Elementos de Electrónica Básica (2646)

Capítulo 3: Transistores de juntura bipolar (BJT)

• Características de entrada y de salida.

• Regiones de operación.
• Establecimiento del punto de operación.
• Uso del transistor BJT como llave.
• Modelos del BJT.
• El BJT como amplificador: configuración de emisor
común, base común y seguidor de emisor
• Introducción a la respuesta en frecuencia del BJT.
Características generales del BJT

• Dispositivo semiconductor.
• Dispositivo activo de 3 terminales.
• Dispositivo no lineal.
• Un cristal de silicio (o germanio) al que se han añadido
impurezas.
• Una capa de silicio de tipo p (o de tipo n) está intercalada
entre dos capas de silicio de tipo n (o tipo p).
• Dos tipos de transistores NPN y PNP
Características generales del BJT

• Corriente de base (depende de voltaje base-emisor) se usa para

controlar la corriente que fluye en el tercera terminal.

• Implementa una fuente controlada: es la base para el diseño

del amplificador! (capítulo 2).

• Señal de control: puede utilizarse para hacer que la corriente en

el tercer terminal cambie de cero a un valor grande: BJT como
llave.
Regiones de operación del BJT
• Según la polarización en directa o inversa de las 2 junturas PN:

MODO Juntura E-B Juntura C-B

Corte Inversa Inversa
Activa Directa Inversa
Saturación Directa Directa
REGION ACTIVA

• Portadores de carga electrones y huecos: bipolar. Juntura PN

• Dos junturas PN.

• Juntura EB en directa y juntura BC en inversa.

 REGION ACTIVA: corriente de emisor

• La juntura base-emisor está en directa.

• Electrones de Emisor a Base.

• Huecos de Base a Emisor.

• Por convención (contrario a la circulación de los e-) saliente del terminal de emisor.
 REGION ACTIVA: Corriente de base

• La corriente de Base tiene 2 componentes:

• iB1: huecos inyectados desde la Base al Emisor.

• iB2: huecos para suplantar los que se pierden por la recombinación.

 REGION ACTIVA: Corriente de colector

• La mayoría de los electrones inyectados por el emisor llegan a la juntura Base-Colector.

• El colector es más positivo que la base, estos electrones son “colectados” por el colector.

• Algunos electrones se “pierden” en la base porque se recombinan con huecos

• Los electrones que llegan al colector conforman la corriente de colector.

 REGION ACTIVA: Corriente de colector

• Magnitud de iC proporcional a: evBE /VT

iC = I S evBE /VT
 porque depende de la juntura Base-emisor.
 Is: como en el diodo, corriente de saturación. Parámetro del transistor.

• iC es independiente de vCB mientras la juntura CB está en inversa.

 REGION ACTIVA: Corriente de base

•iB1 e iB2 son proporcionales a : evBE /VT

 iB1 : huecos inyectados desde B dependen de la juntura BE (como en el diodo).
 iB2 :huecos para recombinación: proporcional a electrones inyectados a B.

• iB es proporcional a: evBE /VT iC I S vBE /VT

i= = e
•Puede expresarse como una fracción de iC :
B
β β
 REGION ACTIVA: Corriente de emisor

• La corriente que entra al transistor también debe salir:

iE= iB + iC

β +1 v
iE = IS e BE /VT

β
REGION ACTIVA

β +1 v IS
iE = IS e BE /VT
iB = evBE /VT iC = I S evBE /VT
β β
 REGION ACTIVA
• Tenemos la relación de las 3 corrientes con la tensión B-E
β +1 v IS
iE = IS e BE /VT
iB = evBE /VT iC = I S evBE /VT
β β

 Corriente de saturación

IS :  10-12 ~ 10-15 [A]
Depende: area juntura y temperatura 
 Voltaje térmico

VT :  25 ~ 26[mV]
  kT
 
 Cte. depende del BJT  q

β : 100 ~ 500

Depende: 
Inversamente al ancho de la base
  Dopados de base/emisor
 REGION ACTIVA
• Suma de corrientes que ingresa = a la suma de corriente que sale

iE= iB + iC

• Relación entre la corriente de colector y la de emisor

β β
iC = iE = α iE ⇒ α= ≈ 0.99
β +1 β +1

• Relación entre la corriente de base y la de emisor y colector

iC iE iC = β iB
i= =
B
β β +1
 REGION ACTIVA: Resumen
• El voltaje vBE causa una corriente de colector iC:

iC = I S evBE /VT

• iC: es independiente de vCB mientras vCB>0 (juntura en inversa).

