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Práctica 5
Funcionamiento del transistor
MOSFET:
3
1 Objetivo
En esta práctica se pretende analizar el comportamiento de un transistor MOSFET tipo n
(nMOS). En un primer paso, se estudian las características I-V de un dispositivo real para
posteriormente realizar un modelado teórico ajustando los valores de los parámetros con
datos experimentales, pudiendo implementar una simulación del modelo.
2 Introducción teórica
La mayoría de la información de esta sección ha sido obtenida en
G B
S
(a) Estructura (b) Esquemático
El tipo de dopado de sus terminales determinará el tipo de carga que fluye a través
del transistor, que pueden ser electrones o huecos, dando lugar a transistores de canal n
(nMOS) o de canal p (pMOS), respectivamente. En la práctica, emplearemos un transistor
nMOS, lo que nos lleva a poner énfasis en la descripción de dicho tipo de transistor.
Los terminales que constituyen un tansitor nMOS son:
• B-Substrato("Bulk " o "Body"): formado por silicio cristalino poco dopado coniones
aceptores (p−).
• Banda plana: a medida que aumentamos VGB < 0, el potencial superficial es cada vez
menos atractivo para los huecos, de forma que estos comienzan a distribuirse de
uniformemente por le substrato, viendo disminuida la capacidad del MOS. La tensión a la
cual se produce este efecto se denomina tensión de banda plana y se denota V FB .
2.3 Inversión
Vamos a discutir el comportamiento del transistor en esta región en función de los
potenciales VGS y V DS. La característica de entrada del transistor se corresponde con la
Figura 3.
• Saturación (VDS ≥VGS V−T 0): ≥ si aumentamos el valor de VGS el comporta- miento
de la intensidad para a ser cuádratico en su dependencia respecto de VGS y
prácticamente constante respecto de VDS:
β
ID ≈ — )2 (1 + ) (2.2)
2 V λV
(VGS T DS
2 INTRODUCCIÓN TEÓRICA 6
Figura 4: Característica de entrada del transistor nMOS para diferentes valores de VGS.
2.5 Movilidad
En las ecuaciones 2.2 y 2.3, podemos observar como en ambos casos la intensidad que
fluye a través del drenador es directamente proporcional a un término denominado movi- lidad
de los portadores, el cuál se denota como. En el caso de un nMOS, los portadores a los que
hace referencia dicha movilidad son los electrones.
Si bien este término se puede aproximar como una constante 0 para valores de un campo
eléctrico bajo entre la puerta y el substrato, a medida que este aumenta, los electrones que
circulan por el drenador se comprimen contra la superficie del substrato. La mayor presencia de
defectos en la red cristalina en su entrefase con el óxido, produce un mayor número de
colisiones de los electrones con la red y la consecuente disminución de la movilidad. Podemos
modelar este efecto de segundo orden incluyendo una dependencia de la movilidad en el
canal con las tensiones VGS y VSB aplicadas, las cuales contribuyen al aumento del campo
eléctrico entre la puerta y el substrato:
µ0
µ= (2.4)
1 + θ (VGS − VT ) +
θ2 VSB
donde θ, denominado coeficiente de la degradación de la movilidad, y θ2 son parámetros de
ajuste empírico. Utilizaremos 2.4 cuando la diferencia entre VGS y VT no sea despreciable, es
decir, cuando nos encontremos en inversión fuerte. Finalmente, por simple inspección de los
términos presentes en el denominador de la expresión 2.4, podemos observar cómo contribuye
el efecto substrato a la degradación de la movilidad.
3 MATERIALES Y MONTAJE EXPERIMENTAL 8
VD
Rsen
ID 15 V
AO1 V0
+
AI1+
-15 V
AO0
AGND, AI1-
Analicemos los principales componentes del circuito. Tenemos un transistor MOS in-
tegrado en el chip 4007 cuyo patillaje está indicado en la Figura 7(a) (3: G, 4: S, 5: D, 7:
B). Por otro lado, el patillaje del amplificador operacional (AO741) se encuentra en la Figura
7(b), que está polarizado entre +15V y 15V. −La resistencia conectada al AO es una
resistencia de sensado, es decir, a lo largo de la práctica iremos cambiando su valor con el
objetivo de cubrir siempre un rango apropiado del potencial v0, que debe ser de varias
voltios sin llegar a la saturación de la tarjeta de instrumentación (≈ 10.5 V).
Figura 7: Patillajes.
