CIRCUITOS DE PROCESAMIENTO DE SEÑALES CON DIODOS

CIRCUITOS SUJETADORES: Cambian el nivel de c. d. de una señal, aprovechando la carga

instantánea de los condensadores a través de diodos rectificadores, y la descarga muy
lenta de los mismos a través de las resistencias de carga (la constante de tiempo RC es
mucho mayor que el período de la señal que se sujeta (RC >> T = 1/f).

Pregunta: Para qué se querría desplazar el nivel de una señal de c. a.?

Observe para el primer circuito que C se carga a V - 0.7 = 9.3 V durante el semiciclo
positivo de la señal de entrada a través del diodo. El resto del tiempo el diodo se polariza
inversamente si C no se descarga a través de R y el voltaje de salida es la suma del voltaje
en C y el de la fuente de señal (desplazado Vc = Vp – 0.7 V negativamente).
En el siguiente circuito el diodo se invierte y se adhiere en serie una fuente de voltaje de c.
d. El condensador se cargará durante el semiciclo negativo al voltaje 20 – 10 -0.7 = 9.3 V.
La salida del circuito será la misma señal de entrada desplazada +9.3 V, llegando su pico
hasta 29.3 V.

Tarea: Defina los desplazamientos de nivel de c. d. que proporcionan los siguientes

circuitos. Observe que

RC = (22 X 103 Ω)(1X 10-6 F) = 22X10-3 segs >> T = 1X10-3 segs.

Tarea: Diseñe un sujetador que desplace una señal de 2 KHz 20 Vpp a) positivamente 5 V, y b) 3
V negativamente.
CIRCUITOS RECORTADORES: Son circuitos que recortan parte del ciclo de una señal.
Utilizan diodos rectificadores y fuentes de c. d. o diodos Zener.

Un circuito como el de la figura recorta el semiciclo positivo de la señal de entrada,

dejando pasar únicamente el voltaje menor al voltaje de ruptura del diodo.

Cuando se adhiere una fuente VB positiva, como muestra la siguiente figura, una parte
mayor del semiciclo positivo se hace presente en la salida, hasta V B+o.7V.

Duplicando los circuitos con diodos polarizados, como muestra la figura, se tiene un
recortador de picos positivos y negativos, muy utilizado en circuitos de audio de alta
potencia
El circuito anterior puede ser más sencillo si se utilizan diodos Zener de voltajes
apropiados, como muestra la figura.

Tarea: Dibuje la forma de onda de salida del siguiente circuito. El Zener es de 3.9 V, 0.5 W.
La señal es de 20 Vpp senoidal.
 RESISTENCIA DINÁMICA DEL DIODO
Hay circuitos en los que en un diodo o unión p-n circula tanto corriente directa como
corriente alterna, como muestra la figura para el caso de las uniones base- emisor y base-
colector de un transistor bipolar. La corriente directa “polariza” a cada diodo del transistor
para que sea capaz de amplificar la c. a., como se estudiará en el siguiente capítulo del
curso.

Sea la corriente a través del diodo directa o inversa, éste se comportará simplemente
como una resistencia, llamada RESISTENCIA DINÁMICA, respecto de pequeñas variaciones
de la corriente alterna, como muestra la siguiente figura para polarización directa.
Para evaluar la resistencia dinámica del diodo es necesario primeramente evaluar su
punto de polarización o de c. d. VDQ, IDQ.

VDQ es la caída de tensión en polarización directa del diodo, de 0.6 V para diodos de Silicio,
y 0.2 a 0.3 V para diodos de Germanio.

La corriente de polarización IDQ se calcula del circuito como:

( Ecc−VBEQ )
IDQ=
R

La RESISTENCIA DINÁMICA se calcula evaluando las pequeñas variaciones de voltaje

respecto de las pequeñas variaciones de corriente que haya en el diodo alrededor del
punto de polarización. Esto corresponde con el inverso de la pendiente de la curva en el
punto de polarización

ΔvD ∂(vD) 1
rD= = =
ΔiD ∂(iD) ∂iD
∂ vD
vD
Considerando que la ecuación del diodo polarizado directamente es iD ≈ Io e ( ηVT )

donde Io es la corriente de saturación inversa, vD es el voltaje de polarización directa del

diodo, n ≈ 1 para diodos de Si, y VT ≈ 25.9 mV a 25 oC.
 ∂ iD 1 iD ηVT
entonces = ( )
∂ vD ηVT
( iD )=
ηVT
y rD=
iDQ

Ejemplo: Evalúe la resistencia dinámica del diodo en el circuito anterior si Ecc = 5.7 V, R =
500 KΩ, y VDQ = 0.7 V.

Solución:

( 5.7−0.7 ) V
IDQ= =10 A
500,000 Ω

25.9 mV
rD= =2,590 Ω
10 A

La siguiente figura muestra las curvas características de salida i C vs vCE del transistor
bipolar, así como su recta de polarización de c. d. y el punto de polarización Q. La
resistencia dinámica de salida es el inverso de la pendiente de la curva en el punto Q.

Como la pendiente de la curva es prácticamente cero para corrientes pequeñas, la

resistencia dinámica de salida del transistor es muy alta.