Unidad 3.

Transistor de unión bipola (BJT) y Transistor de efecto de

campo (FET)

Lo que se había visto en clase

antes de la contingencia
Se conoce que un transistor en la configuración emisor
común, tiene una corriente de base que controla a la
corriente de colector y que pocas variaciones de esta
corriente de entrada (base) producen grandes
variaciones en la corriente de salida (colector).
La ganancia de corriente del transistor en esta
configuración se denominó beta (β) y se obtiene por:
β = ( I c / Ib ) = Ai
Si vamos a utilizar al transistor como un amplificador,
es importante saber que tipo de amplificador, para
determinar donde va a colocar el punto de operación
“Q” o de polarización en corriente directa (C.D.) en la
recta de carga trazada sobre las curvas características.
 Sabemos que un transistor funciona como
amplificador, cuando se debe polarizar la unión
emisor-base en sentido directo y la unión
colector-base en sentido inverso, dichas
polarizaciones se logran a través de una sola
fuente de energía de C.D.
Esto se logra en la conexión emisor común por
medio de los siguientes circuitos de polarización:
• Polarización por corriente o polarización fija.
• Polarización por tensión y corriente o
autopolarización.
• Polarización por divisor de voltaje.
Circuito de Polarización por Corriente o Polarización
Fija.-

Para este tipo de polarización se utiliza el circuito de

la figura siguiente. Se analizan por la segunda ley de
Kirchhoff, el circuito de entrada y el circuito de salida
con el fin de encontrar las corrientes y los voltajes de
polarización en la base, en el colector del transistor
respectivamente.
En el circuito de entrada:
Ie = Ic + Ib = (1 + β)Ib ; ya que: Ic = βIb
Vcc = RbIb + Vbe + ReIe = RbIb + Vbe + Re(1 + β)Ib
Vcc = [Rb + Re(1 + β)]Ib + Vbe
 vo
vi

La corriente de entrada es:

Vcc – Vbe
Ib =
RB + RE (1+β)
 Las corrientes de colector y emisor se calculan
conociendo la corriente de base, con las
ecuaciones anteriores.
En el circuito de salida se tiene.
Vcc = RcIc + Vce + ReIe = RcβIb + Vce + Re (1+β)Ib
El voltaje entre colector y emisor se obtiene por.
Vce = Vcc – [Rcβ + Re (1+β)]Ib

Ejemplo.- Encuentre las corrientes y el voltaje del

punto de polarización “Q” del circuito anterior si:
Vcc=12V; β=50; Vbe=0.7V; Rc=2.2KΩ; Rc=250KΩ;
Re=1KΩ.
Resolviendo: Aplicando las ecuaciones obtenidas y
sustituyendo valores de los elementos, se tiene.
Ib = 37.54 x 10¯⁶A = 37.54 μA.
Ic = (50)(37.54 x 10¯⁶)A = 1.877 mA.
Ie = (51)(37.54 x 10¯⁶)A = 1.9145 mA.
Vce = 5.9464V