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 9
A lo largo de práctica nos interesará obtener las características de salida (ID frente a
VDS) y la de entrada (ID frente a VGS). La medida de ID se realizará de manera indirecta a
través de V0 (AI1+), ya que aplicando el principio de tierra virtual al AO se tiene que
V0 − V D
I ≈ (3.1)
D Rsen
4 Realización experimental
En los siguientes apartados se procederá a obtener diferentes características y paráme- tros
del circuito de la Figura 6 mediante el software LABVIEW, que nos permite modificar el
potencial en la puerta (AO1) y en el drenador(AO0) del nMOS. Además en algunos casos
emplearemos un transistor nMOS diferente al integrado en el 4007 con el objetivo de establecer
comparativas.
VT = 2.24V (4.1)
Cambiamos el transistor por el fabricado por Texas Instrument [1] y gracias a los botones
"Keep" y "Recall" realizamos otro barrido y comparamos con el que habíamos obtenido
(Figura 9):
Con la ayuda de los cursores podemos precisar los límites de esta región:
Límite superior: 1.4V, 1.14 · 10−6A Límite inferior: 0.9V, 3.30 · 10−8A
Figura 12: Pantalla LABVIEW. Rsen = 1kΩ. A la izquierda, ID frente a VDS y a la derecha,
V0 frente e VDS para diferentes VGS. Philips.
Dado que estamos en valores VGS < VT , es decir, en zona de inversión débil, las curvas tienden
rápidamente a un valor constante dependiente de VGS como se deduce de 2.1. Dado que la
dependencia de log ID con VGS en esta zona es lineal y estamos tomando valores de
4 REALIZACIÓN EXPERIMENTAL 13
Rsen
VD
ID
15 V
−
AO1 V0
+ AI1+
-15 V
AO0
100k
1k
AGND, AI1-
Figura 14: Transistor MOS conectado a una sonda de intensidad con efecto substrato.
Figura 15: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y V SB = 200mV (rojo).
Figura 16: Pantalla LABVIEW. Rsen = 10kΩ. ID frente a VGS para VDS = 100mV y
VSB = 0mV (blanco) y V SB = 200mV (rojo).
5 OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL MODELO 15
Podemos estimar el límite superior de la zona de inversión débil como la zona de la gráfica
donde se pierde la dependencia lineal. Dado que la tensión umbral produce, en primera
aproximación, un desplazamiento de las zonas de operación, esta diferencia también se
corresponde con el desplazamiento de la tensión umbral ya indicado en 4.3. En efecto, si
usamos los cursores para medir obtenemos:
VGS en [2.5V, 5V] con pasos de 50mV; VDS = 10mV; Rsen = 100kΩ.
empleamos la herramienta de Matlab CFTOOL [5] y ajustamos los datos mediante la ex-
presión
1 % UO/(1+THETA∗ ( vgs−VT) ) ∗ 3 . 4530 e −8∗100∗( vgs−VT) ∗10 e−3
que no es más que una simplificación de la expresión 2.3 asumiendo que
εox W
CoJ x = = 3.4530 · 10−8 F cm−2 y que = 100
tox L
ajustamos los parámetros de tolerancia "TolFun" y "TolX" a 10−12 y obtenemos las gráficasde la
Figura 17 y parámetros de ajuste:
(a) Philips
(b) TI
(a) Philips
(b) TI
Figura 18: ID frente a VDS con VGS = 4V y VSB = 200mV. Datos experimentales y curvade
mejor ajuste según el modelo de nivel 3.
6 PRUEBA DEL MODELO DE SIMULACIÓN 18
Debemos ahora configurar el circuito introduciendo los valores de los parámetros obte-
nidos en la sección 5 en un archivo de texto y ejecutar el análisis en DC. Podemos encontrar una
descripción más detallada de este proceso en [6]. Tras ejecutar este análisis obtenemos los
siguientes resultados, expuestos en las Figuras 20(a) y 20(b) .
(a) Philips
(b) TI
Figura 20: ID frente a VGS con VDS = 100mV. Curva superior: VSB = 0V. Curva inferior:
VSB = 0V (Efecto substrato).
7 Conclusión
A lo largo de la práctica hemos manifestado todos los objetivos y conceptos teóricos que se
trataban de alcanzar en un inicio.
20
Anexos
A Código Matlab
Script:
1 %% Aj uste segun e l modelo de n i v e l 3 ( S e c c i on 9 . 2 )
2
3 c l e a r , c lc , clo se all
4 format long
5
6 %% I mportacion de l o s datos c o r r e s p o n d i e n te s a l a s e c c i o n 8 . 2 .
