TRANSISTORES

Introducción
Generalidades
Aplicaciones
 ¿Qué es el Transistor?
Un Transistor es un dispositivo semiconductor (silicio, germanio), que
permite amplificar señales de voltaje, es decir, utilizando pequeñas
señales, puede controlar elementos que requieren mayor señal.

Un transistor es similar a dos diodos contrapuestos: Formado por tres zonas

de dopado.
 Tipos de transistores
PNP
BJT NPN

Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
MOSFET Acumulación
Canal N

Deplexión Canal P
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.

ATE-UO Trans 01
Zonas de Dopaje
Un transistor tiene tres zonas de dopaje,
como en el caso de los diodos está
hecho de semiconductores dopados
para tener mayor número de
electrones libres o huecos.

La zona superior es el "COLECTOR“.

La zona central es la "BASE"
La zona inferior es el "EMISOR".

El Emisor está muy impurificado, la Base

tiene una impurificación muy baja,
mientras que el Colector posee una
impurificación intermedia.
TIPOS DE TRANSISTORES
Según el orden como se combinan las
zonas de dopaje, existen dos tipos
de Transistores BJT.

Transistor NPN
Transistor PNP

NOTA: Las siglas P y N, tienen el mismo

significado que en los diodos, es
decir: N (negativo: mayor número de
electrones libres); y P (positivo:
mayor número de huecos).
 Tipos de transistores bipolares

transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP

C C
colector colector

B B
base base
emisor emisor
E E

• Sentido flecha: de P hacia N

Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.

Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio
Magnitudes en los transistores bipolares
• Seis magnitudes a relacionar
• Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
• Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
• Dos ecuaciones de comportamiento
• Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN IC PNP
+ IC
VBC –C + VCB C
–
IB + IB –
VCE VEC
B + B
–
VBE VEB
– E – + E
+
IE IE
 b del transistor
Definimos la b de corriente continua como

IC
 dc 
IB
Suele tener un valor de entre 50 a 400. En las hojas de datos se especifica como
hFE.
La b de ac se define como

I C
 ac 
I B VCE  constante

En las hojas de datos se especifica como hfe.

 Relación entre a y b

Dado que a = IC /IE y b= IC /IB y además IE = IC + IB, es fácil mostrar que

 
 
1 1 
Además se puede mostrar que

ICEO = bICBO

IC = bIB

IE = (b + 1)IC
 Configuración Base emisor

RC IC
IC IC
VBC –
+ + +
RB VCC
VCE –
IB + –
VBB + VBE –
– IE
IB IC
Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E  I B  IC V BC  VBE  VCE

V BB  RB I B  V BE V CC  RC IC  VCE

IC  f (VCE , I B ) I B  g(VBE , VCE )

• Ecuaciones comportamiento: análisis experimental

• Simplificando: punto operación del transistor Q(I , IC, VBE, VCE)

B
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
 ALGUNAS APLICACIONES

Amplifican pequeñas señales como: señales de

sonido, o voltajes pequeños.