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A) hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada inversamente.
B) hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada directamente.
C) hacer pasar una gran corriente por una unión P-N polarizada inversamente, polarizada
directamente la otra unión.
SOLUCION:
·Las tres opciones están mal porque debería ser la unión NP (inversamente) polarizado
directamente con otra unión quedaría polarizado PN, el diodo.
3. En un transistor NPN se mide Vbe=0.7V,Vce=10V, la Vcb=es?
A) 10.7V.
B) -9,3V.
C) 9,3V.
PROBLEMA:
VCE-VBE=9.3V.
10-0,7V=9.3V.
EXPLICACION:
·La corriente entra por el transistor y este el diodo le resta ala corriente que le entra le resta
0,7V el diodo.
SOLUCION:
VCE
EXPLICACION:
A) polaridad directa.
B) polaridad inversa.
SOLUCION:
·Polarización inversa.
EXPLICACION:
·En un diodo polarizado directamente cuando es la unión PN.
a) Interruptor cerrado
b) Interruptor abierto
7. Estado en que se encuentran el transistor. Datos
8. -Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentara:
A) la corriente de base.
B) la corriente de colector.
C) la corriente de emisor.
SOLUCION:
EXPLICACION:
·La tensión tendría que aumentar como consecuencia del aumento de la del colector.
10. Se conectan en paralelo dos BJT en forma parecida a la figura 4.32. La corriente
total de carga de I=200b el voltaje del colector a emisor del transistor Q, es VCE2 =
1.1V. Calcule la corriente en el colector de cada transistor, y la diferencia de
partición de corriente si las resistencias de corriente compartida son
En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver el valor
de R1 que nos viene dado por R1= VC - VB ego nuestro único objetivo es calcular VC,
VB y I1 I1
V C−V 7.912−1.1
R1= B
= = 81.1K
I1 0.084
13. La barrera potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximado
de:
A) 0.3V
B ) 1V
C) 0.7V
SOLUCION:
El transistor en la parte del diodo siempre será 0.7V gastara o sumara dependiendo de su
polaridad PNP o NPN.
SOLUCION:
A. PNP
B. NPN
C. PNN
D. PNS
16. Cuando por la base del transistor circula una corriente y se experimenta una
ganancia en el colector, se dice que se encuentra en:
A. Monoestable
B. Saturación
C. Corte
D. Zona activa
17. ¿Cuál de las siguientes graficas corresponde a la recuperación directa del diodo?