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4.1. Introducción
4.2. Estructura interna y modos de operación. Transistores npn y pnp.
4.2.2. Estudio de las corrientes.
4.2.3. Parámetros característicos
4.2.4. Regiones de funcionamiento
4.2.5. Modelos de circuito equivalente
4.3. Curvas características corriente-voltaje
4.4. Modelos del transistor BJT en las diferentes zonas de funcionamiento.
4.5. Análisis en continua de circuitos con transistores BJT. Determinación del
punto de trabajo.
4.6. El transistor como interruptor: corte y saturación.
4.7. Polarización del BJT para diseño de un circuito discreto.
4.8. El transistor como amplificador
BIBLIOGRAFIA:
Principios de Electrónica. A. Malvino,D. J. Bates
Circuitos Microelectrónicos. A. S. Sedra ,C. Smith
ELECTRONICA 1
El transistor de unión bipolar o BJT
INTRODUCCION
Su descubrimiento en 1947 se debe a Walter H. Brattain y John Bardeen que
trabajaban en los laboratorios de la Bell Telephone, y supuso una revolución
importante en el campo de la electrónica.
ELECTRONICA 4
Definición de tensiones y corrientes
Transistor NPN
Transistor PNP
ELECTRONICA 6
Regiones de funcionamiento de los
transistores bipolares
Los transistores bipolares están formados por dos uniones PN,
Las posibles regiones o modos de funcionamiento en continua son
Región de corte.
Unión B-E Inversa.(PI)
Unión B-C Inversa.(PI)
Región de saturación.
Unión B-E Directa (PD)
Unión B-C Directa (PD)
ELECTRONICA 8
Comportamiento en activa BJT npn
Cuando un transistor se polariza en activa directa
entonces la tensión base emisores positiva y la
tensión base colector es negativa
ELECTRONICA 9
Modelo equivalente a gran señal del BJT npn
(c)
Fuente de corriente no lineal Fuente de corriente no lineal
controlada por voltaje controlada por corriente 10
Corrientes del transistor en activa
v BE
IS
Corriente de base iB = e VT
β
v BE
Corriente de colector IC = α F IE
i C = β i B = IS e VT
Corriente de emisor iE = iC + iB =
(1+ β )
I
v BE
VT
S e
β
v BE
IS
iE = e VT
α
Donde
KT
IS la intensidad de saturación, 10-12 a 10-15 A. VT =
ELECTRONICA VT es el potencial térmico (26mV a 25oC). q11
Corrientes del transistor en activa
Definición de parámetros
P N P
Flujo de huecos
iE Huecos iC
recombinados
F de electrones
F. de huecos y electrones
generados térmicamente
iB
VEB VBC
13
Modelo equivalente a gran señal del BJT pnp
ELECTRONICA 14
Resumen de las relaciones corriente-
voltaje del BJT npn en modo activo
vBE IS v BE
IS v BE
iC = IS e VT iB = e VT
iE = e VT
β α
iE
IC = α F IE i B = (1 − α ) i E = i E = (1 + β ) i B
(β + 1)
α β
iC = β iB β= α=
1- α 1+ β
ELECTRONICA 16
Modelo de Ebers-Moll
ELECTRONICA 17
Modelo de Ebers-Moll
Las corrientes en terminales del transistor se pueden expresar
como
ELECTRONICA 18
Configuraciones del transistor bipolar
El BJT puede disponerse en tres configuraciones diferentes
Colector común
ELECTRONICA 19
Polarización de voltajes y sentido de
corriente en modo activo
P
N
ELECTRONICA 20
Curva característica iB-vBE transistor npn
v BE
i C = β i B = IS e VT
KT
VT =
v BE
i C = IS e VT
ELECTRONICA 22
Curva característica iC-vCB Transistor npn
iC = α F iE v CB = v CE − VBE vBE≈cte
ELECTRONICA 23
Curvas características reales de salida
en emisor común de un transistor npn
β de gran señal o de dc
I CQ
β dc ≅
I BQ
ΔiC
β ac ≅
ELECTRONICA β incremental o de ac ΔiB vCE =cte
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Dependencia de β con respecto a IC
y temperatura
Transistor de silicio npn de un circuito integrado
β de gran señal o de dc
I CQ
β dc ≅
I BQ
β incremental o de ac
ΔiC
β ac ≅
ΔiB vCE =cte
ELECTRONICA 26
Modelo equivalente del BJT npn activa directa
i C = β i B + [β + 1] I C 0
v BE
iC IS v BE
iC IS v EB v EB
iB = = e VT
i C = IS e VT
iB = = e VT
i C = IS e VT
β β β β
vBE≈0,7V vEB≈0,7V
vCE≈≥0,3V vEC≈≥0,3V
ELECTRONICA 28
Modelo equivalente del BJT npn en saturación
Condiciones
en saturación
0,1< V CE(sat)<0,2
IC< βF IB
ELECTRONICA 29
Modelos equivalente del BJT en saturación
ICsat= βforzada IB
βforzada< βF
ELECTRONICA 30
Modelo equivalente del BJT npn en corte
El transistor en esta región se comporta como un circuito abierto.
En realidad en esta región hay una pequeña corriente de
saturación en la unión base colector ICBO
Esta región de funcionamiento se utiliza en circuitos digitales
Condiciones
en corte
IB = IC= IE= 0
VBE<Vγ
ELECTRONICA 31
Efecto Early
Fue Early quien observó que todas las curvas de salida medidas en
emisor común confluyen en un mismo punto -VA sobre el eje de
tensiones.
