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El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949 en
los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio
Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction
transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados
emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un
dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
● Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
● Ic = ß x Ib
● Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al
mismo valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor (PNP) y en el
otro caso de sale él (NPN), o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente de base Ib aumenta ligeramente cuando se cambia
Vcc.
● En la imagen de la derecha las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a más corriente la curva es más alta.
– Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic es diferente de
cero). Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el
emisor (VCE) es un voltaje que está entre el mínimo (aproximadamente cero) y un máximo
(aproximadamente el voltaje de alimentación). El valor del voltaje depende del valor Ib.
ACTIVIDAD 2
Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa RB, la unión B-E (produciendo el
voltaje VBE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación de malla:
De la ecuación (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q),
considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces:
IBQ = (Vcc - VBE)/RB ... (2)
Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E (produciendo el
VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación:
La ecuación (4) representa la Ecuación de la Recta de Carga, cuya gráfica nos permite
encontrar dos puntos característicos: la corriente máxima de colector (Isat) y el voltaje
colector-emisor máximo (Vcorte). Además podemos ubicar sobre ella el punto de trabajo (Q)
del transistor, que gráficamente representa la intersección de la Recta de carga con la curva
característica.
Para: VCE= 0, tenemos:
Además, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el valor de
VCEQ:
ICQ = b*IBQ
IEQ = (1+b)*IBQ
Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de trabajo. Este tipo
de polarización no es muy estable, pues el punto Q varía bastante a medida que el transistor se
encuentra trabajando más tiempo.
Polarización por emisor El circuito de polarización por emisor es el que más estabilidad ofrece
frente a variaciones de β, pero como veremos requiere una tensión negativa adicional para el
emisor. Esto es un coste adicional para un circuito de polarización que hay que tener en cuenta
a la hora de evaluar si se necesita esta estabilidad adicional. El principio de funcionamiento es
igual al del polarizador con divisor de tensión. En este circuito la tensión de base está fijada a
una tensión muy cercana a cero y como la corriente de base es despreciable, si aumenta IC, se
reduce VE. Pero como VB es constante, vBE se reduce y así IC vuelve a tomar el valor anterior.
Como RE puede tomar valores mucho mayores que antes se mejora mucho la estabilidad
Aplicando las leyes de Kirchhoff podemos de nuevo calcular IB y de ahí IC. Las expresiones se
repiten y son sólo los valores de sus componentes lo que consigue mejorar el comportamiento
En este caso la relación entre RB y RE es mucho mayor al disponer de VEE, de forma que la
simplificación de β en la expresión IC implica un error más pequeño que en el caso anterior
Polarización por divisor de tensión El circuito de polarización por división de tensión es el más
utilizado ya que la realimentación negativa tiene la suficiente ganancia como para cancelar de
forma muy eficiente las variaciones paramétricas de β. La tensión de base es fija y no depende
de la corriente IC, pero la tensión de emisor si que varía debido a RE, si cambia IC. Así, si β
varía, IC también lo hace, pero al cambiar en el sentido contrario vBE, el transistor reduce IC
corrigiendo la situación del punto Q
Aplicando las leyes de Kirchhoff podemos de nuevo calcular IB y de ahí IC. La expresión es igual
que la de antes, salvo que en vez de la tensión de alimentación VCC y la resistencia de base RB,
aparece la tensión de Thevenin del divisor, VTH, y la resistencia de Thevenin, RTH
Como la tensión de Thevenin, VTH, suele ser muy pequeña y del mismo orden de magnitud
que vBE, el numerador tanto de Sβ como de IC es bastante pequeño y RTH también es muy
pequeño comparado con . Debido a esto último en la expresión de IC el denominador
se puede aproximar a β·RE de forma que β se simplifica con lo que:
Emisor común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia
de emisor, RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante
bien por la siguiente expresión:
Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer
una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces tenemos que
la tensión de emisor es: VE = VB − Vg
Y la corriente de emisor:
. Despejando
y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más
elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Base común
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que
uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia
de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis
similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada siguiente:
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración
multiplica la impedancia de salida por 1/β
El propósito de cualquier amplificador es producir una salida que siga las características de la
señal de entrada pero que sea lo suficientemente grande como para satisfacer las necesidades
de la carga conectada a ella.
Primero, veamos una comparación de las señales de salida para las diferentes clases de
operación del amplificador.
Clase A: El transistor de salida simple de los amplificadores conduce durante 360o completos
del ciclo de la forma de onda de entrada.
Clase B: los amplificadores dos transistores de salida solo conducen a la mitad, es decir, 180o
de la forma de onda de entrada.
Clase AB: los amplificadores dos transistores de salida conducen en algún lugar entre 180 ° y
360 ° de la forma de onda de entrada.
Operación Clase A
Para la operación de Clase A, el punto Q de los transistores de conmutación está ubicado cerca
del centro de la línea de carga de características de salida del transistor y dentro de la región
lineal. Esto permite que el transistor conduzca por el 360o completo de modo que la señal de
salida varía a lo largo del ciclo completo de la señal de entrada.
La principal ventaja de la Clase A es que la señal de salida siempre será una reproducción
exacta de la señal de entrada reduciendo la distorsión. Sin embargo, adolece de una eficiencia
deficiente, porque para polarizar el transistor en el centro de la línea de carga siempre debe
haber una corriente de inactividad de CC adecuada que fluye a través del transistor de
conmutación incluso si no hay señal de entrada para amplificar.
Operación Clase B
Este problema de distorsión puede superarse fácilmente ubicando el punto de polarización del
transistor ligeramente por encima del corte. Al polarizar el transistor ligeramente por encima
de su punto de corte pero muy por debajo del punto Q central del amplificador de clase A,
podemos crear un circuito amplificador de clase AB. Entonces, el objetivo básico de un
amplificador de clase AB es preservar la configuración básica de clase B, mientras que al mismo
tiempo mejora su linealidad polarizando cada transistor de conmutación ligeramente por
encima del umbral.
Entonces como hacemos esto. Se puede hacer un amplificador Clase AB a partir de una etapa
push-pull estándar de Clase B al presionar ambos transistores de conmutación en una
conducción ligera, incluso cuando no hay señal de entrada presente. Esta pequeña disposición
de polarización asegura que ambos transistores conducen simultáneamente durante una parte
muy pequeña de la forma de onda de entrada en más del 50% del ciclo de entrada, pero
menos del 100%.
La banda muerta de 0.6 a 0.7V (caída de un diodo de ida hacia adelante) que produce el efecto
de distorsión de cruce en los amplificadores de Clase B se reduce enormemente mediante el
uso de polarización adecuada. La predisposición de los dispositivos de transistor se puede
lograr de varias maneras diferentes usando una polarización de voltaje preestablecida, una red
de divisor de voltaje o usando una disposición de diodos conectados en serie.