INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este

tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y se estudian los
modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización.
Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya
que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.

CORRIENTES EN UN TRANSISTOR DE UNIÓN O BJT

Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente,
el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo
la región de base muy delgada (< 1μm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la
zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del
transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En
ambos casos se verifica que

REGIONES DE OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR

En la siguiente figura se muestran las distintas zonas de operación de un transistor polarizado en

forma directa para una configuración emisor común.

• Región de corte

En la región de corte las uniones de emisor y colector están polarizadas en inversa; la V BE y la

VBC tienen tensiones inferiores a 100mV. Las corrientes del transistor son extremadamente
bajas y pueden ser despreciadas; a efectos prácticos se puede considerar al transistor como si no
existiese. Sin embargo, en muchos circuitos resulta interesante establecer cuando se dan las
condiciones de conducción de un transistor, es decir, fijar la frontera entre la región de corte y
lineal. Esta frontera no es clara y el transistor pasa de una región a otra de una manera gradual.
  Región de ruptura
Las tensiones mínimas que pueden soportar las uniones PN inversamente polarizadas se
denominan tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del
transistor debido a dos fenómenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforación. El
fabricante proporciona dos tensiones mínimas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las
tensiones mínimas de polarización en continua los transistores.
La VCEO define la tensión mínima entre el colector y emisor, estando la base en circuito abierto,
antes de que se produzca fenómenos de multiplicación de avalancha que incrementa
exponencialmente la ICO a través de la unión de colector. La V CES define la tensión mínima del
colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la región de
transición alcance el emisor perforando la región de base. Gráficamente, en la figura 1.7 se
muestra la definición de ambas tensiones. Por ejemplo, el transistor BC547 tiene V CES=50 V y
VCEO=45 V, y son estas tensiones las que limitan las propias tensiones mínimas de
alimentación.

• Región activa lineal

En la región activa lineal el transistor se comporta como una fuente de corriente constante y
puede ser utilizado como un amplificador de corriente. Si se observa la figura 1.2 se puede ver
las curvas paramétricas para distintas corrientes de base, esto es para una misma corriente de
base la corriente de colector será constante independientemente del valor de V CE. O sea dada
una corriente de base Ib1 corresponde una corriente de colector I c1, esta corriente de colector
permanecerá constante si se varía la tensión VCE .
Cabe aclarar que las curvas mostradas y los cálculos realizados corresponden a transistores
ideales en los transistores reales las curvas paramétricas de base no son horizontales y tienen
una pequeña pendiente positiva.

De la ecuación 1.1:
I E =I B + I C

La corriente de colector se relaciona con la corriente de emisor mediante.

I C =∝ I E con∝<1
I B=I E−I C
I B=I E−∝ I E
I B=I E (1−∝ )

Teniendo en cuenta que I E =I C /∝

( 1−∝)
I B=I C
∝
Donde:
∝
β=H FE=
( 1−∝ )
Denominado factor de amplificación de corriente entonces podemos concluir que la corriente de
colector será β veces la corriente de base:
I C =β I B =H FE I B
El factor de amplificación indica la relación lineal de las corrientes de base y de colector en un
transistor, aunque este valor puede variar hasta en un 500% debido a distintos factores como:
a) Proceso de fabricación.
b) Corriente de colector.
c) Temperatura.

• Región de saturación
En la región de saturación las uniones de emisor y colector están polarizadas en directa; la V BE
y la VBC tienen tensiones superiores 100mV. La conducción de corriente es máxima y el
transistor se comporta de manera no lineal.
Los valores típicos de la V CE(sat) están próximos a 0.1 o 0.2 V y la V BE(sat) es ligeramente
superior a la de la región lineal (≈0.8 V). El transistor está operando con una relación
βF(sat)=IC/IB variable e inferior a la βF de la región lineal.

CONCEPTO DE PUNTO DE TRABAJO Y RECTA DE CARGA ESTÁTICA

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales
que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas
a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión
externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización. Las fuentes de
alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua
necesarias para que el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor de la
que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificación). Los valores de corrientes y
tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele
expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
En el circuito de la siguiente figura podemos ver un transistor polarizado en la configuración
emisor común (izquierda) y su equivalente de Thevenin.
Donde:
R2
V BB=V CC
R 1+ R 2
Y
Rb =R1 /¿ R 2¿
¿

En la siguiente figura observamos la recta de carga de corriente continua donde se aprecia el

punto de trabajo y la recta con pendiente -1/(Rc+Re)
Analizando la malla base emisor tenemos:

V BB=I B R b +V BE + I E R E

Tomando VBE=0,7V y IE≈IC la ecuación puede escribirse como

I CQ
V BB ≈ R +0,7 + I CQ R E ¿
β b ¿

En la malla de colector emisor se cumple que:

V CC ≈ I CQ ( RC + R E ) +V CEQ
Ejemplo: Hallar los valores de R1 y R2 para el circuito de la figura. Para I CQ=2,8mA. β= 200.

V CEQ =V CC −I CQ ( RC + R E )=24−0,0028(4700+ 470)=9,52V

La resistencia RB La elegimos de acuerdo a:
Rb ≪ β R E
Tomamos
RE 470
Rb ≤ β =200 =9400
10 10
Entonces

V BB=I CQ ( Rb
β )
+ R E +0,7=2,14 V

Calculamos los valores de R1 y R2.

V CC Rb
R 1= =105 K Ω
V BB

V BB R1
R 2= =10,32 K Ω
( V CC −V BB )

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO.