La tensión Early VA suele valer entre 50 V y 200V
32
Efecto Early
El efecto Early disminuye la resistencia de salida ro del transistor
v BE
⎡ v CE ⎤
i C = IS e VT
⎢ 1 + ⎥
⎣ V A ⎦
Normalmente VA>>VCE
VA
Resistencia de salida r0 ≅
IC
ELECTRONICA 33
Modelos BJT a gran escala (dc) en modo activo
incluyendo el efecto Early
Transistor NPN Transistor PNP
IS v BE v BE
⎡ v CE ⎤ IS v EB v EB ⎡ v EC ⎤
iB = e VT
i C = IS e VT
⎢ 1+ ⎥ iB = e VT
i C = IS e VT
⎢ 1+ ⎥
β ⎣ V A ⎦ β ⎢⎣ V A ⎥
⎦
VA VA
r0 ≅
(
IS e VBE VT
) r0 ≅
(I S e VEB VT
)
ELECTRONICA 34
Potencia disipada por BJT
En un BJT se disipa potencia como consecuencia del paso de
corriente, pudiendo destruir al transistor.
Los puntos donde se disipa potencia son las dos uniones (de emisor
y de colector
ELECTRONICA 35
Polarización del transistor de unión
bipolar o BJT
INTRODUCCION
En los circuitos electrónicos realizados con transistores siempre
conviven dos tipos de tensiones y corrientes: continuas y alternas.
Daremos respuesta a
¾¿Cómo se obtiene el punto de trabajo en un circuito con transistores ?
¾¿Cómo
ELECTRONICA se garantiza la estabilidad del punto Q? 36
Punto de trabajo de un BJT
Punto de trabajo de un transistor es la combinación de tensiones y corrientes continuas
que existen en el mismo en funcionamiento normal.
Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo se puede llevar a cabo de dos formas
diferentes: Analítica
Gráfica
El método analítico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece
teniendo en cuenta:
1. Las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el
funcionamiento del dispositivo;
2. Las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo, según la
región de funcionamiento (circuito equivalente).
3. Las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado
El análisis gráfico, hay que disponer de
1. Las curvas de funcionamiento del transistor (curvas características de
entrada y salida), que se podrían obtener también como representación de
las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor.
2. Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua
(impuesta por el circuito eléctrico externo del transistor), y los puntos de
intersección de esta recta con las curvas del dispositivo establece los
posibles puntos de trabajo Q.
3. El siguiente paso es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos37
ELECTRONICA
es el de funcionamiento.
Polarización. Análisis en Continua. (Emisor Común)
Curva característica
V-I de entrada
Q
Recta de carga
pendiente=-1/RB
Curva característica
V-I de salida
Q
Recta de carga
pendiente=-1/RC
¾Cambio de componentes
¾Cambio de la de la temperatura
ELECTRONICA 40
Variación del punto de trabajo
Debido a cambio de componentes En la figura podemos ver el efecto de la
variación de la resistencia de colector sobre el punto de funcionamiento del
transistor
ELECTRONICA 41
Técnicas de estabilización del punto Q
ELECTRONICA 42
Introducción Amplificadores
Los amplificadores son circuitos que elevan la potencia de una señal con
una distorsión mínima. Proporcionan ganancia
Funciones importantes de los amplificadores:
– Adaptación de niveles
– Adaptación de impedancias
– Ecualización, combinación, distribución o aislamiento de señales
Clasificación
¾ En función de la naturaleza de los elementos activos
-Amplificadores con transistores bipolares (BJT)
– Amplificadores con transistores de efecto de campo (FET,
MOSFET)
– Amplificadores integrados (AO)
¾ Según la frecuencia de funcionamiento
– Amplificadores de continua
– de audiofrecuencia (< 20 KHz)
– de videofrecuencia (< 15 MHz)
– de radiofrecuencia (LF(30 kHz a 300 kHz)
, VHF (30 MHz a 300 MHz ), UHF (3MHz a 3 GHz)
– de microondas (>1 GHz) 43
Tipos de Amplificadores
AMPLIFICADORES LINEALES .-Si la señal de salida es directamente
proporcional a la señal de entrada, dé forma que la señal de salida es una
replica exacta de la señal de entrada.
AMPLIFICADORES NO LINEALES .-Si la señal de salida esta distorsionada
respecto de la señal de entrada
ELECTRONICA 44
ANALISIS EN PEQUEÑA SEÑAL
Partimos de que el BJT se encuentra polarizado en el punto Q situado
en la zona activa directa.
Se consideran nulas las polarizaciones de continua (DC) y se analiza el
comportamiento del circuito excitado exclusivamente por las
señales de alterna de entrada (vi). De este modo, se calculan las
oscilaciones de las variables sobre el punto de operación.
Se sigue la notación convencional:
Componente de Componente de
continua señal
Generador
de señal
ELECTRONICA 46
Curvas características. Análisis en CA.
ELECTRONICA 47
Curvas características. Análisis en CA.
ELECTRONICA 48
Análisis de un amplificador
MODELO EQUIVALENTE
DEL AMPLIFICADOR
ELECTRONICA 49
PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR
¾IMPEDANCIA DE ENTRADA
¾IMPEDANCIA DE SALIDA
¾GANANCIA DE TENSIÓN
¾GANACIA DE CORRIENTE
ELECTRONICA 50
Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar
Modelo híbrido en π:
IC β f
gm transconductancia (un valor típico es de 40mA/V) gm = =
VT rπ
VA
r0 : resistencia de salida (VA=tensión Early) r0 ≅
IC
βf
rπ =
rπ : resistencia base-emisor. (un valor típico es de 1KΩ) gm 51
Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar
Modelo híbrido en π:
Donde se verifica
ELECTRONICA 52
Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar
Modelo híbrido en π:
IC β f
gm = =
VT rπ
ELECTRONICA 53
Configuraciones de amplificadores con bipolares
ELECTRONICA 54