• El colector se comporta como una fuente de corriente controlada.

• La corriente de colector es casi igual a la de emisor (un poco mas chica).

iC ≈ iE
• La corriente de base es mucho más chica que la corriente de colector o emisor

iB << iC
REGION ACTIVA: Modelo de gran señal (opción 1)
• Podemos representar el BJT en zona activa como:

Fuente de corriente
controlada por tensión
(no lineal)

IS
iE = evBE /VT
α

I SE
REGION ACTIVA: Modelo de gran señal (opción 2)
• Podemos representar el BJT en zona activa como:

IS
iB = e vBE /VT
iC = β iB
β

I SB
REGION ACTIVA: BJT tipo PNP

• Las relaciones tensión corriente son iguales a la del NPN pero cambiando vBE por vEB.
REGION ACTIVA: BJT tipo PNP, Modelos

iC = I S e vEB /VT
BJT tipo NPN y PNP

• Modelos de gran señal en región activa

Ejemplo BJT • Dados :
β = 100,
= =
vBE 0.72[V] @ iC 2[mA]

• Diseñar el circuito para:

= I C 2=[mA], VC 5 [V]

• Solución:
(15 − 5) [V]
RC= = 5kΩ
2 [mA]

VBE =
0.72 ⇒ VE =
−0.72
IC2
I= = = 2.02[mA]
α 0.99
E

VE − (−15)
=
RE = 7.07kΩ
IE
REGION DE SATURACIÓN
MODO Juntura E-B Juntura C-B
Corte Inversa Inversa
Activa Directa Inversa
Saturación Directa Directa

• Decrece corriente de colector

=iC I S evBE /VT − I SC evBC /VT
  
Diodo DC

• Aumenta corriente de base

I S vBE /VT
= iB e + I SC evBC /VT
β   
Diodo DC
REGION DE SATURACIÓN: voltaje base-colector

• Juntura Base-Colector en directa: tensión vCB ligeramente negativa (comienza

a conducir diodo CB).

• En saturación decrece la corriente iC.

• En región activa se comporta como fuente de corriente independiente de vCB.

REGION DE SATURACIÓN: voltaje colector-emisor
• El β deja de ser cte. en esta región “β forzado”
iC
β forzado
= ≤β
iB sat

• Voltaje Colector-Emisor VCE:

= VBE − VBC
VCEsat

• Por construcción física del BJT: Área Juntura BC> Área Juntura BE
VBC < VBE ⇒ VCEsat ≈ 0.1 to 0.3 V

• Típicamente asumiremos que:

VCEsat ≈ 0.3V "borde de la saturación"

 VCEsat ≈ 0.2V "saturado"
BJT curvas características: entrada-salida
• Como la relación i-v del diodo.

iC = I S evBE /VT
• Similar para iB e iE pero con
diferentes constantes IS.

β +1 v
iE = IS e BE /VT

β
IS
iB = evBE /VT
β

• Análisis “rápido” en zona activa:

VBE ≈ 0.7 [V]

BJT curvas características de salida: ic-vCE
• Vimos ic-vCB:

iC

v=
CE vCB + vBE
• Para iE fija:

v=
CE vCB + VBE

• Curva ic-vCB desplazada a la

derecha
vCE
• Región de saturación: cae iC.

• Región activa: iC independiente de vCE, fuente de corriente!

BJT curvas características: ic-vCE “real”

• Se fija un valor de VBE.

• Se obtiene una curva de salida variando la fuente colector emisor.

• Se cambia el valor de VBE y se repite el ciclo.

BJT curvas características: ic-vCE “real”

• Dependencia de iC con vCE en la región activa.

• Se observa una pendiente en la región activa (exagerada en la figura).

• En saturación vCE aproximadamente 0.2-0.3V

BJT curvas características: Voltaje de Early
• Voltaje de Early: VA =10V~100 V

vCE
iC IS e vBE /VT
(1 + )
VA
BJT curvas características: Efecto de Early

vCE
=iC I S e vBE /VT
(1 + )
VA

• Conocido como modulación del ancho de la Base.

• Para VBE fijo : v=

CB vCE − VBE
• Al incrementar vCE se incrementa la tensión inversa de la juntura BC.

• Aumenta región de vaciamiento BC: reducción de ancho efectivo de la Base.

