Ejercicio resuelto con transistor NPN

Hallar en el circuito de la figura, el punto de funcionamiento (Q) del transistor

bipolar, indicando para ello, la corriente de base, la corriente de colector y la
tensión colector emisor. Los datos del transistor son los siguientes:

VBE (ON) = 0,7 V

VCE(sat) = 0,2 V

β = 100

Solución al ejemplo

Lo primero que hay que hacer es comprobar si el transistor conduce o no. Para
ello planteamos la ecuación en la malla de base y calculamos la corriente de base.

Malla de base
– V1 + IB*R1 + VBE = 0

– 5 + IB*5000 + 0,7 = 0

IB = (5 – 0,7) / 5000 = 0,86 mA > 0

La corriente por la base del transistor bipolar es mayor que cero en el sentido
indicando, es decir, entrante al transistor, por lo tanto, el transistor conduce.

IB = 0,86 mA

Seguidamente, debemos suponer una zona de funcionamiento, o activa o

saturación. Empecemos suponiendo zona activa. De esta manera, se cumple que:

IC = β * IB = 100 * 0,86*10-3 = 86 mA

Malla del colector

Debemos hallar el valor de la tensión colector-emisor para comprobar que la

suposición es correcta. Planteamos la ecuación de la malla del colector.
ecuación malla del colector del BJT

– V2 + IC*R2 + VCE = 0

despejando la tensión colector-emisor tenemos:

VCE = + V2 – IC*R2 = 10 – (86*10-3 * 10000) = – 850 V

VCE = – 850 V < VCE sat = 0,2 V

La tensión colector emisor es menor que la tensión colector-emisor de saturación.

Por lo tanto, la suposición no es correcta. El transistor bipolar no esta polarizado
en activa. Se comprueba que está en saturación, donde tenemos que:

VCE sat = 0,2 V

con ese dato calculamos el valor de la corriente de colector. Planteamos de nuevo

la ecuación de la malla del colector.

– V2 + IC*R2 + VCE = 0
IC = (V2 – VCE) / R2 = (10 – 0,2) / 10000 = 0,98 mA

IC = 0,98 mA

Ahora comprobamos que se cumple la condición para que el transistor este en

saturación.

IC < β * IB

0,98 mA < 100 * 0,86 mA

0,98 mA < 86 mA

Punto de funcionamiento (Q)

La condición de cumple, por lo tanto, el transistor bipolar esta trabajando en

saturación, y su punto de trabajo (Q) es:

IB = 0,86 mA

IC = 0,98 mA

VCE = 0,2 V

Transistor bipolar NPN ejercicio resuelto

Hallar la tensión colector-emisor del transistor de la figura, si la VBE (ON) es igual

a 0,7 V.
Para resolver un circuito de polarización mediante divisor de tensión en un
transistor bipolar, se pueden realizar siguiendo unos sencillos pasos.

Primer paso: obtener la tensión en la base

La tensión en la base del transistor coincide con la tensión que soporta la

resistencia R2. Por lo tanto, aplicando la regla del divisor de tensión en R1 y R2:
VB = 10 * [R2 / (R1 + R2)] = 10 * [2000 / (5000 + 2000)] = 2,86 V

VB = 2,86 V

Segundo paso: hallar la tensión del emisor

Planteamos la ecuación de la malla de la base del transistor, recorriendo en

sentido horario, tal y como indica la flecha verde para hallar el valor de la tensión
en el emisor.
-VB + VBE + VE = 0

VE = VB – VBE = 2,86 – 0,7 = 2,16 V

la tensión entre el emisor y tierra es:

VE = 2,16 V
Tercer paso: calcular la corriente del emisor

Como tenemos el valor de la tensión en el emisor y de la resistencia del emisor, el

calculo es directo aplicando la ley de Ohm.

IE= VE / R4 = 2,16 / 1000 = 2,16 mA

IE = 2,16 mA

El sentido de la corriente del emisor en un transistor bipolar de tipo NPN es

saliente del transistor.

