Práctica de laboratorio No.

3:

Características Del MOSFET.

Electrónica II.
Jaime Gandara, Leonardo Garrido, Pedro Tovar

Sincelejo, Sucre.

Programa: Tecnología en Electrónica Industrial, Universidad de Sucre.

Resumen:. Este informe se realizó con el objetivo de

analizar a el transistor de efecto de campo metal-
óxido-semiconductor (MOSFET) (canal n, canal p) y
cada una de sus características; esto con el objetivo
de repasar conocimientos obtenidos previamente
como principio básico de funcionamiento de un
transistor MOSFET en cada una de sus
configuraciones (amplificación, conmutación).
Teniendo como guía los circuitos propuestos por el
docente, realizamos las simulaciones de los circuitos
y el posterior desarrollo de este informe.
Palabras claves: Amplificación, conmutación y
funcionamiento de un MOSFET, medición de
corrientes y voltajes en un MOSFET, terminales del
transistor MOSFET.
totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores
MOSFET. Es un dispositivo perteneciente a
la estructura MOS de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D,
Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk).
Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente
y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
Figura 1. [1]

I.INTRODUCCIÓN.

Los problemas que vienen presentando los

transistores bipolares o BJT, como son la
corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas
veces por su emplazamiento, otras por un mal
trazado y la más evidente, el efecto llamado
de avalancha. Estas evidencias, han llevado a
que se sustituyan por otros transistores más
avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
[2]
El MOSFET es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas.
Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales. Prácticamente la
Figura 1.
La estructura MOS está compuesta de dos
terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el
cual se genera una capa de Oxido de Silicio
(SiO2) que, posee características dieléctricas
o aislantes, lo que presenta una alta
impedancia de entrada. Por último, sobre esta
capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio
o polisilicio), que posee características
conductoras. En la parte inferior se coloca un Procedimiento:
contacto óhmico, en contacto con la capsula,
como se observa en la figura 2. [2] Características de transferencia:
1. Realice el montaje del circuito de la figura
4. (Opcional)

Figura 2.

El mosfet conduce corriente eléctrica entre

dos de sus patillas cuando aplicamos tensión
Figura 4.
en la otra patilla. Es un interruptor que se
activa por tensión. Los dos tipos de Mosfet se
muestran en la figura 3.
2. Al realizar la simulación ajustamos
VDS=10V variando V1, manteniendo R1
ligeramente mayor a ¼ del valor total. Tabla
1.
Tabla 1.

Figura 3. V1=VDS1=10V
VGS (V) ID(mA)
0V 0,13
OBJETIVOS: 8V (máx) 0,10

 Verificar el funcionamiento de un
MOSFET 3. V2 lo mantuvimos en 0V. Después
 Experimentar circuitos de cambiamos el valor de VGS variando el valor
polarización del MOSFET de V2. (Manteniendo a R2 en el valor
mínimo) y observamos la caída de voltaje de
VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
MATERIALES llevando VGS a 5V.
Componentes: 4. Realizamos los pasos anteriores para
 Un MOSFET RF 740 o 2N7000 diferentes valores con:
 Un LED de color  VDS2 = 12V.
 Resistores: 75Ω (2),
 Potenciómetros: 4 KΩ y 10KΩ VDS3 = 15V
Los resultados obtenidos se evidencian en la
Tabla 2.

Tabla 2.
II. MARCO TEÓRICO.
 V1=VDS2=12V
VGS (V) ID (mA)
0,19 0.16
V1=VDS3=15V
VGS (V) ID(mA)
0.23 0,20

Características de drenaje:
5. Ajustamos el VG variando el valor de V2 a
VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral).
Tabla 3.
Tabla 3.

V1=VGS1=VTH
VDS (V) IDS(mA)
0V 0,00
8V (máx) 0,10

6. Variamos VGS cambiando el valor de V2

en variaciones de 0.5V y anotamos el valor de
IDS. (Hasta que IDS sea constante). Pregunta de investigación: ¿Por qué
7. Repetimos los pasos anteriores para los MOSFET no son implementados en
diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V. aplicaciones de elevadas potencias?
Tabla 4.
R/ El transistor MOSFET no es
Tabla 4. implementado para estas aplicaciones
porque éste utiliza una velocidad de
VGS=VGS2=VTH ±0.1V conmutación en el orden de los
VDS (V) IDS (mA) nanosegundos, lo que le permite ser
0V 0.00 utilizado como convertidores de baja
8V (máx) 0,13 potencia y llevar a cabo la disipación de
la energía; que en términos de pérdida es
muy pequeña, lo que hace que sea un
componente importante en los modernos
III. ANÁLISIS DE RESULTADOS. ordenadores y dispositivos electrónicos
en la actualidad.

IV. CONCLUSIÓN.
Los mosfet controlan el paso de la
corriente por el source y drain, mediante
la aplicación de una tensión (tensión
umbral) en el gate. Es controlado por
tensión, al aplicar tensión conduce y
cuando no hay tensión en la puerta no
conduce. Por otro lado si VGS < Vt este
esté esta en zona de corte, y cuando se
satura VGS > Vt y VDS > (VGS – Vt), es
decir, VDS ≥ VGS – VT (Región de
saturación). Este dispositivo trabaja a baja
potencia, por eso las corrientes y voltajes
son pequeños, es decir teniendo en cuenta
la relación que hay de potencia con la
corriente y la resistencia tanto los voltajes
como las corrientes que obtenemos son
bastantes pequeños, entonces se evidencia
que aun teniendo una fuente de 30V y
teniendo el resistor de 4k al máximo lo
que logra salir en VDS es muy diminuto,
el voltaje no llega a 1V y la corriente
tampoco llega a 1A.

V. BIBLIOGRAFÍA.

[1] V. García. (15 Nov/2012). [Online].

Available:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/e
l-transistor-mosfet
[2] Componets 101. (23 Mar/2020. [Online].
Available:
https://components101.com/articles/mosfet-
symbol-working-operation-types-and-
applications