Los transistores de efecto campo son dispositivos semiconductores que dependen, en cuanto al
control de la corriente de un campo eléctrico. Hay dos tipos de transistores de efecto campo:
1. Transistores de efecto campo de unión JFET o FET.
2. Transistores de efecto campo de puerta aislada IGFET. O mas comúnmente
denominados transistores de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
Los transistores de efecto campo difieren de los transistores bipolares de unión en las siguientes
principales características:
1. Su funcionamiento depende únicamente de la circulación de portadores
mayoritarios. Es por lo tanto un dispositivo unipolar.
2. Su fabricación es mas simple y ocupa menos espacio en forma integrada.
3. Tienen una gran impedancia de entrada, normalmente varios megaohms.
4. Tienen menos ruido que un transistor bipolar.
5. No tienen tensión de compensación.
Las principales desventajas de los FET son;
1. Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
2. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los
BJT.
3. Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
Entre las principales aplicaciones de los MOSFET es en la integración de sistemas digitales LSI,
como así también en circuitos de potencia
FET DE UNION.
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n
con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal
cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 4
se describe un esquema de un JFET de canal n. Si se hace circular una corriente a lo largo de la
barra conectando una tensión de alimentación entre sus extremos, esta corriente estará
constituida por portadores mayoritarios, que en el caso de un material n será electrones.
Ahora aplicamos una tensión entre el terminal de puerta y el surtidor V GS de manera tal que
polarice en sentido inverso al diodo formado entre la barra de silicio y la puerta. Los portadores
de corriente se difunden, dejando solo iones no neutralizados, positivos del lado n y negativos
del lado p. Cuando la polarización inversa aumenta también aumentara la cantidad de iones no
neutralizados, la conductividad de esta zona es practicamente nula debido a la no existencia de
portadores (electrones en n). Por lo tanto el ancho del canal de conduccion tambien disminuye y
de este modo disminuirá la corriente a traves de la barra.

Figura 4: esquema de un FET.

Las curvas características de los FET son muy similares a los transistores bipolares. Sin
embargo como dijimos anteriormente los FET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de sus pares bipolares que son controlados por corriente. Se pueden definir cuatro
regiones de operación de un FET:

 Región de corte.
 Región lineal.
 Región de saturación.
 Región de ruptura.
 Figura 5: Curvas características de un FET.
• Región de corte.
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (I DS=0). Esto se debe a que la tensión
VGS es lo suficientemente negativa que las zonas de inversión estrangulan el canal evitando la
conducción. La tensión a la cual ocurre este fenómeno se denomina tensión de estrangulamiento
o pinch-off, y le la representa como V GS(off) o VP. Por ejemplo, el BF245A tiene una V GS(off)=-
2V.
• Región lineal.
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas
aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El fabricante
proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (r ds(on)) para diferentes valores de VGS tal
como se muestra en la figura 1.12.
• Región de saturación.
En esta región, de similares características que un BJT en la región lineal, el JFET tiene unas
características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente de
intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión
VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación cuadrática o
ecuación de Schockley que viene dada por:

V GS
I D=I DSS (1− )2
VP

donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación. Esta corriente

se define como el valor de ID cuando VGS=0. La ecuación anterior representa una parábola en el
plano ID y VGS desplazada en Vp. Esta relación junto a las características del JFET de la figura
5 permiten obtener gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la región de saturación.
La figura 6 muestra la ransistorión gráfica de este punto Q y la relación existente en ambas
curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un ransistor utilizando
métodos gráficos.
 Figura 6: Obtención del punto de trabajo Q.
• Región de ruptura.
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la
unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre
drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BV DSS y
su valor está comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarización nunca deben superar
estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.
POLARIZACIÓN DEL FET.

Como vimos anteriormente el FET tiene el inconveniente de necesitar una tensión negativa en la
compuerta respecto del surtidor. El circuito presentado a continuación rompe esa dificultad al
colocar una resistencia RS de manera de crear un divisor resistivo.

Figura 7: polarización del FET.

Para la polarización del FET se procede de la siguiente forma:
1. De la curva característica del FET se elije el punto de trabajo Q. De donde se
obtiene VDSQ, IDSQ.
2. Se traza una línea horizontal hasta cortar la parabola característica de V GS, este
punto nos determirá VGSQ.
3. Se calcula la resistencia RS.
 Figura 8: Rectas de carga.
TRANSISTORES MOSFET.

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de

campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez,
estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexión (deplexion); en la
actualidad los segundos están prácticamente en desuso, por ello se explicarán únicamente los
MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
En la figura 9 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro
terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra
conectado a la fuente, por ello la mayoría de los MOSFET tienen 3 terminales. La puerta, cuya
dimensión es W-L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si0 2) formando una estructura
similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce
cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de
conducción entre los terminales drenador y fuente. La tensión mínima para crear ese capa de
inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro
característico del transistor. Si la V GS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores
típicos de esta tensión son de 0.5 V a 3 V.

Figura 9. Mosfet canal N.

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. En la figura 10 se muestran
las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de
operación que son descritas brevemente a continuación.
 Región de corte: Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.
 Región lineal: El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal
controlado por tensión. Verifica las siguientes ecuaciones:
 [
I D=C ( V GS −V T ) V DS − ]
V 2DS
2
0<V DS <V GS −V T y V GS >V T
Donde:
W
C=k
L
un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y
del tamaño de la puerta del transistor (W el ancho y L la longitud).
 Región de saturación: El transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por VGS, donde se verifican las siguientes ecuaciones:
C
I D= ( V GS −V T ) 2
2
0<V GS −V T <V DS y V GS >V T

Siendo C el parámetro descrito anteriormente. En esta región, la relación cuadrática entre V GS e

ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura 10, y de una manera similar a los
transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de
polarización de los transistores.
 Región de ruptura: Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de
avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido de la puerta
que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.

Figura 10. Curvas características de un MOSFET.