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TALLER 1 TRANSISTORES BJT

ELECTRONICA ANOLOGICA

PRESENTADO POR:

OSCAR ANDRÉS MARIN TELLEZ-42191019

NICOLAS AGUILAR MONROY – 42201011

ANDRES BERNAL - 42192012

UNIVERSIDAD DE LA SALLE

FACULTAD DE INGENIERIA

2021-1
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3.1 INDICE
3.2 OBJETIVOS
3.3 Transistor BJT
3.4 Polarización fija
3.4.3 Polarización universal
3.4.4 Transistor 2n2222A
3.5 MATERIALES Y PROCESOS
3.6 RESULTADOS
3.6.1 Problema 1B
3.6.1.1 Tabla de datos
3.6.2 Problema 1.2
3.6.2.1 Tabla de datos
3.6.3 Problema 1.3
3.6.3.1 Tabla de datos
3.6.4 Problema 1.4
3.6.4.1 Tabla de datos
3.6.5 Problema 1.4.9
3.7 Análisis de resultados

3.8. CONCLUSIONES

3.9 Referencias

3.10 ANEXOS

3.11 ANEXOS 2
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Capítulo 1
3.2. Objetivos:
1.2 Objetivo general:
 El informe presentado a continuación tiene como objetivo reforzar los saberes previos
del funcionamiento básico del transistor bipolar en distintos circuitos
1.3 Objetivos específicos:
 Resolver los circuitos encontrando sus voltajes (colector, base y emisor) y corrientes.
 Montar los ejercicios en Orcad y analizar los resultados
 Analizar los transistores para así saber qué tipo son si NBN o PNP.
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3.3 INTRODUCCIÓN:
El transistor bipolar inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y
W. Brattain. También se suele denominar por sus siglas inglesas BJT que significa bipolar
junction transistor
El transistor bipolar es un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales,
llamados emisor, base y colector. Existen dos clases de transistores BJT son los npn y pnp (B.G.
Streetman, S. Banerjee, “Solid State Electronic Devices”, Prentice Hall, 2000.)

Imagen 1. Estructura y símbolo de un transistor bipolar npn (izquierda) y pnp (derecha)

3.4 MARCO TEORICO:

3.4.1 Transistor BJT:
Un transistor BJT es una unión bipolar que se caracteriza por ser un dispositivo semiconductor
de estado sólido que permite controlar el flujo de corriente o disminuir voltaje a través de sus
terminales; se pueden ver como amplificadores de señales o como conmutadores de baja
potencia.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:
 Emisor: Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base: Separa el emisor del colector.
 Colector: Extensión mucho mayor.
Están formados por dos uniones de diodos semiconductores, podemos encontrar dos tipos de
transistores BJT, el de tipo NPN y PNP (las letras hacen referencia al material semiconductor por
el que están construidos).
 El transistor tipo NPN está formado por dos capas de material tipo N y separadas por una
capa tipo P.
 5

 Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo P y separadas por una
capa tipo N.

Imagen 2. transistores tipo NPN y PNP. Auditoria de http://electronica.ugr.es

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector.
Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si (Silicio), Ge (Germanio) y
GasAs (Arseniuro de galio) los cuales son recubiertos en diferentes encapsulados los más
comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23.
Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y como
amplificador con ganancia variable.
 Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar en
la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un circuito.
 Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe aplicar
una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente de salida
mayor en las terminales colector y emisor.
3.4.2 Polarización fija: 
El circuito estará formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la base RB
(podría ser variable) y otra en el colector RC, y una batería o fuente de alimentación Vcc. Este
circuito recibe el nombre de circuito de polarización fija y determina el punto Q de reposo del
transistor para unos valores dados de Vcc, RB y RC. Es el circuito más sencillo, pero también el
más inestable con las variaciones de la temperatura. 

3.4.3 Polarización universal: 

Es capaz de compensar los desequilibrios producidos. El circuito está constituido por un divisor
de tensión, formado por R1 y R2, conectado a la base del transistor, y por una resistencia de
emisor RE. Las variaciones de ICB0, β y VBE por efecto de la temperatura se traducen en un
aumento de la corriente de colector IC. Cuando IC tiende a aumentar la caída de tensión en RE
también aumenta, como la tensión en el divisor de tensión en el punto A es casi constante, el
aumento de voltaje en RE provoca que disminuya el voltaje entre base-emisor y esto a su vez
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disminuye la IB lo que provoca una reducción de IC y esto compensa su subida,

en consecuencia, manteniéndola estable ante variaciones de la temperatura. 
3.4.4 Transistor 2n2222A: El 2N2222, también identificado como PN2222, es un transistor
bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación
como de conmutación. DATASHEET EN ANEXOS 2.