• Aumenta IS porque es inversamente proporcional al ancho de la base: iC

aumenta proporcionalmente.
Modelo región activa con efecto Early: ro
• La pendiente muestra que la resistencia vista desde colector es finita

vCE
=iC I S e vBE /VT
(1 + )
VA
−1
 ∂i  VA
=ro = C

 ∂vCE VBE =cte 
'
IC

I C' = I S eVBE /VT

 El BJT como llave

VBB : Señal de control

R C : Resistencia de carga
iC : Corriente por la carga

• Bajo voltaje de encendido a máxima corriente.

• Para minimizar potencia de perdidas.

• On: operación en la región de saturación. VCEsat ≈ 0.1 to 0.3 V

• Off: operación en cut-off. Corriente prácticamente cero.

El BJT como llave

VCEsat ≈ 0.1 to 0.3 V

El BJT como llave: rangos de operación
• Saturación: vCB < 0
vCB =vCE − vBE ⇒ vCE ( sat ) < vBE

• Máxima corriente iC está dada por el fabricante: limita mínimo Rc.

I C (max) ⇔ RC (min)

• Mínima corriente iC para región saturación:

VCC − vCE ( sat )
I C ( sat ) =
RC
I C ( sat ) ≤ iC ≤ I C (max)

• Mínima corriente iB : para mantener corriente de saturación del colector.

VBB − vBE
iB =
RB
BJT como amplificador: Polarización de DC
• Vimos que el transistor BJT implementa fuente controlada . iC = I S evBE /VT
• Región activa: se comporta como fuente controlada de corriente.

• Polarizamos en DC para operar en zona activa: I C , I B y VCE

Polarización 1 sola Polarización con RE Dos resistencias

resistencia de base de realimentación de base
BJT como amplificador: Polarización de DC
Polarización: con una sola resistencia de base
VCC − vBE vCE =VCC − iC RC =VCC − β iB RC
iB = 
RB Recta de
carga

VCC / RC

VCC

• vBE aproximadamente fijo ~0.7.

• vCE e iC dependen del β, que puede variar de BJT a BJT.

 Polarización: con una sola resistencia de base

VCC − vBE
iB =
RB

vCE =VCC − iC RC =VCC − β iB RC


Recta de
carga

• Es una polarización simple, pero:

• vCE e iC dependen directamente de β.

• β puede variar en un amplio rango para transistores del mismo tipo.

Polarización: con RE de realimentación
• Malla de tensión de salida:
vCE =VCC − iC RC − iE RE
• Corrientes:
VCC − vBE − iE RE
β iB , iE =
iC = ( β + 1)iB , iB =
RB
• RE aparece amplificada en la base
VCC − vBE
iB =
RB + ( β + 1) RE
 
• Por lo tanto:
( β +1) RE >> RB

(VCC − vBE ) β >>1

 (VCC − vBE )
iC β=
= iB ≈
[ RB + ( β + 1) RE ] β RE
• Se independiza polarización del β que puede variar entre transistores.
 Polarización: con 2 resistencias de base y RE
Equivalente de Thevenin

R2
vTh = VCC
R1 + R2
R1 R2
RTh =
R1 + R2

• Análisis anterior reemplazando: RB = RTh

• RB esta conecta a VTh en lugar de VCC.
(VTh − vBE )
iC β=
= iB
[ RTh + ( β + 1) RE ] β
• Diseñamos para:
VTh >> vBE
( β + 1) RE >> RTh
• Voltaje de base fijo por el divisor resistivo. Estabilizamos ante variaciones de vBE.
Polarización: con RE de realimentación

• Efecto de realimentación y estabilización producido

por RE y el divisor resistivo:

Si iC ↑ ⇒ iE ↑ ⇒ vE = iE RE ↑

vB ≈ cte (divisor resistivo)

⇒ vBE ↓ ⇒ iC ↓

• En forma equivalente para un decremento de iC.

iC = I S e vBE /VT
Polarización: con 2 resistencias de base y RE, recta de carga

vCE =VCC − iC RC − iE RE

iC
vCE =VCC − iC RC − RE
α

RE
vCE = VCC − ( RC + )iC
α

• Como α ~ 1, recta de carga:

vCE ≈ VCC − ( RC + RE )iC

Polarización: Elección del punto Q
IS
iB = evBE /VT
β

vCE ≈ VCC − ( RC + RE )iC

Polarización: Elección del punto Q
• Seleccionar los valores de DC de IB, IC y VCE.

iC
• Punto Q1: muy cerca de VCC, no
permite suficiente excursión
positiva.

• Punto Q2: muy cerca de la

saturación, no permite excursión
negativa.

VCC vCE
Polarización: Elección del punto Q
• Seleccionar los valores de DC de IB, IC y VCE.