Notas:
 No se debe memorizar las formulas, sino debe aplicar la
segunda ley de Kirchhof en los circuitos de entrada y de
salida.
 Se deben conocer los valores de los resistores, de la
ganancia de corriente y el voltaje entre base-emisor del
transistor.
 Si no conoce los valores de los elementos que forman el
circuito de polarización fija, pero tiene las curvas
características en conexión emisor común del transistor y
su tipo, se sigue el siguiente procedimiento:
1. Se traza la recta de carga estática (método gráfico) de
funcionamiento del transistor en el circuito, escogiendo
valores de “Vcc” y “Icmax” en las curvas.
2. Se selecciona el punto de operación “Q” sobre la recta de
carga con la intercepción de una curva (se obtiene “Ib”),
de acuerdo al tipo de amplificador que se requiere.
3. Se trazan las proyecciones vertical y horizontal del punto
“Q” para obtener “Ic” y “Vce”.
4. Se calcula “Ie” y el valor de los resistores aplicando la
segunda ley de Kyrchhof.
Ejemplo.- Considerando el circuito de polarización fija
anterior, determine los valores de los resistores a
usar y de la fuente de C.D., si se tiene un transistor
de silicio con voltaje base-emisor de 0.7V y curvas
características en emisor común que se muestran.
Ic(mA) 60μA
6 50μA
5 40μA 30μA
4 Q 20μA
3
2 10μA
1 5μA
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Vce(V)
Escogemos para trazar la recta de carga:
Vcc = 10V y Icmax = 6 mA
Seleccionamos el punto “Q” en la intercepción de
la recta con la curva de 30μA, dando:
Ib = 30μA ; Ic = 3.5 mA ; Vce = 4.3V; Ie = 3.53 mA
Proponemos para el diseño a: Re = 220Ω
Por la 2ª ley de Kirchhof en la entrada y en la salida,
se tiene:
Rc = {[(10V – 4.3V – (220Ω)(3.53mA)]/3.5mA}
Rc = 1.407KΩ &
Rb = {[(10V – 0.7V – (220Ω)(3.53mA)]/30μA}
Rb = 284.113KΩ
 Este circuito proporciona ganancia adecuada para
un amplificador, pero tiene dificultades para
mantener la estabilidad de polarización, debido a la
variación de la corriente de colector, por los
cambios en la temperatura y esto ocasiona que
varíe la ganancia beta (β).

Por lo que, es conveniente que en el diseño se

considere un buen circuito estabilizador,
considerando las variaciones de corriente que tiene
el transistor por los efectos de la temperatura, esto
se hace muchas veces colocando un resistor “Re”
en el emisor.
 Circuito de Polarización por Tensión-Corriente o
Autopolarización .-
Este tipo de circuito de polarización del transistor
en conexión emisor común, se muestra a
continuación.

vi vo
La retroalimentación de voltaje también proporciona
una mejor estabilización de la polarización en C.D.
Lo cual, se logra con el circuito de polarización por
tensión-corriente o autopolarización.
Se debe analizar este circuito por la segunda ley de
Kirchhof en el circuito de entrada y en el circuito de
salida, para determinar las corrientes y voltajes de
polarización en la base como en el colector.
En el circuito de entrada:
Vcc = RcIc + RbIb + Vbe + ReIe
Como Ie = Ic + Ib = (1 + β)Ib ; ya que Ic = βIb
Vcc = [βRc + Rb + (1 + β)Re]Ib + Vbe
 La corriente de entrada o de base, es:
Vcc - Vbe
Ib =
βRc + Rb + (1 + β)Re
Las corriente de colector y de emisor, se pueden
calcular con las ecuaciones anteriores.
En el circuito de salida:
Vcc = RcIc + Vce + ReIe = [βRc + (1 + β)Re]Ib + Vce
Vce = Vcc - [βRc + (1 + β)Re]Ib

Ejemplo.- Si en el circuito de autopolarización anterior, se

usa un transistor de silicio con Vbe = 0.7V y β = 50,
resistores Rc = 3.3KΩ, Rb = 250KΩ, Re = 220Ω.
 Determine las corrientes y el voltaje del punto de
polarización “Q”.
Solución: En el circuito de entrada, la corriente de base es.
Ib = (10V – 0.7V)/[(3.3KΩ)(50)+250KΩ+(51)(220Ω)]
Ib = 21.82 x10¯⁶A = 21.82 μA
Ic = 1.09 mA y Ie = 1.1128 mA
& Vce = 10V - [(3.3KΩ)(50)+(51)(220Ω)](21.82 μA)
Vce = 6.155V
Notas:
 Esto es cuando se conocen β, Vbe, Rc, Rb y Re.
 Si tienen las curvas características, se utiliza el mismo
método que se aplico en el circuito de polarización
anterior.
Ejemplo.- Considerando el circuito de autopolarización
fanterior, determine los valores de los resistores a
usar y de la fuente de C.D., si se tiene un transistor
de silicio con voltaje base-emisor de 0.7V y curvas
características en emisor común que se muestran.
Ic(mA) 60μA
6 50μA
5 40μA 30μA
4 Q 20μA
3
2 10μA
1 5μA=Ib
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Vce(V)
 Proponemos: Vcc = 10V y Icmax = 6mA
En donde se observa que el punto de polarización
“Q” seleccionado proporciona:
Ib = 20μA, Ic = 3.5mA, Ie = 3.52mA y Vce = 4.4V
& β = Ic/Ib = (3.5mA)/(20μA) = 175
Si proponemos en nuestro diseño a: Re = 180Ω
En el circuito de salida se tiene:
Rc = [10V – 4.4V – (180Ω)(3.52mA)]/(3.5mA)
Rc = 1.419KΩ
En el circuito de salida se tiene:
 [10V–0.7V–(1.419KΩ)(3.5mA)-(180Ω)(3.52mA)]
Rb =
(20μA)
Rb = 185KΩ

Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje.-

Este circuito de polarización, que se muestra en la

figura siguiente, es independiente de la ganancia de
corriente beta (β) del transistor y es muy utilizado para
realizar amplificadores.
  Es necesario analizar por medio de la segunda ley de
Kirchhof, en los circuitos de entrada y de salida con el
 fin de encontrar las corrientes y el voltaje de
polarización del punto “Q” en la base y en el
colector.

vi vo
VB
En el circuito de entrada:
Si se considera que “Rb2<<Rin”, en donde “Rin” es
la resitencia de entrada del amplificador entre la
base y el punto común o tierra, se puede
considerar que “Ib = 0”.
Por divisor de voltaje se tiene que
VB = [Rb2/(Rb1+Rb2)]Vcc
Ie ≈ Ic = [(VB - Vbe)/Re]
En el circuito de salida:
Vcc = RcIC + Vce + ReIe = Vce + (Rc + Re)Ie
Vce = Vcc - (Rc + Re)Ie
 Cuando “Ib ‡ 0” se aplica el teorema de Thevenin
en el circuito de entrada, como se muestra en la
siguiente figura.
En donde:
(Rb1)(Rb2)
Rbb =
VB
R b1 + R b2
VB
El valor máximo de la corriente de base sería:
Ibmax = VB/Rbb cuando “Rin = 0”
Se puede tener “0<Ib<Ibmax” dependiendo de “Rin”
Ejemplo.- Encuentre las corrientes y el voltaje del
punto de polarización “Q” del circuito de
polarización por divisor de voltaje anterior si:
Vcc=24V, Rc=2.2KΩ, Re=220Ω, Rb1=47KΩ,
Rb2=4.7KΩ.
Solución:
VB = [(4.7KΩ)(24V)]/(4.7KΩ+47KΩ) = 2.18V
Si: Ib = 0 Ie = Ic = (2.18V-0.7V)/220Ω = 6.727mA
& Vce = 24V – (2.2KΩ+220Ω)(6.727mA) = 7.72V
Si: Ib ‡ 0 Rb = [(47KΩ)(4.7KΩ)]/(47KΩ+4.7KΩ)
Rb = 2.27KΩ
Ibmax = 2.18V/ 2.27KΩ = 0.51mA = 510μA
 Si consideramos una corriente de base de 100μA.
Ie = [2.18V-(4.27KΩ)(0.1mA)-0.7V]/220Ω = 4.79mA
Ic = 4.79mA – 0.1mA = 4.69mA
& Vce = 24V-(2.2KΩ)(4.69mA)-(220Ω)(4.79mA)
Vce = 12.63V
Ejemplo: Encuentre los valores de los resistores a
usar en un circuito de polarización por divisor de
voltaje, si se utiliza un transistor de silicio con las
siguientes curvas características y Vbe = 0.64V.
Solución: Para trazar la recta de carga de operación
del transistor, escogemos a Vcc = 20V y Icmax = 7mA
 Ic(ormA) 60μA
8 50μA
7 40μA
6 30μA
4 Q 20μA
3
2 10μA
1 5μA=Ib
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 V
Seleccionamos el punto de polarización “Q” en la
intercepción de la recta con la curva de “Ib=30μA”,
proporcionando:Ic=3.8mA , Vce=8.6V y Ie=3.83 mA
Para el resistor de colector, se calcula su valor
 máximo con: Rcmax = Vcc/Icmax = 20V/7mA = 2.86KΩ
Proponemos para el diseño un “Rc = 2.7KΩ”, por
lo que en el circuito de salida aplicamos la 2ª ley
de Kirchhof se puede encontrar el resistor de
emisor.
Re = [20V–(2.7KΩ)(3.8mA)-8.6V]/3.83 mA = 297.7Ω
En el circuito de entrada:
Encontramos el valor del voltaje de base “VB” por.
VB = Vbe + ReIe = 0.64V + (297.7Ω)(3.83mA) = 1.78V
Para los resistores “Rb1 y Rb2” se tiene.
VB/Vcc = Rb2/(Rb1+Rb2) = (1.78V/20V) = 0.089
 & la resistencia de thevenin es,
Rbb = Rb1Rb2/(Rb1+Rb2) =VB/Ib =1.78V/30μA = 59.3KΩ
Sustituyendo se tiene:
0.089Rb1 = 59.3KΩ Rb1 = 59.3KΩ/0.089 = 666.67KΩ
& Rb2 =(0.089)(Rb1+Rb2)
Rb2 =(0.089)(Rb1)/(1-0.089) = 65.13KΩ