3.5 MATERIALES Y PROCESOS:

Los materiales necesarios para la realización de este informe son:
 ORCAD
El proceso a seguir para la realización de este informe es:
1. Analice cada uno de los circuitos mostrados posteriormente
2. Problema 1.1 A. Para el circuito de la figura 1a y 1b, asuma una fuente Vcc de 12V y
determine I C ; I B ; V CE

Figura 1.A. Circuito de polarización con resistencia base. Autoria del docente
3. Problema 1.1.B. Para el circuito de la figura 1a y 1b, asuma una fuente Vcc de 12V y
determine I C ; I B ; V CE

Figura 1.B. Circuito de polarización con resistencia base. Autoria del docente
4. Problema 1.1b. Para el circuito de la figura determine: I C ; I E ; RC ; RB ; V CE
 7

Figura 1.1B. Circuito de polarización con resistencia base. Autoria del docente
5. Problema 1.2a. Para el circuito de la figura 3, determine: I C ; I B ; I E ; V E ; V C ; V CE ; V B

Figura 2. Circuito de polarización con resistencia base y resistencia emisor Autoria del docente
6. Problema 1.2b. Para el circuito de la figura, determine: I C ; I B ; I E ; V E ; V C ; V CE ; V B

Figura 1.2B. Autoria del docente

7. Problema 1.2c. Para el circuito de la figura, determine: I C ; I B ; I E ; V E ; V C ; V CE ; V B
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Figura 1.2C. Autoria del docente

8. Para el circuito de la figura 6, determine: I C ; I B ; I E ;V E ; V C ; V CE ; V B

Figura 3. Circuito dos resitencia de base y una emisora Autoria del docente
Autoria del docente
9. Para los circuitos de las figuras 8, 9 y 10determine el Vce:

Figura 4.Circuito con fuente dual y resistencia de base . Autoria del docente
 9

Figura 5. Circuito con dividor en la basa y resistencia emisor con fuente dual Autoria del
docente

10. Finalmente, una vez se hayan hallado todos los datos solicitados anteriormente, se
porcederá simular todos los circuitos en el programa ORCAD para así verificar
congruencia entre los datos hallados teoricamente y los datos medidos

3.6 RESULTADOS:
3.6.1 Problema 1A. Para el circuito de la figura 1a asuma una fuente Vcc de 12V y determine
I C ; I B ; V CE

Malla de entrada:
V cc =I B R B + I E R E

I E =I B (β +1)

12 V =I B RB + I B (β+1)R E
12 V −0,7
I B=
220 K
 10

I B=51,36uA

I C =β∗I B

I C =60∗51,36 uA

I C =3,08 mA

Malla de salida:
V CC =V RC +V CE

V CE =V CC + I C RC

V CE =5,4 V

SIMULACIÓN EN ORCAD:

Simulación Orcad Problema 1.1.A. Autoría propia

Tabla de datos:
Teórico Simulación %Error
IC 3,08 mA 3,10 mA 0,64
IB 51,36 uA 51,49uA 0.25
V CE 5,4 V - -
Tabla . Comparación procedimiento y simulación en Orcad problema 1.1A

3.6.2 Problema 1B. Para el circuito de la figura 1a asuma una fuente Vcc de 12V y determine
I C ; I B ; V CE
 11

Figura 1.B. Circuito de polarización con resistencia base. Autoria del docente

Malla de entrada figura 1b:

Vcc=I C∗RC +V CE

Vcc−V BE 12 V −0.7 V
I B= I B= =11.3 uA
RB 1MΩ

I c =I B β=1.243 mA

Malla de salida figura 1b:

Vcc=I C∗RC +V CE

Vcc=I B β∗RC +V CE

Despejando de aquí el voltaje del colector-emisor

Vcc−( I B β∗R C )=V CE

Vce=12V −( 110∗11 uA∗4.7 k Ω )

Vce=6.313 V
SIMULACIÓN EN ORCAD:
 12

Ilustración 1. Circuito simulado en Orcad figura 1b. Autoría propia.