• Proporcionar suficiente rango para las excursiones de voltaje y corriente:

±iC (max) =I CQ ± ic ( pico ) ±vCE (max) =VCEQ ± vce ( pico )
• Regla diseño: dividir las caídas de VCC en el lazo de salida:

VCC / 3 VCCα
VCC =vCE + iC RC + iE RE RC = RE =
I CQ 3I CQ
• Para la base: voltaje quede fijado por el divisor resistivo:

( β + 1) RE >> RTh ⇒ RTh = 0.1( β + 1) RE

Polarización: Ejemplo
• Diseñar la polarización para un transitor Q2N2222 sabiendo que:

=
I C =10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V
Polarización: Ejemplo
• Diseñar la polarización para un transitor Q2N2222 sabiendo que:

=
I C =10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V
Polarización: Ejemplo
• Diseñar la polarización para un transitor Q2N2222 sabiendo que:

=
I C =10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V

• Usamos β=100 para el diseño.

Polarización: Ejemplo
• Diseñar la polarización para un transistor Q2N2222 sabiendo que:

=
I C =10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V

VCC / 3 5
R=
C = = 500Ω =PRC (=I CQ ) 2
R C 50mW
I CQ 0.01

αVCC0.99 × 5  I CQ 
2
R=
E = = 495Ω=PRE =  RE 50.5mW
3I CQ 0.01  α 
 Polarización: Ejemplo
• Resistencias de base (usamos β mínimo).

• Voltaje de la base quede fijado por el divisor resistivo.

R2
vTh = VCC
R1 + R2
R1 R2
RTh =
R1 + R2

RTh = 0.1( β + 1) RE = 5000Ω

10mA
VTh = 5 0.7 Ω
VE + VBE + RTh I B =+ + 5k × 6.2V
=
100
RThVCC RThVCC
R1 = Ω,
= =
12.1k R2 8.52kΩ
VTh VCC − VTh
BJT como amplificador
• BJT operando en zona activa:
BJT como amplificador: vBE Vs vCE
• BJT operando en zona activa:

• Transferencia en zona activa: vCE = VCC − iC RC = VCC − RC I S e vBE / VT

BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Híbrido-π)

Amplificador transconductancia Amplificador corriente

BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Híbrido-π)

• Resistencia de entrada:

1 ib diB
= =
rπ vπ dvBE Q = ( I B ,VBE )

IS 1 I S VBE /VT I B
iB = e vBE /VT
= = e
β rπ VT β VT
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Híbrido-π)

• Resistencia de salida:

1 ic diC
= =
ro vce dvCE Q = ( I C ,VCE )

 vCE 
=iC I S e vBE /VT
1 + 
1 I I
= S eVBE /VT ≈ C
 VA  ro VA VA
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Híbrido-π)

• Ganancia:

ic diC
g=
m =
vbe dvBE Q = ( I C ,VBE )

IC β
iC = I S e vBE /VT
g=
m =
VT rπ
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Híbrido-π)

• Ganancia:
ic diC
β= =
ib diB Q = ( IC , I B )

• Podemos calcular igualando modelos:

I C VT I C
g m vbe = g m rπ ib ⇒ g m rπ == β
=
 VT I B I B
β

• Consideremos ganancia de corriente de AC igual a ganancia de corriente de DC.

BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Modelo-T)
• Más conveniente para analizar algunos circuitos.

• Resistencia de pequeña señal entre la base y el emisor.

vbe
re ≡
ie

ic g m vbe IC IE VT
ie = ==  = v vbe ⇒ re =
α α I C αVT
be
VT IE
gm =
VT

VT VT rπ
rπ = ⇒ re ==
IB I E ( β + 1)
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Modelo-T)
• Forma alternativa:
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal (Modelo-T)
• Resistencia de salida en el modelo T:
BJT como amplificador: modelos de pequeña señal
 BJT como amplificador: modelos de pequeña señal

Amplificador equivalente de tensión: Amplificador equivalente de transconductancia:

Ri = rπ Ro = ro RC
io
G= = gm
vO I R m
vbe
Avo = = − g m (ro RC ) ≈ − C C
vbe VT
 BJT como amplificador: Emisor común

• El punto Q: establecido mediante un circuito de polarización.

• Señal de entrada: a través de capacitores de acoplamiento.

• C1 y C2 “grandes”: cortocircuito para la señal.

BJT como amplificador: Emisor común

• Modelo pequeña señal (sin la carga).

• Consideraremos RL como un elemento

externo al amplificador.

