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En esta entrega, aprenderemos la importancia de las configuraciones por polarización fija, con resistencia de emisor y por
división de tensión.
Objetivos de la unidad
Determinar los niveles de polarización dc de las diferentes configuraciones de transistores BJT
Comprender los niveles óptimos de tensión para determinar si la red funciona adecuadamente.
Observar las condiciones de saturación y corte de un transistor BJT
Analizar las diferentes configuraciones de transistores BJT
Diseñar amplificadores con BJT
Realizar la detección de fallas en sistemas con transistores.
Contenido
Polarización dc del BJT.......................................................................................................................1
Objetivos de la unidad..................................................................................................................1
Resumen............................................................................................................................................2
4.2 Punto de operación.................................................................................................................2
4.3 Polarización Fija......................................................................................................................3
Funcionamiento de la polarización fija.........................................................................................3
4.4 Configuración de polarización de emisor................................................................................4
Funcionamiento de la polarización fija, con resistencia en emisor..............................................5
4.5 Configuración de polarización por divisor de voltaje.............................................................7
Electrónica II
Resumen
El diseño de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del circuito tanto en ac como en dc, ya que el nivel
de potencia ac de la salida es el resultado de la transferencia de energía de las fuentes de dc aplicadas al sistema.
El teorema de la superposición es aplicable al estudio del amplificador, lo cual facilita determinar las condiciones de
polarización del transistor separando el análisis de dc y de ac.
Después de establecer las condiciones de dc optimas de operación, podremos analizar la respuesta de ac por separado.
Hasta el momento hemos podido determinar las siguientes relaciones de la polarización dc de un transistor BJT:
Vbe=0.7 voltios
Ie=( β +1 ) Ib ≅ Ic
Ic=βIb
Por eso es muy importante determinar la corriente de la base, luego de lo cual se pueden determinar otras condiciones de
polarización.
La zona de corte se encuentra en la parte inferior de la curva. En ella la polarización es nula y el transistor no conduce. El
punto “A” se encuentra en un punto de operación Q sin polarización y por ende no hay flujo de corriente en el circuito. El
punto A no sería bueno para construir un amplificador.
El punto “B” se encuentra en la zona activa del transistor, aquí el dispositivo podrá reaccionar tanto a las variaciones
positivas como negativas de la señal de entrada. Aunque la señal de entrada varíe, el transistor no entraría en las zonas de
corte o saturación.
En el punto “C”, el transistor permite la variación positiva y negativa de la señal de entrada, pero el valor pico a pico se vería
limitado por la proximidad a los valores mínimos de Vce e Ic.
En el punto “D”, se sitúa muy cerca de un punto de máximo voltajes y potencia. Aquí el transistor podría resultar dañado.
Entonces, el punto “B” parece ser el punto óptimo donde la ganancia es más estable y ofrece la máxima excursión de voltaje
y corriente.
Otro aspecto importante es la temperatura, ya que la misma cambia los parámetros de operación del transistor, la ganancia y
la corriente de fuga en el dispositivo.
Vb
Ib=
Rb
4.3 voltios
Ib= =430 μA
10,000
Electrónica II
Ib=430 μA
11. Para verificar la cantidad de corriente que fluye por Rb, coloque el puntero del mouse sobre Rb, luego de un
momento el sistema le indicará la corriente y la potencia en dicho punto.
12. ¿Es la corriente medida igual que la calculada?
a. SI
b. No
13. Ahora veamos lo que pasa en la otra malla del transistor Q1.
14. La figura anexa muestra el comportamiento de la polarización base-emisor.
15. Como ya pudimos determinar anteriormente:
Ic=β Ib
16. Como la ganancia de nuestro transistor es de 10, podemos determinar fácilmente la corriente
de colector:
Vcc−IcRc−Vce=0
Vce=Vcc−IcRc
Pero como IcRc = Vc, entonces:
Vce=Vcc−Vc
Vc=IcRc=0.00493 Amps. x 1000 Ω=4.93 voltios
Vc=4.93 voltios
Vce=5−4.93=0.07 voltios
Vce=0.07 voltios
18. Verifique con un voltímetro si los valores medidos coinciden con los valores calculados
Respuestas: 9a 12a
Saturación
En el procedimiento anterior, el voltaje colector- emisor Vce es de unos 66 mV. Una condición de saturación del transistor se
presenta cuando Vce = 0. En cuyo caso la corriente en el transistor queda determinada por:
Vcc
Ic=
Rc
4.4 Configuración de polarización de emisor
Vcc−IbRb−Vbe−IeRe=0
Como:
Ie=( β +1 ) Ib
Vcc−IbRb−Vbe−( β +1 ) IbRe=0
Despejando,
Vcc−Vbe
=Ib
{ Rb+ ( β+1 ) ℜ }
4. Mida con un tester las caídas de voltaje en cada elemento de la malla y complete la tabla siguiente:
Vcc−Vbe
=Ib
{ Rb+ ( β+1 ) ℜ }
5−0.7
=Ib
{ 430,000+ ( 250+1 ) 1000 }
4.3 voltios
=Ib
681,000 Ω
Ib=6 μA
a. Si
b. No
10. Analicemos ahora la malla colector-emisor.
11. Por LKV:
Vcc−IcRc−Vce−IeRe=0
Como Ic ≅ Ie
Vcc−IcRc−Vce−IcRe=0
Despejando para Ic
Vcc−Vce−Ic(Rc+ ℜ)=0
Despejando Vce
Vce=Vcc−Ic ( Rc−ℜ)
También,
Ve=IeRe
Vc=Vce+Ve
Vc=Vcc−IcRc
Vb=Vcc−IbRb
Vb=Vbe +Ve
12. Vuelva al simulador y compruebe si los valores medidos y calculados son iguales:
Respuestas:
1.
9.a
12.
Rth=R 1 ∥ R 2
R 2Vcc
Eth=Vr 2=
R 1+ R 2
Eth−Vbe
Ib=
Rth+ ( β+1 ) ℜ
Vce=Vcc−Ic ( Rc+ ℜ)
Ejercicio 1
Procedimiento