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Laboratory Practice N°6

Transistor BJT
Camilo Andrés Villar 2162319

Edward Vera 2145143

Se mantiene constante la salida Vcc en +15V y se varia

Abstract: The transistor became a fundamental

la entrada de la corriente de base Vbb. Con lo anterior
piece of electronics due to its functionality as a se toma medida de la corriente de base en ciertos
switch and amplifier, which led to the design of valores definidos y se tabula la corriente del colector. A
microelectronics and the invention of all electronic continuación, se tiene la siguiente tabla:
devices that we currently own.

Index Terms: Gain; due,led,switch. Ib [µA] Ic [mA]

0 0
I. INTRODUCCION. 10 3.67
El transistor bipolar BJT es un dispositivo electrónico de 20.5 7.96
tres terminales llamados: emisor, colector y base. La 30 11.5
propiedad mas destacada del dispositivo es que regula 40 15.3
el flujo de la corriente y tensión en un circuito 50 19
interactuando como un interruptor y/o como un 60 29
amplificador para señales de tensión o de corriente. Los 70 33.5
transistores son elementos que han facilitado y reducido 80 37.5
el diseño de circuitos electrónicos. Tiene dos
90 41.5
funcionalidades, una como interruptor y la otra como
amplificador. En el presente informe se realiza un 100 46
circuito con un transistor de referencia 2n2222 el cual se
Tabla 2 Medición de Ic
tomaran los respectivos datos para encontrar la
ganancia de corriente y las curvas características que
definen el área o región de trabajo del transistor.
B. Obtención de Curvas características del
II. METODOLOGÍA transistor 2N2222.
A. Obtención de la ganancia.
Se realiza el siguiente circuito con un transistor BJT En esta fase se tiene la misma configuración en el
NPN de referencia 2N2222. circuito de la figura 1. Se ajustan las fuentes VBB y Vcc
de tal manera que se tengan los valores destinados para
Vce e Ib. (Voltaje colector-emisor y corriente de base),
que se encuentran registrados en la Tabla 2 que se
encuentra en la sección de Anexos, se toma la medición
de los valores de la corriente del colector para con ello
conseguir la curva característica del transistor BJT NPN
de referencia 2N2222.

Figura 1 Circuito con Transistor BJT.

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III. ANALISIS DE RESULTADOS
Con la ayuda de la herramienta de programación Matlab
se hizo las graficas de los resultados obtenidos en la
practica de laboratorio y a continuación estos son los
resultados:
1. Ganancia de corriente β
Como se puede evidenciar la relación de la corriente del
colector y la de base produce una constante llamada β
que se puede calcular de manera indirecta con los datos
de la tabla 1. Según la gráfica dicha ganancia de
corriente en el transistor es la pendiente de la función
que describe el comportamiento del 2n2222 en el
circuito, se caculó un estimado promedio de todos los
datos obtenidos y da como resultado una ganancia de
425.29, es decir, la corriente que circula por el colectar
es alrededor de 400 veces mas grande que la de la
base o de la fuente que en este caso es la misma. En la
grafica se observa que cuando la corriente de base
aumenta también lo hace la del colector por tanto es una
relación directamente proporcional.
2
2. Curva característica del transistor 2N2222
La grafica anterior muestra la curva característica del
transistor que quiere decir como es el comportamiento
del transistor en el circuito de la figura 1, se puede
comprobar que para una tensión en el colector-emisor
de manera constante si se encuentran variaciones en la
corriente de base con ello se origina unos cambios en la
corriente del colector aumentando esto demuestra la
capacidad del transistor de amplificar corrientes.
También se observa que el aumento de la tensión
colector-emisor no influye en mucho en la corriente de
colector por mas de que se aumenta dicha tensión la
corriente no aumentará demasiado más bien si se
forzara podría dañarse. Pero se por el contrario la
tensión colector-emisor es muy baja por debajo de los
0.7V la corriente de colector es muy pequeña así que
debe estar por encima de 0.7 y menor a la de ruptura.
IV. REFERENCIAS
Eléctronica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Eléctronicos,
Décima edición.
Robert L. Boylestad| Louis Nashelsky.
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V. ANEXOS

Ib\V
ce
[µA] 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
\ [v]

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
10 0 3.25 3.15 3.20 3.20 3.21 3.24 3.28 3.32 3.37 3.40 3.45 3.48 3.52 3.56 3.59
0.0
20 3.82 6.37 6.48 6.50 6.53 6.64 6.78 6.89 6.99 7.11 7.18 7.18 7.29 7.29 7.49
5
10.0 10.2 10.4 10.6 11.0 11.1 11.3 11.6 11.8
30 0 6.02 9.55 9.76 9.77 9.81 9.89
5 7 9 5 5 7 7 6 7
12.8 13.0 13.1 13.1 13.4 13.8 14.0 14.5 15.1 15.7 16.0 16.3 16.6 16.6
40 0.1 8.32
3 1 1 9 2 5 2 3 4 0 2 2 0 9
0.1 15.9 16.2 16.2 16.3 16.4 16.7 17.3 17.9 18.3 18.9 19.4
50 9.41 20 20 20
2 4 2 7 5 6 8 4 6 5 6 4
0.1 10.4 18.6 19.1 19.3 19.3 19.6
60 7
26.2 26.7 27.2 28.3 29.4 30.2 31.2 32 33.5
5 8 9 1 8 4
70 0.1 10.4 27.4 28.9 29.1 29.6 30.8 32.2 34.1 35.3 36.5 38 39.6 40 41.3 41.2
80 0.2 9.9 30.8 32.6 32.8 33.1 33.8 34.7 35.9 37.4 38.7 40.7 42.2 445 46 47.7
90 0.2 20 35.6 36.7 37 37.4 39.6 42 43.8 46.4 48.3 50.1 52.2 53.4 54.5 54.6
10
0.2 21.3 39.2 40.5 41 41.2 41.9 43.3 45.1 47.3 49.1 50.9 52.8 56.4 58.5 60.2
0
Tabla 2 Recolección de datos para curvas características