Cuarto paso: obtener la corriente del colector

Como ya mencioné anteriormente, en ocasiones se desprecia la corriente de base

frente a la corriente de colector. En este caso lo haremos así. Por lo tanto:

IE = IC = 2,16 mA

Esta aproximación de puede realizar cuando nos lo digan expresamente o en

ejercicios en los cuales no tenemos el dato de la ganancia (β) del transistor
bipolar.

Quinto paso: hallar la tensión del colector

Lo siguiente es hallar la tensión que hay entre el colector y la tierra, como se

muestra en la figura, la cual se calcula con la siguiente ecuación:
VC = 10 – (IC*R3) = 10 – (2,16*10-3 * 2000) = 5,68 V

VC = 5,68 V

Sexto paso: calcular la tensión colector-emisor

Por último, se calcula la tension que soporta el transistor entre el colector y el

emisor. Para ello, tan solo necesitamos realizar la resta de la tensiones de colector
y emisor calculadas anteriormente.

VCE = VC – VE = 5,68 – 2,16 = 3,52 V

VCE = 3,52 V

Conclusiones

Como se puede comprobar, los cálculos de este análisis no dependen de las

variaciones en el transistor, la corriente de colector o la temperatura. Por
consiguiente, el punto de trabajo (Q) obtenido con este circuito de polarización,
resulta muy estable. Es por ello que, este circuito de polarización, es de los más
utilizados con transistores bipolares.

Ejercicio transistor NPN: polarización de emisor

Calcular en el circuito de la figura las siguientes cuestiones:

Resistencia de colector

La resistencia de emisor

Tensión en la base del transistor bipolar

La tensión colector-emisor

El valor de la resistencia de base

Datos:

VBE (ON) = 0,7 V

VCE(sat) = 0,2 V

β = 50
Primer apartado

Para calcular el valor de la resistencia de colector, hay que aplicar directamente la

ley de Ohm en dicha resistencia. Tenemos el dato de las tensiones que soportan
cada una de las patillas de dicha resistencia. Por un lado, 12 V y por otro, 7 V. Hay
que recordar que cuando tenemos una tensión indicada de esta manera en un
punto del circuito, siempre está referenciada a tierra, es decir, es la tensión
existente entre ese punto dado (12 V o 7 V o 2 V) y la tierra o masa del circuito.
Por lo tanto:
RC= (12 – 7) / 2*10-3 = 2500 Ω

Segundo apartado

Se necesita primeramente el valor de la corriente de emisor del transistor bipolar

para poder aplicar la ley de Ohm en dicha resistencia. Como tenemos el dato de la
ganancia y el valor de la corriente de colector, se pueden hallar las corrientes de
base y de emisor.

IC = β * IB

IB= IC / β = 2*10-3 / 50 = 4*10-5 A

así que la corriente de emisor es:

IE = IC + IB = 2*10-3 + 4*10-5 = 2,04 mA

Finalmente la resistencia de emisor, aplicando la ley de Ohm es:

RE = 2 / IE = 2 / 2,04*10-3 = 980,39 Ω

Tercer apartado

Para calcular la tensión de la base del transistor bipolar, podemos realizar el

sumatorio de tensiones que se indican en la figura.
Por consiguiente, la ecuación es la siguiente:

12 = VB + VBE + VE

VB= 12 – VBE – VE = 12 – 0,7 – 2 = 9,3 V

Cuarto apartado

En este apartado tenemos que hacer algo similar al anterior, planteando el

sumatorio de tensiones, pero en la malla de la derecha, la del colector y emisor del
transistor bipolar.
Por lo tanto, aplicando la segunda ley de Kirchhoff a esa malla tenemos:

12 = VRC + VCE + VE

VCE = 12 – VRC – VE = 12 – IC*RC – VE = 12 – (2*10-3 * 2500) – 2

VCE = 5 V

Quinto apartado

Ya hemos calculado previamente el valor de la corriente de base y el de la tensión

de base. Por lo tanto, para hallar el valor de la resistencia de la base del transistor
bipolar, tan solo hay que aplicar la ley de Ohm en dicha resistencia.

RB = VB / IB = 9,3 / 4*10-5 = 232,5 kΩ