Transistores

• Simbología y Representación

► Símbolo
► Número
► Tipo
 • Resistencia de Transferencia

► Dispositivo electrónico semiconductor

► Funciones: amplifica, oscila, conmuta (rectifica)
► Usos: industria, doméstica, salud, personal.
► Válvula termoiónica (tríodo)
► Dic 1947 Bardeen-Houser-Bradfors (Física 1956)
 • Elemento activo

► 1 sustrato y 3 partes con 2 uniones

Emisor.- emite portadores
Colector.- recibe o recolecta
Base.- modula el paso
► Principalmente controlado por corriente
 • Modelos

► BJT

► FET
► MOSFET
► JFET
► CMOS
► VMOS
❖ Gradúan la conductancia del canal entre F y D, con la tensión en P
 • Transistor BJT
► Dispositivo electrónico de estado sólido
► 2 uniones muy cercanas
► 1 sólo cristal semiconductor
► 3 regiones:
E.- Muy dopada
B.- Poco Dopada
C.- Menos que el E
► B-E en directa y B-C en inversa
► Estados de Operación:
Corte
Saturación
Actividad
• Polarización PNP
Aspecto tratado en clases

E
P N P C
Polarización Polarización
Directa B Inversa

+ +

E C
P N P
IE IC
VEE IB B VCC
+ +
 • Polarización NPN

E N P N C
B
+ +

Movilidad del electrón > hueco => desempeño

• Eficiencia (NPN): Ganancia IE, IB

Factor de mérito/Eficiencia - Eficacia

• Regiones operativas
Características de operación

Corte o estado de bloqueo

Saturación o circuito cerrado

Los valores de VBE=0,7V y VCEsat=0,2V son valores típicos empleados en los cálculos de circuitos.
TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR
- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor)
- De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en:
TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT

puede ser explicado como el de dos diodos
pn pegados uno a otro.
- En este esquema (condición directa), la
unión Base – Emisor (BE) actúa como un
diodo normal.
- Note en la gráfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.
- Conectemos ahora en forma inversa la
conexión Base – Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se
dividen en dos: unos que se dirigen hacia la
base, recombinándose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy angosta,
De ese modo la probabilidad de paso es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente
(convencional) de colector al emisor.
- La corriente que fluye al colector es mayor
que la que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:

y además:

donde β es el factor de amplificación (20 – 200)

Para analizar la característica i – v de
un transistor se debe tomar los
siguientes pares:

Este último par origina una familia de

curvas.
En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB
inyecta una corriente en la base, en conexión directa. Variando IBB y midiendo
la variación vBE se obtiene la gráfica mostrada.
 Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje variable
al colector.

Adicionalmente a la variación de iB.

Variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente en el colector.
Esto genera toda una familia de curvas, una para cada valor de iB.
Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica:

REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas

en contra. La corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para
todos los efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un
amplificador lineal. La unión BE está conectada en directo y la
unión CB está en reversa.

REGION DE
SATURACION:
Ambas uniones
están conectadas
en directo.

REGION DE
RUPTURA: Que
determina el límite
físico de operación del
transistor.
DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Ejemplo 1.- Asumamos que los

voltímetros dan las siguientes lecturas:

Podemos, en primer lugar determinar

que
lo que quiere decir que la conexión
BE está conectada en directo.
Calcular a corriente en la base:

Calcular la corriente en el colector:

Calcular la ganancia:
La corriente en la base será:

Al mismo tiempo, la corriente en el

colector será:

Y la correspondiente ganancia:
Al haber ganancia, el transistor está en la región lineal activa.
El transistor está en la región lineal activa, ya que hay ganancia.
Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:
…. y la corriente en base:
Vcc = IcRc + Vce + Ve

Interceptos:
Ic = 0
Vce = Vcc – Ve = 12 – 1.3 = 10.7 V
Vce = 0
Ic = (Vcc – Ve) / Rc = (12 – 1.3) / 1k = 10.7 m A

Punto Q:
Ic = hfe Ib = 80 * 50 u = 4 mA

Vce = Vcc – Ve – Ic Rc = 12 – 1.3 – 4m*1k = 6.7 V

Interceptos: Punto Q:
Vce = 10.7 V Ic = 4 mA

Ic = 10.7 m A Vce = 6.7 V

 Para responder a esta pregunta
deberemos determinar si las uniones BE y
BC se encuentran en conexión directa o
inversa.
De los datos anteriores:

Ejemplo 2: Hallar el régimen Ambos están en directo.

de trabajo del transistor en el
circuito mostrado si:

El último valor nos indica que estamos en la

región de saturación.

Recordar:
En la región de saturación ambas
conexiones están en directo. En la región
activa, BE está en directo y BC en reversa.
 ELECCION DE UN PUNTO DE
OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Usemos el circuito mostrado para calcular

el punto de operación, también
denominado punto Q.
Las correspondientes Ecuaciones de
Kirchoff:

De la última ecuación obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente

son:

Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este

recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.
En este punto, el BJT puede usarse como
amplificador lineal
 VB = 2.7 v
VE = 2 v
VC = 2.3 v

VB - VE = 0.7 v “directa”

VB - VC = 0.4 v “directa” ?

VC - VE = 0.3 v “saturación”
La corriente en la base será:

Al mismo tiempo, la corriente en el = (4 – 2.7) / 40k = 32.5 u A

colector será:

= (12 – 2.3) / 1k = 9.7 m A

Y la correspondiente ganancia:

= 298.5
Vcc = IcRc + Vce + Ve

Interceptos:
Ic = 0
Vce = Vcc – Ve = 12 – 2 = 10 V
Vce = 0
Ic = (Vcc – Ve) / Rc = (12 – 2) / 1k = 10 m A

Punto Q:
Ic = hfe Ib = 298.5 * 32.5 u = 9.7 mA

Vce = Vcc – Ve – Ic Rc = 12 – 2 – 9.7m * 1k = 0.3 V