• Luego podemos determinar el efecto de

la carga.
BJT como amplificador: Emisor común (Resistencia de entrada)

vb ie RE1 + ib rπ ( β + 1)ib RE1 + ib rπ

R=
x = = =( β + 1) RE1 + rπ
ib ib ib

vB
Ri = = RB Rx =R1 R2 [( β + 1) RE1 + rπ ]
iS
 BJT como amplificador: Emisor común (Resistencia de salida)

• Se cortocircuita la fuente vS.

• Se aplica un voltaje de prueba vX sobre RC.

• La fuente controlada que depende de vBE queda abierta (¿por que?).

• Plantear por el absurdo fuente controlada funcionando. Ro = RC

BJT como amplificador: Emisor común (Ganancia de tensión)

vo − g m vbe RC rπ
= =
Avo = − g m RC
vb vb ( β + 1) RE1 + rπ

vb
v= ib=
rπ rπ Avo (max) = − g m RC
( β + 1) RE1 + rπ
be
RE 1 = 0
BJT como amplificador: Emisor común (Ganancia de tensión)

rπ
Avo = − g m RC
• Para aumentar ganancia RE1=0. ( β + 1) RE1 + rπ
• Esto bajaría la impedancia de entrada RX.

• Relación de compromiso: valor más alto de RE1 para mayor resistencia de

entrada y un valor menor para una mayo ganancia de voltaje.

• Importante: la estabilidad del punto de polarización depende de RE1.

 BJT como amplificador: Emisor común (con 2 resistencia de Emisor)

R1

• Relación de compromiso: una alternativa es dividir en 2 resistencia la resistencia

de emisor.

• Se mantiene la polarización.

• Se reduce la resistencia de pequeña señal para aumentar la ganancia

 BJT como amplificador: Ejemplo emisor común
• Datos para el diseño:
Q2N2222: β min =
100, β nominal = 3.295 × 10−14 A, VA =
173, I S = 200V
Avo (max) ≥ 20
IC =
10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V
• Solución: el circuito de polarización fue diseñado en ejemplo previo:

RC =500Ω, RE =495ΩΩ, =8.52kΩ R2

, R1 =12.1k

• Parámetros de pequeña señal:

VT 25.8 mV
=
rπ = = 258 Ω
I B 10 mA /100

VA 200 IC 10 mA
=
ro = = 20 kΩ g= = = 387.6 mA/V
I C 10 mA m
VT 25.8 mV
BJT como amplificador: Ejemplo emisor común

R1

rπ −rπ g m RC rπ
Avo =
− g m RC ⇒ RE1 = − =
22.2 Ω
( β + 1) RE1 + rπ ( β + 1) Avo ( β + 1)

RE 2 =
495 − 22.2 =472.8Ω

Ri R1 R2 [( β + 1)Ω
RE[174
1=+ rπ ] 225k 258] 2.25kΩ
× +=
R=
0 R=
C 500Ω
BJT como amplificador: colector común o seguidor de emisor

• Se lo conoce como
seguidor de emisor.
β ib
• El voltaje en el emisor
“sigue” al voltaje de la
base.

• Podría analizarse usando

modelo T.
 BJT como amplificador: seguidor de emisor (Resistencia de entrada)
• La resistencia de carga RL
queda en paralelo con RE.
β ib
• Afecta la resistencia de
entrada.

• A diferencia del emisor

común, debe incluirse RL en
el análisis.
• Nodo del emisor: ib + β ib

• Circula por el paralelo RE ro1 RL

vb ( β + 1)ib ( RE ro1 RL ) + ib rπ
Rx = = ( β + 1)( RE ro1 RL ) + rπ
=
ib ib

vb
Ri = = RB [( β + 1)( RE ro1 RL ) + rπ ]
RB Rx =
iS
 BJT como amplificador: seguidor de emisor (Ganancia de tensión)

β ib

• Nodo de emisor sin carga: ( RE ro1 ) ⇒ vo =( β + 1)ib ( RE ro1 )

• Ganancia sin la carga:
v ( β + 1)ib ( RE ro1 ) 1
Avo = o =
vb ib rπ + ( β + 1)ib ( RE ro1 ) rπ / [( β + 1)( RE ro1 )] + 1

Avo ≈
 1
rπ <<[( β +1)( RE ro1 )]
 BJT como amplificador: seguidor de emisor (Resistencia de salida)

