UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE ELECTRICIDAD

CURSO
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
EE428R

LABORATORIO Nº 3

INFORME PREVIO

Grupo Nº3
Apellidos y Nombres Código
INCHE HUARINGA, CHRISTIAN ALBERTO 20182605E
LEDESMA CASAS, BRYAN BRANDON 20182612A
NIETO CASTRO, HENRRY 20181368J
PAUCAR YPANAQUE, LUIS ALBERTO 20182568B

PERÍODO ACADÉMICO 2021-I

Ingeniero: Cajahuaringa Camaco, Armando Alberto

2021
 PARTE I: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)

MARCO TEORICO

Polarización del Transistor BJT

El transistor cuenta con 3 terminales, para un transistor BJT estos son Emisor(E), Base(B) y Colector(C).
Podemos decir que se forman dos diodos: Base-Colector y Base-Emisor.

En las figuras del cuadro comparativo las corrientes están indicadas en el

sentido convencional, siendo el flujo de electrones en sentido contrario a este.

POLARIZACIÓN NPN POLARIZACIÓN PNP

En ambos casos diodo BE: polarización directa y diodo BC: polarización inversa
Ic<<Ib
Ic ~ Ie
Ie=Ic+Ib
Ganacia de corriente de cd
Ic
β=
Ib

OBJETIVOS:
 El alumno aprenderá a reconocer un transistor en buen estado de uno en mal estado, así como a
reconocer si se trata de un transistor NPN o un PNP.
 Medir los parámetros TBJ operando en las regiones de corte, saturación y amplificación.
 Medir la potencia disipada por el transistor trabajando en cada una de las tres regiones.

CIRCUITOS PARA USARSE EN LA EXPERIENCIA:

 Experiencia 1:
 Simulacion:

 Corriente de saturación: Isat=14.705mA

VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN

0(tierra) 0 10 0 0 0 Región de corte
10 0,711 0,078 619,2 14,6 23,5788 Región de Saturación
tabla 6.2

Potencia del transistor mW

VBB (V) Vcb(v)
0(tierra
) 0 10
10 1,579 -0,633

 Experiencia 2:
 Simulacion:

 Corriente de saturación: Isat= 12.5mA

VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN

1,45 0,662 4,79 34,5 6,5 188,406 Region Activa
Tabla 6.3

Potencia del transistor mW

VBB (V) Vcb(v)
31,1578 4,13
1,45

 Experiencia 3:

Simulacion:
  Corriente de saturación: Isat= 12.5mA

VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN

2,48 0,716 0,028 2620 12,1 4,62 Region de Saturacion
Tabla 6.4

Potencia del transistor mW

VBB (V) Vcb(v)
2,21472 -0,688
2,48

 Experiencia 4:

Simulacion:

 RP =0 k
  RP =2.5 k

 RP =5 k

 Corriente de saturación: Isat= 12.5mA

RP k VB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA)  REGIÓN

0 0 0 10 0 0 0 Región de corte
2,5 1,36 0,657 5,3 30 5,86 195,3 Región Activa
5 2,1 0,696 0,72 107 11,6 108,4 Región Activa
Tabla 6.5

RP k Potencia del transistor mW Vcb(v)

0 0 10
2,5 31,0777 4,65
5 8,426472 0,024

PREGUNTAS:
1. Indique los modos de funcionamiento de un TBJ e ilústrelos con un ejemplo y circuito para
cada modo. Haga una tabla 1 con encabezado: modos de funcionamiento, Ic, Ib, Vce, Vbe.

Existen los siguientes modos de funcionamiento:

 Cuando el transistor está cortado (operando en la zona de corte)

Fig1. Circuito en donde el transistor opera en la zona de corte

 Cuando el transistor está amplificando (operando en la zona activa)

Fig2. Circuito en donde el transistor opera en la zona activa

  Cuando el transistor está saturado (operando en la zona de saturación)

Fig3. Circuito en donde el transistor opera en la zona de saturación

Modos de Funcionamiento Ic(m) Ib(µ) Vce(V) Vbe(V)

Zona de corte (Fig.1) 0 0 10 1.5 µ
Zona Activa (Fig.2) 6.5 34.5 4.79 0.662
Zona de saturación (Fig.3) 12.1 2620 0.028 0.716

Tabla1. Valores de los circuitos en las figuras 1, 2 y 3

2.
a) Describa las principales características técnicas, para el BC547 y BC557.