Circuitor de Polarización para Colector Común.-

Este circuito se conoce como conexión del
transistor en seguidor emisor. En la siguiente
figura se muestra este tipo de circuito.
 Las ecuaciones que
rigen al circuito son:
1) Circuito de Entrada
Vcc = RbIb + Vbe + ReIe
vi la relación de las corrientes
vo Ie = Ic + Ib = (1 + β)Ib
sustituyendo
Vcc = [Rb+(1+β)Re]Ib+Vbe
La corriente de base es: Ib = (Vcc-Vbe)/[Rb+(1+β)Re]
2) Circuito de Salida: Vcc = Vce + ReIe
Vce = Vcc – ReIe = Vcc – (1+β)ReIb
 Ejemplo: Encuentre
las corrientes y el
voltaje del punto de
polarización “Q” del
circuito siguiente, si
el transistor es de
silicio y con β = 45
Solución: Ib = (9V-0.7V)/[100KΩ+(1+45)(2.7kΩ)]
Ib = 37x10¯⁶A = 37μA Ie = (46)(37μA) = 1.703mA
& Vce = 9V – (2.7kΩ)(1,703mA) = 4.402V
 Ejemplo: En el circuito
siguiente, calcule las
corrientes y el voltaje
de polarización en CD
si se usa un transistor
de silicio con β = 100
Solución: Sabemos
Vb=[33KΩ/(33KΩ+33KΩ)](15V) = 7.5V
Ve = Vb - Vbe = 7.5V – 0.7V = 6.8V Ie = 6.8V/2.7KΩ
Ie = 2.518mA & Vce = 15V -6.8V = 8.2V
 Amplificador de pequeña señal de C.A. con Transistor
Bipolar (BJT).-
La utilización del transistor bipolar (NPN o PNP) como un
amplificador, se puede llevar acabo a través de las tres
configuraciones de conexión: Emisor Común, Colector
Común y Base Común.
Como se conoce para que un transistor pueda amplificar,
es necesario polarizar la unión emisor-base en forma
directa y la unión emisor-colector en forma inversa. Lo
cual, se lleva acabo a través de la aplicación de un voltaje
en C.D., por medio de una fuente de poder y con un
determinado circuito de polarización, formado éste por
elementos resistivos externos que llevan al transistor a la
región de amplificación dentro de sus curvas
características.
 Si consideramos de manera general, el circuito
amplificador como un cuadrípolo, cuando se
alimenta con C.A., como se muestra en la figura
siguiente.

ii(wt) io(wt) Rc
Ri Cuadrípolo
vi(wt) vo(wt)