β ib

• Circuito para determinar Ro:

rπ

β ib RE
 BJT como amplificador: seguidor de emisor (Resistencia de salida)
vB − v x
ib =
rπ rπ
−ib ( Rs RB ) − vx
ib =
β ib RE rπ
−vx
⇒ ib =
rπ + ( Rs RB )
• Nodo de salida:
vx
ix + ib + β ib =
RE ro1
vx vx vx
=
ix − (β =
+ 1)ib +
RE ro1 RE ro1 [rπ + ( Rs RB )] / ( β + 1)

 rπ + ( Rs RB )  rπ + ( Rs RB )
Ro = ( RE ro1 )   Ro ≈
• En general es
 ( β + 1)  ( β + 1) baja.
 BJT como amplificador: Ejemplo seguidor de emisor
• Datos para el diseño:
=
Q2N2222: β min 100,
= β nominal 173
3.295 ×10−14 A, VA =
IS = 200V
IC =
10mA, =
VCC 15V, VBE 0.7V
RL =
5kΩ, R S 250Ω
• Solución: el circuito de polarización
VE VCC / 2 7.5
R= = = = 743Ω
I C / α 10.1mA
E
IE

VCC − ( I E RE + VBE ) 6.8

RB = == = 68kΩ
IC / β 0.1mA
 BJT como amplificador: Ejemplo seguidor de emisor
• Parámetros pequeña señal del BJT: igual que ejemplo emisor común

VT 25.8 mV
=
rπ = = 258 Ω
I B 10 mA /100

VA 200
=
ro = = 20 kΩ
I C 10 mA IC 10 mA
g=
m = = 387.6 mA/V
VT 25.8 mV
• Parámetro del amplificador:
1
Avo = 0.996
rπ / [( β + 1)( RE ro )] + 1

rπ + ( Rs RB )
Ro ≈ =
5Ω
( β + 1)
Ri RB [( β + 1)( RE Ω
= ro RL ) + r=
π] 33.4k
BJT como amplificador: base común

• La señal de entrada se aplica al

terminal emisor.

• La base es común tanto a la

entrada como a la terminal de
salida

• Baja impedancia de entrada.

• La salida está en fase con la

entrada.
BJT como amplificador: base común

• Baja resistencia de entrada: en general no se utiliza como amplificador de

tensión.

• Tiene una buena respuesta en alta frecuencia.

• El capacitor colector-base parásito del transistor aparece entre salida y base.

• No aparece entre entrada y salida: no se amplifica por efecto Miller.

BJT como amplificador: base común
 BJT como amplificador: base común (Resistencia de entrada)
• Despreciamos ro
ve ve
R= ≈
ie −ib − g m vbe
x

−ve rπ −ve
vbe = ib =
RB + rπ RB + rπ

ve RB + rπ RB + rπ
Rx = ≈ =
ie 1 + g m rπ 1+ β

ve
Ri == RE [( RB + rπ ) / (1 + β )]
RE Rx =
iS
BJT como amplificador: base común (ganancia de voltaje)
vo =
−ic RC =
− g m vbe RC
−ve rπ
vbe =
RB + rπ
g m rπ
vo = RC ve
RB + rπ
vo g r
=
Avo = RC m π
ve RB + rπ

vo RC β
= =
Avo • La ganancia depende en forma directa de β.
ve RB + rπ
• Igual que Emisor Común, pero sin cambio de fase.
Avo (max) =
 g m RC
RB = 0 • RB se puede “hacer cero” en señal conectando un
capacitor entre la base y tierra.
BJT como amplificador: base común (Resistencia de salida)

• Al hacer vs=0, la fuente controlada se abre:

RO = RC
 BJT como amplificador: base común (Resistencia de salida)
• Datos para el diseño:

=
R1 13.16kΩ, R2 8.06kΩ
RE =
495Ω, RC 500Ω
rπ = 258Ω, β = 100, ro = ∞
RL= 5kΩ, R S= 0 − 250Ω
• Solución
Ri =RE [( RB + rπ ) / (1 + β )] =495 52 =47Ω
Ri β=
= 200
= 25.96Ω
495 27.4
vo RC β 500 ×100 RC β
= =
Avo = = 9.5
ve RB + rπ 5000 + 258 Avo=
(max)  = 193.8
RB = 0 rπ

RC β 500 × 200
A=
vo β = 200 = = 18 R=
O R=
C 500Ω
RB + rπ 5000 + 516
BJT como amplificador: Resumen

EMISOR COMUN SEGUIDOR DE EMISOR BASE COMUN

BJT modelo y respuesta en frecuencia (introducción)
• Hasta acá asumimos que las junturas C-B y B-E no tienen capacidades.
• Incluir capacidades: modelar el comportamiento en frecuencia.