BC547 BC557

Polaridad NPN PNP

Equivalentes BC639, 2SC4414, 2SD1226 BC558, BC559, BC560, NTE159,

C557, TBC557
Voltaje Colector - Emisor 45V -45V
(VCE) ruptura
Voltaje Colector - Base 50V -50V
(VCB) ruptura
Voltaje Emisor - Base 5V -6V
(VEB) ruptura
Corriente Colector (IC) 100mA -100mA

Ganancia de corriente CD 110 mínimo 110 mínimo

Vce=5V Ic=2mA Vce=5V Ic=2mA
Voltaje Colector-Emisor 0.25 -0.25
 máximo en saturación

Tabla2. Valores técnicos para BC547A Y BC557A

b) Indique los criterios para elegir un TBJ para un proyecto.

El escoger correctamente un TBJ nos ayudara a realizar de manera correcta nuestro proyecto.
Al elegir un transistor para su proyecto, debemos estar seguros del voltaje de la fuente con la
que trabajaremos, la disipación de energía y las corrientes de funcionamiento que se utilizarían
en el proyecto. Esto nos permitirá decidir qué transistor elegir en base a los siguientes
parámetros como, voltaje de saturación, voltaje de ruptura, corriente colectora, ganancia de
corriente. Puede encontrar estos parámetros en el manual del fabricante que acompaña al
transistor(datasheet). Además, necesitamos verificar si requiere una polaridad positiva en la
salida o una negativa, para escoger entre un TBJ del tipo PNP o NPN.
Debemos asegurarnos de que los valores de corriente y voltaje no excedan los valores
máximos mencionados por el fabricante, de lo contrario terminaremos destruyendo nuestro
transistor.
3.
a) Describa el funcionamiento del TBJ como interruptor.

En este caso, hablaremos del transistor NPN para explicar el comportamiento como interruptor
de los transistores, el del tipo PNP es análogo a este, solo que invertido la polaridad.
Basado en el voltaje aplicado en el terminal de base de una operación de conmutación de
transistor. Cuando se aplica una tensión suficiente entre la base y el emisor ( Vbe > 0.7 V), el
voltaje entre el colector y el emisor es aproximadamente igual a 0, debido a que la corriente de
base (Ib) es lo suficientemente grande como para que el transistor, basado en la corriente de
colector (Ic) que depende de la carga que queramos colocar en nuestro nuevo interruptor,
opere en la zona de saturación. Diremos entonces que el transistor actúa como un cortocircuito.
La corriente del colector (Ic=Vcc/Rc) fluye a través del transistor, mencionando entonces que el
circuito se encuentra cerrado (ON) en la malla del colector, la cual será la malla de nuestra
carga.
De forma similar, cuando no se aplica voltaje o voltaje cero en la entrada (malla de la base), el
transistor opera en la región de corte, pues la tensión que le llega a la unión base-emisor es
menor a 0.7, lo cual hace que el transistor actúe como un circuito abierto (OFF). En este tipo de
conexión de conmutación, la carga se conecta a la salida de conmutación con un punto de
referencia. Por lo tanto, cuando el transistor está encendido, la corriente fluirá de la fuente a
tierra a través de la carga.

b) Utilizando el BC 547 o BC557, simule un circuito para trabajar como interruptor. Comente
sus resultados. Copie y pegue el circuito de simulación de la ventana del simulador.
 Fig4. Circuito en donde el transistor tendrá un comportamiento de interruptor

En este circuito que hemos planteado, usamos el transistor BC547A, cuya ganancia mínima en
operación a 2mA en el colector es 110, con lo cual podemos hallar nuestra resistencia R1, para
nuestro diseño, usamos una resistencia de 30k, pues es menor a la resistencia hallada,
garantizando de esa forma que el transistor se encuentre operando en la zona de saturación,
cuando el voltaje de entrada vale 5V. Para la visualización de cómo es la tensión consumida
por nuestra carga (en este caso el R2), colocamos un osciloscopio entre sus extremos, y para
nuestra operación en corte-saturación, usamos una onda cuadrada de entrada con pico de 5V,
y el resultado que nos da es el siguiente. Y con ello podemos observar que como lo diseñamos
el transistor tiene un comportamiento de interruptor.