Amplificador como Cuadrípolo

Es posible determinar el valor de la resistencia de
 entrada (Ri) del amplificador para calcular las
ganancias de voltaje, corriente y potencia,
considerando el valor máximo instantáneo que tienen
los voltajes de entrada y salida, como a continuación
se expresan.
ii(wt) = [vi(wt)/ Ri] & io(wt) = [vo(wt)/ RC]
La ganancia de tensión es:
Av = ( Vo / Vi )
La ganancia de corriente es:
( V o / RC ) Ri Av
Ai = ( Io / Ii ) = =
( Vi / Ri ) Rc
La ganancia de potencia es:
Ap = Av Ai = Vo2Ri/Vi2 RC
El comportamiento de cualquier amplificador, con
las etapas de amplificación que tenga, también
depende de la frecuencia de la señal a amplificar.
Por eso, es importante especificar que el
amplificador trabaja a determinada frecuencia, ya
que, si se le aplica otra señal con una frecuencia
mayor o menor puede ser que su salida se
encuentre distorsionada.
Cada amplificador tiene un rango de frecuencias
de operación, con valores mínimo y máximo.
 Esto quiere decir, que el circuito amplificara la
señal de entrada solo en los valores del rango de
frecuencias y cuando se alimente una señal con
una frecuencia menor al valor mínimo del rango o
con una frecuencia mayor al valor máximo del
rango, la señal de salida no se amplificará como
debe ser o puede que se distorsione.
El enfoque de pequeñas señales, es considerar el
circuito equivalente eléctrico en C.A. del transistor
para el análisis del circuito amplificador por medio
de las leyes de Kirchhof y así determinar la
respuesta del mismo.
 Con Parámetros Híbridos (h)
Circuito
Equivalente
Con Parámetros Resistivos (r)

El fabricante del transistor en su hoja de datos

técnico debe proporcionar estos parámetros o
cuando menos algún tipo.
Si tomamos en cuenta el circuito equivalente del
transistor en C.A. con parámetros híbridos de
manera general podemos decir, que el circuito de
entrada de aplica la 2ª L.K. (mallas) y en el circuito de
salida se usa la 1ª L.K. (nodos).
 Si tenemos la representación del transistor como
un cuadrípolo en cualquier conexión como se
muestra, tendrá como circuito equivalente con
parámetros híbridos el que se indica.
hi

vi ii ) io vo ii hr v 0 ho io
vi hfii vo

Transistor “BJT” Circuito equivalente “h”

Las ecuaciones que rigen su comportamiento son:
vi(t) = hiii(t) + hrvo(t)
io(t) = hfii(t) + ho vo(t)
 La forma en que se obtienen estos parámetros
híbridos es a través de considerar al transistor en
circuito abierto en la entrada (ii=0) y luego en la
salida en corto circuito (vo=0), por lo que se tiene:
hi = vi/ii |ᵥₒ₌₀ ….. Impedancia de entrada en “Ω”

hr = vi/vo|ᵢᵢ₌₀ …..… Ganancia de voltaje inversa

hf = io/ii|ᵥₒ₌₀ …… Ganancia de corriente directa
ho = io/vo|ᵢᵢ₌₀ ….. Admitancia de salida en mhos
De acuerdo a la conexión del transistor, a cada
parámetro híbrido se le añade la letra de esta, “e”
emisor común, “b” base común y “c” colector
común. Sus circuitos se muestran a continuación.
 ic hie
hfeib ic
ib
ib vce vbe hrevce hoe
i vce
vbe

Las ecuaciones que lo rigen: Vbe = hieib + hrevce

ic = hfeib + hoevce
hib
ie -hfbie ic
veb vcb
veb hob vcb
hrb vcb
Las ecuaciones que lo rigen:
veb = -hibie + hrbvcb
ic = -hfbie + hobvcb
hic
hfc ib
Vbc ib
hoc Vec
Vec Vbc hrcVec
ib
ie
ie

Las ecuaciones que lo rigen:

