador. Simblicamente: RDS(on) RD

Figura 12. Carga pasiva

Un circuito como el representado en la Figura 12 es el circuito de computador ms simple que se puede construir. Se denomina inversor, ya que la tensin de salida es de nivel opuesto a la de entrada. Cuando la tensin de entrada est en nivel alto, la tensin de salida est en nivel bajo. Los circuitos de conmutacin son menos exigentes que los amplificadores. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin es que las tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea en nivel bajo o en nivel alto. lnversor con carga activa Los circuitos integrados (CI) constan de miles de transistores de tamao microscpico, bipolares o MOS. Los primeros circuitos integrados tambin incluan resistencias de carga pasivas como la de la Figura 12. Pero una resistencia de carga pasiva tiene una gran desventaja: su tamao es mucho mayor que el de un MOSFET. Por ello, los circuitos integrados con resistencias de carga pasivas eran de mayor tamao que los que se utilizan actualmente.

Alguien encontr una solucin al problema al inventar resistencias de carga activas. Estas redujeron el tamao de los circuitos integrados, lo que dio lugar a las computadoras personales que tenemos hoy da. La idea fundamental fue eliminar las resistencias de carga pasivas. Pero cmo? La Figura 13a muestra el invento.

Figura 13. (a) Carga activa; (b) Circuito equivalente; (c) VGS = VDS = produce una curva de dos terminales

Se denomina inversor con carga activa. El MOSFET inferior an acta como un conmutador, pero el MOSFET superior acta como una resistencia de valor elevado. Observe que el MOSFET superior tiene su puerta conectada a su drenador. Por esta razn, se convierte en un dispositivo de dos terminales con una resistencia activa de valor: RD = VDS(activa) / IDS(activa) (4)

Donde VDS(activa) e IDS(activa) son tensiones y corrientes en la zona activa. Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la RD del MOSFET superior debe ser grande comparada con la RDS(on) del MOSFET inferior. Por ejemplo, si el MOSFET superior acta igual que una RD de 5 k y el inferior igual que una RDS(on) de 667 , como en la Figura 13b, la tensin de salida ser baja. La Figura 13c indica como calcular la RD del MOSFET superior. Al ser VGS = VDS, cada punto de trabajo de este MOSFET tiene que estar en la curva de dos terminales de la Figura 13c. Si se comprueba cada punto de la curva de dos terminales, se ver que VGS = VDS. La curva de dos terminales de la Figura 13c significa que el MOSFET superior acta como una resistencia de valor RD. Este valor cambia ligeramente para los diferentes puntos. Por ejemplo, en el punto ms alto mostrado en la Figura 13c, la curva tiene ID = 3 mA y VDS = 15 V. Con la ecuacin (4) podemos calcular: RD = 15 V / 3 mA = 5 k El siguiente punto hacia abajo tiene aproximadamente estos valores: ID = 1,6 mA y VDS = 10 V. Por tanto: RD = 10 V / 1.6 mA = 6.25 k

Mediante un clculo similar, el punto ms bajo, donde ID = 0,7 mA y VDS = 5 V, tiene una RD = 7,2 k. Si el MOSFET inferior tiene las mismas caractersticas de salida que el superior, entonces tiene una RDS(on) de:
RDS(on) = 2 V / 3 mA = 667

Este es el valor mostrado en la Figura 13b. Como se indic anteriormente, los valores exactos no son importantes en los circuitos digitales de conmutacin mientras los valores de tensin altos y bajos sean fcilmente distinguibles. As, el valor exacto de RD no importa. Puede ser 5, 6.25 o 7.2 k. Cualquiera de estos valores es suficientemente grande para producir una tensi6n baja en la Figura 13b. Conclusin Las resistencias de carga activas son necesarias con los CI digitales porque es importante un tamao pequeo. El diseador se asegura que el valor de RD del MOSFET superior es grande comparado con RD(on) del MOSFET inferior. Cuando se ve un circuito como el de la Figura 13a, se ha de recordar lo siguiente: el circuito acta como una resistencia de valor RD en serie con un interruptor. Como consecuencia, la tensin de salida slo puede ser alta o baja. Ejemplo: Cul es la tensin de salida en la figura 14a cuando la entrada es baja? Y cuando es alta?

Figura 14. Ejemplos

Cuando la tensin de entrada es baja, el MOSFET inferior est abierto y la tensin de salida sube hasta la tensin de alimentacin: Vout = 20 V Si la tensin de entrada es alta, el MOSFET inferior tiene una resistencia inferior tiene una resistencia de 50 . En este caso la tensin de salida se lleva prcticamente a tierra. Vout = (50 ) (20 V) / (10 k + 50) = 100 mV Ejemplo: Cual es la tensin de salida en la figura 14b? Cuando la tensin de entrada es baja: Si la tensin de entrada es alta: Vout = 10 V

Vout = (500 ) (10 V) / (2.5 k) = 2 V

Comparando con el ejemplo precedente, se puede ver que la relacin de conexin-desconexin no es tan buena. Pero en circuitos digitales una relacin de conexin-desconexin alta no es importante. En este ejemplo la tensin de salida es 2 o 10 v. estas tensiones son fcilmente distinguibles como altas y bajas