Fig5. Tensión que le llega a la carga cuando el interruptor equivalente está en ON/OFF
4.
a) Describa el significado de “dispositivo activo”. Basado en su definición, ¿un transformador
es un dispositivo activo?
Dispositivos activos son aquellos que proporcionan energía, generan una ganancia o controlan el flujo
de energía, además tienen un comportamiento no lineal (no cumplen la ley de Ohm), por ejemplo, los
diodos y transistores. Con respecto a un transformado, es un dispositivo pasivo, ya que estos son
utilizados para elevar los niveles de tensión, pero en el proceso la energía no se amplifica, entonces la
energía en el lado primario y secundario permanecen constantes.

b) Indique la prueba con un ohmímetro para determinar que el TBJ está en buen estado.

Para determinar que el TBJ está en buen estado se utiliza el ohmímetro, en la región activa la unión la
unión base colector está en inversa y base a emisor está polarizada en directa. Entonces al medir con
el ohmímetro la unión base colector (inversa) se debe registrar una resistencia de valor alta, y al medir
la unión base a emisor (directa) se debe registrar una resistencia de bajo valor.

Fig6.

c) Indique la prueba para medir la ganancia de continua de un TBJ npn y pnp.

Se identifica los terminales de base, colector y emisor con el multímetro con modo para medir diodos,
luego el multímetro en la opción para medir hfe (que es la ganancia), como ya se tiene identificado los
terminales, se ingresan en el orificio correspondiente (encerrado color rojo en la figura). El valor que se
observa en el multímetro será la ganancia.

Fig7. Entrada para la medición de ganancia en un transistor

d) Si mido la ganancia de dos BC547, uno sale 180 y el otro 220. ¿Están ambos correctos? ¿uno
de ellos es defectuoso? Indique el criterio usado para dar la respuesta.
 Dado que se trabaja con el mismo multímetro, la diferencia se deberá a la temperatura de los
transistores, ambos valores son válidos.

5.

¿Las ganancias en DC y AC son iguales?

No, pues en un circuito con AC, podemos hacer distintas configuraciones, como por ejemplo
un desacoplamiento, de tal forma que nos de como resultado una ganancia de voltaje mayor
que cuando se trabaja con DC
¿Cuál de las ganancias se toman para el diseño?
Por lo general tenemos señales en AC, es por ello por lo que cuando queremos amplificar la
tensión en este tipo de señal, no tomamos en cuenta la ganancia en DC.
6.

a) Si en un circuito diseñado con BC547 de ganancia DC de 150, se le cambia por otro BC547,
pero de ganancia DC de 220, ¿altera su funcionamiento en DC y AC?
Si, pues al aumentar la ganancia DC de corriente también crecerá la corriente del colector en
continua, y además la resistencia interna, en alterna, del diodo emisor disminuye si la corriente
del emisor en continua aumenta (IE≈IC), disminuyendo así la ganancia en voltaje (A V), y no
funcionando de igual forma que con la otra ganancia de corriente(β).
b) Indique los criterios de diseño que se usan para evitar que afecte el valor de la ganancia DC
al funcionamiento del circuito en DC y AC.
Debemos de establecer la polarización de la base(es decir, establecer un valor fijo de la
corriente de la base), y con ello determinar nuestra “recta de carga”, con la cual podremos
establecer un conjunto de puntos de operación para nuestro amplificador, además con el valor
de ganancia mínima de corriente, con el voltaje de saturación, y el voltaje máximo colector
emisor, los cuales se encuentran en las tablas de nuestro transistor a usar, podemos
establecer nuestros valores límites para que la operación se realice en la zona activa. Con
esto garantizamos, que, pese a que la ganancia varíe, ya sea por el aumento de la corriente
del colector, o por la temperatura, esta se encuentre trabajando de forma correcta,
permitiendo así un correcto funcionamiento ya sea al circuito AC, como DC.

