FAMILIARIZACIÓN CON LOS TRANSISTORES

Jessica Bermeo (jessicabm@unicauca.edu.co), Eduardo Ordóñez

(eduardordonez@unicauca.edu.co), Alejandra Ordóñez (ordonezz@unicauca.edu.co)

UNIVERSIDAD DEL CAUCA

INGENIERÍA FÍSICA

RESUMEN.

En la práctica realizada el 27 de octubre del año en curso se realizó la práctica de

laboratorio basada en la familiarización con los transistores. Para ello se trabajó con dos
transistores de tipo 2N3904 y 2N3905 los cuales se montaron en un circuito básico y se
analizó su respectivo comportamiento cuando se tenía uno PNP y el otro NPN. Finalmente
se obtuvo una cierta cantidad de datos que posteriormente se analizarán con su valor
teórico.

INTRODUCCIÓN. La diferencia que hay entre un transistor

PNP y otro NPN radica en la polaridad de
El transistor es un dispositivo sus electrodos.
electrónico semiconductor utilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a
una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o 
rectificador. Hay dos tipos de transistores
estándar, NPN y PNP, con diferentes
símbolos de circuito

Esto se podrá evidenciar en el desarrollo

de la práctica y en su previó análisis de
Figura 1
este escrito.

MARCO TEÓRICO.

Internamente, el transistor es un
componente semiconductor formado por
un cristal que contiene una región P entre
dos regiones N (transistor NPN), o una
región N entre dos regiones P (transistor
PNP).

Figura 2
Las letras hacen referencia a las capas de
material semiconductor usado para
construir el transistor. La mayoría de los
transistores usados hoy son NPN porque
este es el tipo más fácil de construir
usando silicio.
Los terminales son rotulados como base
(B), colector (C) y emisor (E). Estos
términos se refieren al funcionamiento
interno del transistor.
Si se conectan dos baterías al transistor
como se ve en la figura 3, es decir, con la
unión PN de la base-emisor polarizada
directamente y la unión PN de la base-
colector polarizado inversamente.
Siempre que la tensión de la base- emisor
supere 0,7 V, diremos que el transistor
está polarizado, es decir, que funciona
correctamente.
Figura 3
Este montaje se llama con emisor común.
En este caso, el hecho de que el transistor
esté en funcionamiento significa que es
capaz de conducir la corriente desde el
terminal colector hasta el terminal emisor.
Se cumplen dos expresiones para este
caso: La primea:
IE = I B + I C
Dónde:
IE: es la corriente que recorre el terminal
emisor.
IC: es la corriente que recorre el terminal
colector.
IB: es la corriente que recorre el terminal
base.
Como la corriente de base resulta siempre
MUY PEQUEÑA, se puede decir que la
corriente del colector y la del emisor
prácticamente coinciden. IE ≈ IC. La
segunda expresión dice IC= β·IB.
Donde β es una constante que depende de
cada transistor llamado ganancia que
puede valer entre 50 y 300 (algunos
transistores llegan a 1000).
La ganancia de un transistor nos habla de
la capacidad que tiene para amplificar la
corriente. Cuanto mayor es la ganancia de
un transistor, más puede amplificar la
corriente.
Se concluye que la corriente por el
colector de un transistor bipolar es
proporcional a la corriente por la base, es
decir, a mayor corriente en la base, mayor
corriente en el colector.
PROCEDIMIENTO.
Se realizó el montaje experimental de la
figura 4 con un transistor PNP conocido
como configuración de base común. Con
el potenciómetro en el valor máximo se
midió y registró en la tabla 1 las
corrientes IB, IE, IC y los voltajes VCB, VEB,
VCE y V3. Se Repitió el paso anterior con
el potenciómetro en el valor mínimo.
Finalmente se abrió el interruptor S2 y se Tabla N° 3
registró en la tabla1 los valores de I CBO y Transistor ICBO (mA) VCB (v)
VCB. PNP 2N3905 -6.74 -0.74
NPN 2N3904 0 -6.10
Para la segunda parte se realizó el
montaje experimental de la figura 2 con
un transistor NPN c que también es ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS.
conocido como configuración de base
Para el circuito de la primera figura de la
común y se repitieron los pasos
guía se tiene un transistor con
anteriormente para la nueva
configuración de base común en
configuración.
polarización PNP. A partir de un análisis
RESULTADOS. de malla teniendo el potenciómetro a su
nivel máximo se tiene que
Tabla N°1 Polarización del transistor
PNP. Malla 1