• Ancho de banda:
= fH − fL
BW

• Producto ganancia
ancho de banda
GB = BW AM
BJT modelo y respuesta en frecuencia (introducción)
• Capacidades internas:
Variaciones de carga producidas
por variaciones de tensión

Cπ : modela 2 capacidades
C=
π Cb + C je
Cb : Capacidad de «carga de base» o difusión, debido a portadores
minoritarios (electrones para NPN) que se almacenan en la base del BJT.
IC
Cb = τ F τ F : Tiempo de tránsito de la base
VT
C je : Capacidad de juntura B-E, un cambio en vBE cambia no sólo la carga
almacenada en la región de base sino también la carga almacenada en la
región de vaciamiento base-emisor.
BJT modelo y respuesta en frecuencia (introducción)
• Capacidades internas:
Variaciones de carga producidas
por variaciones de tensión

Cµ : modela la capacidad de la juntura C-B

Cµ 0 Cµ 0 : Capacidad con cero tensión

Cµ = VCB : Voltaje de la junutura C-B
(1 + VCB / V0C ) m
V0C : ≈ 0,75 voltaje interno
m : 0,2~0,5 coeficiente de graduación

• En modo activo, la juntura C-B está polarizada inversamente.

• Cµ representa la capacidad de esta juntura.
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH)
• Frecuencia de corte superior del
amplificador BJT emisor común

• Resistencia del terminal de base

• Usualmente se incorpora para
análisis en alta frecuencia
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH) emisor común

RL' = ro RC RL

= '
Rsig (( Rsig ) )
RB + rx rπ

RB rπ
V '
= Vsig
RB + Rsig rπ + rx + ( Rsig RB )
sig
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH) emisor común

• Hay 2 capacitores.

• La función transferencia resultante es de segundo orden.

• Pueden determinarse los polos y ceros.

• Esto no resulta en expresiones sencillas.

• Objetivo: “revelar” que es lo que limita al amplificador de EC en alta frecuencia.

BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH) emisor común

• Simplificación: reemplazar Cµ que conecta entrada-salida por equivalente.

• Despreciamos el capacitor reflejado a la salida (No se amplifica por Miller).
• Nos concentramos en el lado de la entrada.
 BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH) emisor común

• Asumimos que en un
entorno de fH:
I µ << g mVπ

V0 ≈ − g mVπ RL'

• Calculamos

= − Vo ) sCµ (Vπ + g mVπ RL' ) =

I µ sCµ (Vπ= sCµ (1 + g m RL' )Vπ =
sCeqVπ

Av

• Efecto Miller o
multiplicador de Miller
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fH) emisor común

• Con la aproximación ahora tenemos unan función transferencia de 1er orden

ωH 1 Cin =Cπ + Ceq =Cπ + Cµ (1 + g m RL' )

=
fH =
2π 2π Cin Rsig
'
= '
Rsig (( Rsig ) )
RB + rx rπ

• Importante: si R’sig es muy baja puede dominar la frecuencia de corte el

capacitor de salida que despreciamos para el análisis.
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Frecuencia de corte inferior del amplificador.

• Capacitores de acople y desacople.

• Para poder determinar fL.

• O para calcular los valores de C

Modelo T

rπ
re =
( β + 1)
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)

• Opción: encontrar la función transferencia completa.

• No brinda una noción útil para el diseño.

• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito

BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito:

1. Señal de entrada a cero.

2. Considerar los capacitores uno a la vez. El resto asume un valor

infinito: corto circuito.

3. Analizar la resistencia Ri vista por el cada capacitor: por inspección

o con una fuente de prueba vx.

4. Calcular la frecuencia aproximada de corte como:

1 1
fL =
2π
∑i C R
i i
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito

• CC1:
• RE se cortocircuita.
• Modelo π más adecuado para CC1
• re se refleja en la base como rπ.

R=
CC 1 Rsig + ( RB Rπ )
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito

• CE:
• Resistencias de la base reflejadas en
emisor.

=RCE [( RB Rsig ) / ( β + 1) + re ] RE
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito

• CC2:
• La fuente de corriente controlada se
abre.

RCC=
2
RC + RL
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Método de las constantes de tiempo de cortocircuito

R=
CC 1 Rsig + ( RB Rπ ) RCC= RC +=
RL R [( RB Rsig ) / ( β + 1) + re ] RE
2 CE

1  1 1 1 
=
fL  + + 
2π  C1 C1
R C R C
C2 C2 RE E 
C

• El capacitor que tiene la constante de tiempo RC más chica domina la

frecuencia de corte

• En general para el amplificador emisor-común es CE porque RCE es

típicamente pequeña.
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL)
• Diseño de los capacitores de acople.