7.
¿Qué es la recta de carga en un circuito con TBJ?
Es la recta en la que se encuentra los valores I C vs VCE de nuestros puntos de operación, es
decir, esta recta representa todos los puntos con los que nuestro transistor puede operar
cuando establecemos nuestra polarización de la base, además podemos mencionar que acá
también se encuentran los puntos que pertenecen a las zonas como saturación, amplificación
y zona de corte. Y es usado para realizar un correcto diseño de circuito.
Muestre un ejemplo del cálculo grafico del punto de operación de un circuito con TBJ.

Fig8. Circuito

Tomemos, por ejemplo, un β=100 para determinar nuestro de operación.

V BB−V BE
I B= =24.82 µA
RB

I C =β CD . I B=2.48 mA

V CE =V CC −I C . RC =7.56 V

V CC
I C ( sat )= =5 mA
RC

V CE(Corte) =15V

Además, con estos valores podemos hallar la ecuación de la recta de carga, la cual nos
resulta:

−1 V CC −1 15
I C= V CE + = V +
RC RC 3 k CE 3 k
 Fig9. IC (mA) VS VCE

Simule el circuito y verifique que se cumple su cálculo gráfico.

Fig10. Simulacion del circuito

8)

La grafica de la ganancia de un amplificador versus frecuencia, se denomina RESPUESTA EN

FRECUENCIA DE LA GANANCIA. Defina los rangos de frecuencia baja, media y alta en dicha
gráfica. Bosqueje una gráfica típica con su eje vertical en dB y eje horizontal la frecuencia en
escala logarítmica.

El TBJ es un dispositivo no lineal; por lo que se debe de linealizar el amplificador con TBJ
para su rango de frecuencias medias. Describa el procedimiento para linealizarlo y cual es el
modelo para análisis en AC.

9)

10)
Objetivo de la experiencia:
 Procederemos a reconocer si el transistor se encuentra en buen estado, además reconocer si es del
tipo PNP o NPN, también medir los parámetros TBJ operando en las tres zonas, que son: Zona de
corte, Zona de saturación y Zona activa. Y finalmente medir la potencia disipada por el transistor
trabajando en cada una de las regiones.
11) Use el simulador para llenar la Tabla 6.1 Muestre los instrumentos virtuales y el circuito usado.

12) B
 VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN
0(tierra) 0 10 0 0 0 Región de corte
10 0,711 0,078 619,2 14,6 23,5788 Región de Saturación

13) B
VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN
1,45 0,662 4,79 34,5 6,5 188,406 Region Activa

14) B
VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) β REGIÓN
2,48 0,716 0,028 2620 12,1 4,62 Region de Saturacion

15) b
 RP =0 k

 RP =2.5 k
  RP =5 k

RP k VB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA)  REGIÓN

0 0 0 10 0 0 0 Región de corte
2,5 1,36 0,657 5,3 30 5,86 195,3 Región Activa
5 2,1 0,696 0,72 107 11,6 108,4 Región Activa

16) En base a los datos obtenidos en la tabla 6.1.

a) ¿Cómo determinaría si el transistor se encuentra en buen estado?

 b) Si se le diera un transistor bipolar de juntura ¿Qué mediciones haría para saber la distribución
de sus terminales y si el transistor en cuestión es un NPN o un PNP?

17) Explique detalladamente el funcionamiento de la figura 6.1.

En la figura 6.1 observamos dos tipos de configuraciones con las distintas fuentes dadas en dicho circuito, el
primero con una tensión de 0 Voltios, observamos que dicho transistor trabaja en la región de corte, pudiendo
este funcionar como interruptor (conmutando el voltaje), en el segundo caso trabajamos con una tensión de 10
V, en el que observamos que el transistor está en la zona de saturación debido a que el diodo que une el
colector y la base está en directa
18) ¿Cuál circuito hace que el transistor disipe mayor potencia y en qué región de operación se
encuentra el transistor en ese circuito?
El transistor que disipa mayor potencia es el del circuito de la figura 6.2, el cual disipa una potencia de
31.15mW, además este se encuentra en la región Activa
19) Explique la diferencia de los diferentes valores de β obtenidos en la tabla 6.6.
Primero observamos que en los datos obtenidos, cuando el transistor se encontraba en la zona de corte la
ganancia nos resultaba aproximadamente cero, también cuando se encontraba en la zona activa y la
corriente del colector era un valor cercano a la corriente de saturación, también nos arrojaba valores de
(BETA) cercanos a la unidad, y esto se explica por ejemplo con el siguiente gráfico, en el cual observamos
que existe un valor máximo de ganancia(beta), y conforme va aumentando o disminuyendo la corriente de
saturación, vemos que la ganancia disminuye. Todo esto se da por el comportamiento interno del transistor,
debido a la corriente que este permite y no permite pasar por sus respectivas salidas