Potenciómetr 2.0 KΩ 0KΩ 1.5v – 2kΩIE – 0.1kΩIE – 0.7v=0

o
IB(mA) 6.74 -6.69 De donde: IE= 0.38mA
IB-Calculad (mA) 7.6*10-3 0.16
IE (mA) 0.59 10.77 El voltaje de 0.7v que es el VBE se obtiene
IC (mA) 7.46 6.83 como dato teórico. El voltaje de 1.5v es el
VEB (v) 0.59 0.73 voltaje VEE.
VCB (v) -0.09 0.1
VCE (v) 0.68 0.74 Malla 2
V3 (v) 6.02 6.10
A partir del conocimiento teórico en el
que IC es aproximadamente IE se tiene
Tabla N°2 Polarización del transistor que
NPN.
IC = 0.38mA
Potenciómetr 2.0KΩ 0KΩ
o De donde: IC= βIB y obteniendo de las
IB(mA) 0.34 5.35
hojas de especificaciones para el
IB-Calculad (mA) 7.6*10-3 0.16
IE (mA) -0.28 1.16 transistor 2N3905 un β=50
IC (mA) 6.75 -6.67
VEB (v) 1.24 -0.71 Despejando se obtiene IB= 7.6*10-3mA
VCB (v) -0.68 -0.74
VCE (v) 1.67 0.29 Ahora bien se tiene:
V3 (v) -5.51 -5.36
6v – VCB – 820ΩIC = 0

VCB = 5.68v
VE = IE*RE – VEE VC= IE*RC – VCC

VE= 0.038v – 1.5v VC= 6.56 – 6v

VE= -1.4v VC =0.56v

VC= IE*RC – VCC VCE= VC – VE

VC= 0.31v – 6v VCE= 1.26v

VC =-5.68v Comparando los datos teóricos y

experimentales cuando el potenciómetro
VCE= VC – VE está en su máximo valor se puede ver que
VCE= -4.28v la corriente que circula por la malla 1
(corriente emisor) tanto la teórico como la
Teniendo el potenciómetro a su nivel experimental, se ve que tienen un valor
mínimo se tiene: numérico muy bajo, lo cual se esperaba
por el valor tan alto de resistencia en el
Malla 1
potenciómetro. Ahora bien, en los
1.5v – 0kΩIE – 0.1kΩIE – 0.7v=0 conocimientos previos se establece que la
corriente de base debe ser muy pequeña
De donde: IE= 8mA en comparación con la corriente emisor y
colector. El dato en el que se calcula esta
Malla 2
corriente, ratifica su valor pequeño. Sin
Nuevamente como se establece que IC es embargo el dato experimental arroja otro
aproximadamente IE se tiene que resultado, así como los valores de los
respectivos voltajes, lo cual se debe a un
IC = 8mA gran porcentaje de error a la hora de
Utilizando el beta anterior y despejando medir en el circuito.
de IC= βIB, se obtiene Para el caso en que el potenciómetro está
IB= 0.16mA en su mínimo nivel, se puede ver que el
porcentaje en la toma de datos mejora un
Ahora bien se tiene: poco a lo que concierne a valores de
corriente de emisor y colector pues son
6v – VCB – 820ΩIC = 0
aproximadamente igual y era lo que se
VCB = –0.56v esperaba ya que se tenía un nivel bajo de
resistencias en cada una de las mallas.
VE = IE*RE – VEE Para los valores de los respectivos
voltajes también se ve una aproximación
VE= 0.8 – 1.5v
estimada. Sin embargo el error en el valor
VE= -0.7v de la corriente de base si fue notorio
debido a que no tiene similitud en la
experiencia con lo esperado, ya que, a
pesar de que aumenta su valor en
comparación cuando se tiene el
potenciómetro a su máximo nivel, el dato
es totalmente desviado a lo calculado.
Esto se piensa que es debido a una mal
toma de datos en esta sección.
Ahora se tiene que circuito de la segunda
figura de la guía se tiene un transistor con
configuración de base común en
polarización NPN. A partir de un análisis
de malla teniendo el potenciómetro a su
nivel máximo se tiene una serie de
cálculos similar al anterior de donde se
puede ver que los valores en la corriente
de base, aunque no son muy parecidos,
mejoran en comparación con el anterior
caso. Sin embargo para las demás y
corrientes y los respectivos voltajes sigue
siendo un tanto desviado la comparación
entre el valor teórico y el obtenido en el
experimento.
que la corriente que circula a través de él
es muy pequeña, es decir el diodo está en
la etapa de no conducción.
CONCLUSIONES
Para una óptima comparación entre datos
experimentales y teóricos es
indispensable la buena toma de los
últimos.
Según su configuración, el transistor tiene
su aplicación como amplificador de
corriente y voltaje.
BIBLIOGRAFÍA.
BOYLESTAD, Robert. NASHELSKY,
Louis; ELECTRONICA TEORIA DE
CIRCUITOS 5 Ed. pág. 108.

De todo esto se puede ver la gran

dependencia, en este caso con el
potenciómetro, que existe para que
aumente o disminuya la corriente según
su configuración.

En el caso de los datos obtenidos en la

tabla N° 3 se ve que hay una gran
diferencia entre en transistor PNP y NPN.
Para el caso en el que se comparan los
valores de ICBO con los de IC para el
transistor PNP y NPN se nota una gran
diferencia en el orden de magnitud de este
parámetro. La razón por la cual sucede
esto es porque cuando se abre el
interruptor el transistor cumple con la
misma función que un diodo. El diodo
queda polarizado inversamente, por lo