7
15 % Va lore s i n i c i a l e s con e r r o r e s
16 p0 =[ 1 . 5 0 . 7 7 ] ;
17 pmax=[10 10 1 0 ] ;
18 pmin=[0 0 . 0 0.2];
19
20
24 id=fun 92 ( p , vds ) ;
25
26
27 %% Gr a f i c a s
28 fi g u re (1)
29 hold on ;
30 p l o t ( vds , idexp , ’ ∗ ’ ) ;
31 p l o t ( vds , id , ’ r ’ ) ;
32 l eg en d ( ’ Datos e xp e r i m e n ta l e s ’ , ’ Modelo de n i v e l 3 ’ , ’ L oc a ti on ’ , ’best ’ )
;
33 % Eti q ue ta s de e j e s
34 x l a b e l ( ’V_{DS} (V) ’ , ’ f ontw eig ht ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
35 y l a b e l ( ’I_D (A) ’ , ’ f ont w ei g ht ’ , ’ bold ’ , ’ f o n t s i z e ’ , 10 ) ;
36 g r i d on ;
37 hold o f f ;
38
39 %% Result ados
40 f p r i n t f ( 1 , ’ \n −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− \n ’ ) ;
41 f p r i n t f ( 1 , ’ Re sulta dos : \ n ’ ) ;
42 f p r i n t f ( 1 , ’gamma : %4.8 f \n ’ , p ( 1 ) ) ;
43 f p r i n t f ( 1 , ’ phi : %4.8 f \n ’ , p ( 2 ) ) ;
REFERENCIAS 21
44 f p r i n t f ( 1 , ’ kappa : %4.8 f \n ’ , p ( 3 ) ) ;
45 f p r i n t f ( 1 , ’ \n−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−\n\n\n ’ ) ; Funciones
auxiliares:
1 f u n c t i o n [ id ] = fun 92 ( p , vds )
2 %% Pa rtr os de a j u s t e
3 GAMMA=p( 1 ) ;
4 PHI=p ( 2 ) ;
5 KAPPA=p ( 3 ) ;
6
7 %% Parametros c on oc id os
8 vgs =4; vto = 2 . 149 ; vsb=200e − 3;
9 uo = 722 . 7 ; the ta =3.777 e − 3;
10 W=500e —4; L e f f=5e − 4;w_l=W/ L e f f ;
11 nsub =2.74 e16 ;
12 tox=1e −5;
13 eox =3.453 e −13; e s i =1.03592 e −12;
14 q=1.602 e −19;
15
16 %% Calculamos l a i n te n s i d a d s e g e l modelo a n a l i t i c o de n i v e l 3
17 fb= GAMMA/ ( 4 ∗s q r t ( PHI+vsb ) ) ; % Parametro ~ a l e f e c t o s u b s tr a to
18 vt=vto+GAMMA (∗s q r t ( vsb+PHI) s q− r t ( PHI) ) ; % VT con e f e c t o s u b s tr a to
19 u e f f=uo/(1+ theta (∗vgs vt − ) ) ; % Movilidad e f e c t i v a
20 beta=u e f f ∗eox / tox ∗w_l ; % Beta = u Cox ’ W/L
21 vdsat=(vgs −vt ) /(1+ fb ) ; % VDS’
22 vde=min ( vds , vdsat ) ;
23 id=beta ∗( vgs −vt −(1+fb ) /2 vde ∗ ) . vde ∗ ; % Calc ulo de ID
24 s a t=f i n d ( vds>vdsat ) ;
25 % Encontramos e l i n d i c e de l o s v a l o r e s de VDS>VDS’
26 delta L=s q r t ( 2 ∗e s i /( q nsub
∗ ) ) s∗q r t (KAPPA ( ∗vds ( s a t ) vdsat
− )) ;
27 % C a lc ulo de l a modulacide l a l o n g i tu d d e l ca na l
28 id ( s a t )=id ( s a t ) ./(1 − de lta L / L e f f ) ;
29 % Ef ec to de l a modulacion en l a i n te n s i d a d en s a tu r a c i o n
1 f u n c t i o n f = f opt 92 ( p , t , y )
2 % Funcion a a j u s t a r
3 y_fit = fun 92 ( p , t ) ;
4 % Error
5 f =(y−y_fit ) ;