20) Explique detalladamente la diferencia si existe entre la figura 6.2 y la figura 6.3. ¿Cómo son
estos valores, con los teóricos? Explique su respuesta.
La diferencia que existe entre ambas figuras es el intercambio de resistencias R1 y R2, trayendo esta consigo,
que, el voltaje Thévenin del circuito equivalente en la malla de la base, sea directa a la resistencia R1, por
tanto al ser la resistencia R1 de la figura 6.3 igual a 15K(ohmios) y mayor a la resistencia R1 de la figura
6.2(2.7K), entonces el voltaje thevenin de la figura 6.3 sera mayor y esto traerá como consecuencia que el
voltaje de la base también sea mayor, la corriente del colector y el emisor también mayor y el voltaje (Vce)
sea menor en la figura 6.3. y todo esto considerando los parámetros dados como constantes.
21) Con los datos de las tablas 6.2, 6.3, 6.4 y 6.5 llene la tabla 6.6 considerando que la potencia
disipada por el transistor está dada por la fórmula Pdc= VCE IC y 𝛽 es la ganancia de CD.
Tabla IB IC VB VCE  Pdc
0 0 0 10 0 0
6,2 619,2 14,6 10 0,078 23,5788 1,579

6,3 34,5 6,5 1,45 4,79 188,406 31,1578

6,4 2620 12,1 2,48 0,028 4,62 2,21472

0 0 0 10 0 0
30 5,86 1,36 5,3 195,3 31,0777

6,5 107 11,6 2,1 0,72 108,4 8,426472

22) Llene la columna de la tabla para el voltaje colector-base de operación. ¿Cómo es este voltaje
cuando el transistor está: a) cortado, b) amplificando, c) saturado?
Antes hay que recordar lo siguiente:

- En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-base se
polariza en inversa.
- En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa.
- En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.

En la tabla general colocamos nuestro voltaje colector-base, y observamos lo siguiente:

- Cuando el transistor está cortado (en la zona de corte), el voltaje colector-base es el voltaje del
colector(Vcc)
- Cuando el transistor está amplificando(en la zona activa), el voltaje del colector-base es positivo, pues
en esta zona la unión colector emisor esta en inversa
- Cuando el transistor esta saturado(en la zona saturada), el voltaje del colector-base es negativo, pues
en esta zona la unión colector emisor esta en directa

23) Realice una tabla que incluya los datos teóricos, calculados en el previo de la práctica y
compárelos con los datos de la tabla 6.6. Comente sus resultados.

PARTE II: PARÁMETROS HÍBRIDOS π

MARCO TEORICO
OBJETIVOS:
 Graficar las relaciones entre los parámetros del transistor.
 Elaborar el modelo híbrido “” del transistor en un punto de operación determinado, empleando
mediciones de los parámetros eléctricos accesibles en un TBJ.

CIRCUITOS PARA USARSE EN LA EXPERIENCIA:

 Experiencia 2:

Simulacion:

Ib Vce=0 V Vce=1.0 V Vce=2.0 V Vce=3.0V Vce=4.0V

µA Vbe V Ic mA Vbe V Ic mA Vbe V Ic mA Vbe V Ic mA Vbe V Ic mA
10 0,519 0,00573 0,6236 1,02 0,623 1,17 0,6236 1,31 0,6236 1,46
20 0,539 0,0147 0,645 2,27 0,645 2,62 0,6448 2,92 0,6448 3,26
30 0,551 0,0247 0,657 3,49 0,657 4,05 0,6573 4,6 0,6573 5,15
40 0,56 0,036 0,666 4,76 0,666 5,52 0,6662 6,29 0,66603 6,99
50 0,566 0,0476 0,672 5,95 0,672 6,92 0,6729 7,9 0,6729 8,87
60 0,571 0,0599 0,678 7,12 0,678 8,3 0,6784 9,49 0,6784 10,7
70 0,576 0,0726 0,683 8,25 0,683 9,65 0,63807 11 0,683 12,4