vbc = hicib + hrcvec
ic = -hfcib - hocvec
 A continuación analizaremos al transistor en
forma general, sin considerar ninguna conexión
específica, para encontrar sus características de
amplificador (Av, Ai, Ap, Zi y Zo) en función de los
parámetros híbridos. Si tenemos la siguiente
representación:
hi
ii io
vo
vi ZL
h f ii ho
Zi hrvo Zo
En el circuito de salida se tiene:
io(t) = hfii(t) + ho vo(t) & vo(t) = -ZL io(t)
Sustituyendo ; io(t) = hfii(t) - ho ZL io(t)
(1 + hoZL) io(t) = hfii(t)
La ganancia de corriente es. io(t) hf
Ai = =
ii(t) (1 + hoZL)
En el circuito de entrada se tiene:
vi(t) = hiii(t) + hrvo(t)
Si; ii(t) = [(1 + hoZL) io(t)]/hf
vi(t) = hi{[(1 + hoZL)(-vo(t)/ZL)]/hf} + hrvo(t)
La ganancia de voltaje es:
vo(t) hfZL
Av = =
vi(t) hrhfZL - hi(1 + hoZL)
La impedancia de entrada es: Zi = [vi(t)/ii(t)]
hfhrZL
zi = hi –
(1 + hoZL)
La impedancia de salida es: Zo = [vo(t)/io(t)] = 1/Yo
Yo = ho – (hfhr)/(hi+Rs)
La ganancia de potencia es: Ap = -Av Ai
Ejemplo.- Determine la ganancia de voltaje, la
ganancia de corriente, la ganancia de potencia, la
impedancia de entrada y la impedancia de salida
del circuito amplificador de la siguiente figura, si
se usa un transistor con los siguientes parámetros
híbridos: hie=1KΩ,, hre=2x10¯⁴ hfe=50, hoe=20μA/V
io Este circuito ya esta
polarizado en C.D.,
ii
para su análisis en
vo
vi Zo C.A., es necesario
Zi
eliminar la fuente
Vcc, los capacitores C1 y C4 en corto circuito para el
 circuito equivalente en C.A. con parámetros
híbridos, como se muestra a continuación:
c
Para el transistor:
b
ii ib ic
A i = ic/ib
io
Ai = hfe/[1+hoeRL]
vi vbe vce vo
RL = 2.2KΩ
Zi’ Zi Zo
e Z o’ 50
Ai =
[1+( 20μA/v)( 2.2KΩ)]
Ai = 47.893 & Zi = hie - (hfehreZL)/(1+hoeRL)
Zi=10³ - [(50)(2x10¯⁴ )(2.2KΩ)]/[1+(20μA/v)( 2.2KΩ)]
Zi = 978.93Ω & Yo = hoe – (hfehre)/(hie+Rs)
 Y0 = 20μA/V – [(50)(2x10¯⁴ )]/(10³+0) = 10μA/V
Zo = 1/Yo = 1/10μA/V = 100KΩ &
Av = vce/vbe = hfeZL /[hrehfeZL - hie(1 + hoeZL)]
Av=(50)(2.2KΩ)/{(50)(2x10¯⁴ )(2.2KΩ)-(10³)[1+(20μA/v)( 2.2KΩ)]}
Av = - 107.63
Para el amplificador:
Av’= vo/vi = vce/vbe =Av = -107.63
Ai’ = io/ii = ic/ii ; del circuito equivalente se ve que
Por divisor de corriente se tiene.
Ib = [220KΩ/(220KΩ+Zi)]ii
Ib =[220KΩ/(220KΩ+978.93Ω)]ii = 0.9955ii
ii = ib/0.9955 = 1.00445ib
Sustituyendo en la ganancia de corriente.
Ai’ = ic/1.00445ib = (1/1.00445)Ai = (0.9956)(47.893)
Ai’ = 47.68
La impedancia de entrada es: Zi’ = 220KΩ // Zi
Zi’ = (220KΩ)(978.93Ω)/ (220KΩ + 978.93Ω) = 974.6Ω
La impedancia de salida es: Zo’ = 2.2KΩ // Zo
Zo’ = (2.2KΩ)(100KΩ)/(2.2KΩ + 100KΩ) =2.153KΩ
La ganacia de potencia es:
Ap’ = - Ai’ Av’ = -(47.68)(- 107.63) = 5131.798
Nota: Por lo general los fabricantes no proporcionan
todos los parámetros híbridos, aquellos que no den
ningún dato see consideran de valor cero.
Ejemplo.- En el siguiente circuito amplificador,
encuentre: La ganancia de voltaje, la ganancia de
corriente, la impedancia de entrada y la
impedancia de salida. ¿Cuál es el voltaje “vo”?
Si se usa un transistor con: hfe = 80 y hie = 1.5KΩ
Solución.-
ic Se eliminan
ib c i o C1, C2 y Vcc en
b
Zo vce vo
ii
corto circuito
Zi
Vbe e
vi en el circuito
Zi’
Zo’ equivalente
 con parámetros híbridos, como se muestra a
continuación.
Para el transistor:
ii ib ic io
vce
Av = Vce/Vbe
vbe
vi Zi
Zo
A v = hfeZL /hie
Zi’
vo
Zo’ Av = (80)(10KΩ)/ (1.5KΩ)
Av = 533.333 &
Ai = (ic/ib) = hfe = 80 ; Zi = hie = 1.5KΩ ; Yo = hoe = 0 ;
Zo = ∞
Para el amplificador: En el circuito de entrada.
Ib = {[(Rb1//Rb2 )/ [(Rb1//Rb2 )+(hie+Re)]} ii
 ii = (1.35)ib
En el circuito de salida. io = - [(Rc)/(Rc+RL)]ic
io = - [(Rc)/(Rc+RL)][hfeib] = - 25.578ib
La ganancia de corriente es.
Ai’ = io/ii = (- 25.578ib)/(1.35ib) = -18.94
La impedancias de entrada y de salida son.
Zi’ = Rb1 // Rb2 //(hie+Re) = 1.573564KΩ
Zo’ = Rc //RL //Zo = 3.197KΩ
La ganancia de voltaje es.
Av’ = vo/vi = (RLio)/(Zi’ii) = [(10/1.573564)(-18.94)
Av’ = -120.363
El voltaje de salida es. vo = Av’vi
vo = (-120.363)(50mV) = - 6.018V
Ejemplo.- En el siguiente circuito amplificador,
encuentre: La ganancia de voltaje, la ganancia de
corriente, la impedancia de entrada y la
impedancia de salida. Si se usa un transistor con:
hib = 50Ω
c
ic
e
I hrb = 200x10¯⁶
ii ib
veb hfb = -0.98
vicb Zo’
hob = 0.4μA/V
vi Zi’ Zi Zo vo
Solución: Se obtiene el circuito equivalente con
parámetros “h” eliminando las fuentes de voltaje
y los capacitores en corto circuito.