1  1 1 1 
=
fL  + + 
2π  C1 C1
R C R C
C2 C2 RE E 
C

• Objetivo: ubicar la frecuencia fL de 3dB en un lugar apropiado, minimizando los

valores de los capacitores.

• Usualmente domina CE porque “ve” la resistencia más chica.

• Regla de diseño 1: dada fL :

1 1
= 0.8 f L
2π RE CE

1 1 1 1
= 0.1 f L = 0.1 f L
2π RC 2CC 2 2π RC1CC1
 BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL): Ejemplo

R1

R=
C Ω
500Ω, RL =50k
R1 =12.1k Ω, R2 =8.52kΩ rπ
RCE =
[ + RE1 ] RE 2 =Ω
23.5
R B ΩR=
= ( β + 1)
1 R2 5k 
re
=
RE1 22.2 Ω =
RE 2 472.8Ω
RC2 = RC + RL = 50.5kΩ
β = 200 =
re 2.56Ω
VT 25.8 mV RC1= RB [(re + RE1 )( β + 1)]= 2494Ω
=
rπ = = 516 Ω
I B 10 mA / 200
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL): Ejemplo

R=
CE 23.5Ω =
RC2 50.5kΩ =
RC1 2494Ω

1 1 1 1 1 1
= 0.1 f L = 0.8 f L = 0.1 f L
2π RC 2CC 2 2π RCE CE 2π RC1CC1

1
=C2 = 158nF
2π RC 2 0.1 f L
f L = 200Hz
1
=C1 = 3.2 µ F
2π RC1 0.1 f L
1
=CE = 42 µ F
2π RCE 0.8 f L
BJT modelo y respuesta en frecuencia (fL): Ejemplo 2
• Regla de diseño 2: separamos los polos una década

1 1 1 1 1 1
= fL = 0.1 f L = 0.01 f L
2π RCE CE 2π RC1CC1 2π RC 2CC 2

R=
CE 23.5Ω =
RC2 50.5kΩ =
RC1 2494Ω

1
=C2 = 1.57 µ F
2π RC 2 0.01 f L
f L = 200Hz
1
=C1 = 3.2 µ F
2π RC1 0.1 f L
1
=CE = 34 µ F
2π RCE f L
BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT

• Frecuencia de transición o ancho de banda de ganancia unitaria.

• Es un parámetro que se obtiene de la hoja de datos.

• Definición: frecuencia a la cual la ganancia de corriente de AC de cortocircuito de

un emisor común es unidad.

• Ganancia= corriente de colector/corriente de base.

 BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT

• Nodo entrada:
Vbe ( s )  1 
I b ( s=
) Vbe ( s ) sCπ + + sCµVbe ( s ) ⇒ Vbe ( s ) =
I b ( s )  rπ 
rπ  s (Cπ + Cµ ) 
• Nodo de salida

I c (s) g mVbe ( s ) −=
I Cµ ( s ) g mVbe ( s ) − Vbe ( s ) sCµ = ( g m − sCµ )Vbe ( s )

I c (s)  1 
β ( s ) = = ( g m − sCµ )  rπ 
Ib (s)  s (Cπ + Cµ ) 
BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT

 1  ( g m − jωCµ )rπ
β (=
s ) ( g m − sCµ )  rπ  β ( jω ) =
 s (Cπ + Cµ )  jω rπ (Cπ + Cµ ) + 1

( β − jωCµ rπ ) β
β ( jω )  ≈

β g m rπ 1 + jωβ (Cπ + Cµ ) / g m β >>ωCµ rπ 1 + jωβ (Cπ + Cµ ) / g m

β
β ( jω ) = =ωβ g m / β (Cπ + Cµ )
1 + jω / ωβ
BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT

β
β ( jω ) = =ωβ g m / β (Cπ + Cµ )
1 + jω / ωβ

β ( jω )
β
β =1
1 + jωT / ωβ

1 + ωT2 / ωβ2 =
β2

=ωT ωβ2 ( β 2 − 1)

g m2 gm gm
ωT ( β − 1) ≈
2
fT =
β (Cπ + Cµ )
2 2
(Cπ + Cµ ) 2π (Cπ + Cµ )
 BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT

gm Depende del punto de polarización.

fT = •
2π (Cπ + Cµ )

β ( jω )

β
BJT modelo y respuesta en frecuencia: frecuencia fT