Cuestionario
1. En base a los resultados obtenidos en la tabla 7.1 grafique:
a. La gráfica I B vs I C para cada V CE.
 Vce=0V
0.08

0.07
f(x) = 0 x − 0.01
0.06

0.05

0.04 Vce=1V
Ic

0.03 9

0.02 8 f(x) = 0.12 x − 0.14

0.01 7

6
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
5
Ib

Ic
4

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Ib

Vce=2V
12

10
f(x) = 0.14 x − 0.21
8

6
Ic

4
Vce=3V
2
12

0 f(x) = 0.16 x − 0.29

10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
Ib
8

6
Ic

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Ib
 Vce=4V
14

12 f(x) = 0.18 x − 0.37

10

8
Ic

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Ib

b. La gráfica V CE vs I C para cada I B.

Ib=10uA
1.6
1.4
1.2
1
0.8
Ic

0.6
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vce
 Ib=20uA
3.5

2.5

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

Ib=30uA
6

3
Ic

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Vce

Ib=40uA
8
7
6
5
4
Ic

3
2
1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Ib
 Ib=50uA
10
9
8
7
6
5
Ic

4
3
2
1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Ib

Ib=60uA
12

10

6
Ic

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Ib

Ib=70uA
14

12

10

8
Ic

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Ib
 c. La gráfica gm vs I C para cada V CE =2 V .

Vce=2 V
d. La gráfica
12

10

6
Ic

r π vs I B
4

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
gm

para cada V CE =2 V .

Vce=2V, β=147
80
70
60
50
40
rπ

30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
Ib

PARTE III: AMPLIFICADOR BASE (EMISOR COMUN)

MARCO TEORICO
OBJETIVOS:
 Graficar las relaciones entre los parámetros del transistor.
 Elaborar el modelo híbrido “” del transistor en un punto de operación determinado, empleando
mediciones de los parámetros eléctricos accesibles en un TBJ.
 Comprobar la acción amplificadora de un transistor.
 Describir basándose en datos experimentales:
o a) El efecto del capacitor de desvío (bypass) sobre la ganancia en voltaje del amplificador.
 b) El efecto del capacitor de acoplo con la carga, sobre la señal de salida de un amplificador emisor
o
común.
 Comprobar los efectos de las impedancias Zi y Zo en las señales de entra y salida.

CIRCUITOS PARA USARSE EN LA EXPERIENCIA:

1. arme el circuito dela figura 8.1. Todavía no conete el capacitor de desvio Ce.
2. Con Vi apagado mida y anote los parámetros indicados en la tabla 8.1.

Vb (V) Vc (V) Ve (V) Vce (V) Ib (uA) Ic(mA)

1.068 8.12 0.38 7.06 11.4 1.76

8. Aumente gradualmente la amplitud de Vi cómo se indica en la tbla 8.2

Vi [mVpp] 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
Vs [Vpp] 10.179 10.622 10.245 10.856 10.884 10.903 10.909 10.918 10.924 10.925 10.929

36:
Si, pues se ve como el voltaje aumenta en gran medida con respecto al voltaje de entrada
37:
El capacitor Cc se encuentra en acoplo, es decir su funcion sera de dejar pasar la corriente
alterna y de impedir el pasa de la corriente continua, de esa forma podremos ver en la salida una
señal en alterna sin su parte continua

REFERENCIAS

http://es.wikipedia.org/wiki/Limitador [1]
http://www.unicrom.com/cir_limitador-corriente-fuente-voltaje.asp[2]
http://www.ehu.eus/alfredomartinezargote/tema_4_archivos/electrificacion/Sobretensiones_%20en_
%20instalaciones_%20de_%20baja_%20tension.pdf[3]
http://www.iuma.ulpgc.es/~benito/Docencia/TyCEyF/PDF/apuntes/teoria/Cap2.pdf [4]
https://www.studocu.com/ec/document/universidad-de-las-fuerzas-armadas-de-ecuador/electronica-
i/essays/circuitos-sujetador-y-multiplicadores-de-tension/5225521/view[5]