ii ie ic io
veb vcb
vi vo
Zi’ Zi Zo Zo’

En el transistor: Ai = ic/ie = hfb/(1+hobZL) ZL = Rc//Ro

Ai = (-0.98)/[(1+(0.4μA/V)(3.2KΩ)] = - 0.97875
Av = vcb/veb = hfbZL/[hrbhfbZL - hib(1+hobZL)]
Av =(-0.98 )(3.2KΩ)/[(200x10¯⁶)(-0.98 )(3.2KΩ)-50(1+(0.4μA/V)(3.2KΩ)]
Av = 61.865
Zi = hib – [hrbhfbZL/ (1+hobZL)]
Z i = 50 – {(200x10¯⁶)(-0.98 )(3.2KΩ)/[1+( 0.4μA/V)(3.2KΩ)]}
Zi = (50 + 0.6264)Ω = 50.6264Ω
Yo = hob - [hrbhfb/(hib+Rs) Rs = 0Ω
Yo =(0.4μA/V) –(200x10¯⁶)(-0.98 )/(50+0) = 4.32μA/V
Zo =1/ Yo = 1/ 4.32μA/V = 231.48KΩ
En el amplificador: Av’ = vo/vi = vcb/veb = Av = 61.865
Por divisor de corrientes en la entrada y en la salida.
ii = [(Re+Zi)/Re]ie = [(1KΩ+ 50.6264Ω)/1KΩ]ie = 1.05ie
io = [Rc/(Rc+RL)]ic = [4.7KΩ/(4.7KΩ+10KΩ)]ic = 0.32ic
Ai’ = io/ii = (0.32ic)/(1.05ie) = 0.3Ai = -0.2982
Zi’ = Re//Zi = (1KΩ)//(50.6264Ω) = 48.187Ω
Zo’ = Rec//Zo = (4,7KΩ)//(231.48KΩ) = 4.606KΩ