3.6.1.1 Tabla de datos
TEORICO SIMULACIÓN % DE ERROR
Ic 1.243mA 1.253 mA 0
Ib 11.3 uA 11.37 uA 0.62
Vce 6.313 V 6.110V 3.21
Tabla 1. Comparación procedimiento y simulación en Orcad problema 1.B
3.6.3 Problema 1.1 b
Teniendo en cuenta los datos suministrados en la figura 2, determine: I C , I E , V CE , R B , RC

Figura 1.1B Autoria del docente

I B=40 uA

I C =¿ β∗I B

I C =3,2 mA

Vcc=I B RB +V CE
 13

12−07
R B=
40uA
R B=282,5 KΩ

V C =V CE

6 V =V CE

V CC −V CE
RC=
IC
12−6V
RC =
3,2 mA
RC =1875Ω

SIMULACIÓN EN ORCAD:

Simulación Orcad Problema 1.1.B. Autoría propia

Tabla de errores:
Teoricos Simulacion %Errores
IC 3,2 mA 3,2 mA 0
V CE 6V 6,110V 0.0180
RB 282,5KΩ 282,5KΩ 0
RC 1875Ω 1875Ω 0
Tabla 1. Comparación procedimiento y simulación en Orcad problema 1.1B
 14

3.6.4 Problema 1.2a

Figura 2.. Circuito de polarización con resistencia base y resistencia emisor Autoria del docente

V CC =I B R B +V BE + I E RE

V CC =I B R B +V BE + I B ( β +1) R E

V CC =I B R B +V BE + I B ( β +1) R E

20 V −0.7V =I B ( RB ( β +1 ) R E )

20 V −0.7V =I B ( 390 k Ω (110+ 1 ) 1.2 k Ω )

19.3=I B ( 51948 )

19.3/ ( 51948 )=I B

I B=37.15 μA

V B=I B∗R B

V B=37.15 μA∗390 k=6.5 V

I C =β I B

I C =140 ( 34.51 μA )

I C =4.831 μA

V C =I C∗R C

V C =4.831 mA∗22 K Ω

V C =10.62 V

I E =¿
 15

I E =( 141 )( 34.51 μA )

I E =4.86 mA

V E=I E∗R E

V E=4.86 mA∗1.2 K

V E=5.83 V

V CE =V CC −I C RC −I E RE

V CE =20 V −10.26−5.832

V CE =3.5 V

SIMULACIÓN EN ORCAD:

Ilustración 2. Circuito simulado en Orcad figura 1.2.A. Autoría propia

3.6.2.1 Tabla de datos
TEORICOS SIMULACIÓN % DE ERROR
Ic 4.831 μA 4.41mA 8.7
Ib 37.15 μA 35.87uA 3.44
Ie 4.86 mA 4.45mA 8.43
Ve 5.83 V 5.34V 8.4
Vc 10.62V 9.719V 8.48
Vb 6.5 V 6.011V 7.5
Vce 3.5 V 3.6V 2.85
Tabla 2. Comparación procedimiento y simulación en Orcad problema 1.2A
3.6.5 Problema 1.2 b
 16

Para el circuito de la figura, determine: I C ; I B ; I E ; V E ;V C ; V CE ; V B

Figura 1.2B. Autoria del docente

V CC −V CE
I B=
R B + I B ( β +1) R E
16−0,7
I B=
270 K +(2,7 K)(111)
I B=26,85uA

V B=8,4 V

I E =( 111 )( 26,85 uA )

I E =3,78 mA

V E=8,04 V

I C =2,95 mA

V C =16 V

V CE =V C −V E

V CE =16 V −8,04 V

V CE =7,96 V

SIMULACIÓN EN ORCAD:
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Simulación Orcad Problema 1.2.B. Autoría propia

Tabla de errores:
TEORICOS SIMULADOS %ERRORES
Ic 4,83mA 4,418 mA 0,093
Ib 34,5 µA 35,87 µA 0.0381
Ie 4,86 mA 4,45 mA 0.0921
Ve 5,832V 5,3448 V 0.911
Vc 10,6V 9,7196 0.09057

3.6.7 Problema 1.3.a

Figura 3. Circuito dos resitencia de base y una emisora Autoria del docente
Autoria del docente
 18

Figura 6. Autoria Profesor

Vcc=3.6
4.7 kΩ
Vth=16 v
4.7 kΩ+39 kΩ
Vth=1.72V
39 kΩ∗4.7 kΩ
Rth=
39 kΩ∗4.7 kΩ
Rth=4.2 kΩ
Vth=Ib∗Rth+Vbe+Ve
Vth=Ib∗Rth+Vbe+ Ie∗ℜ
Vth=Ib∗Rth+Vbe+ Ib ( β +1 ) ℜ
Vth−Vbe
Ib=
Rth+ ℜ ( β+1 )
1.72−0.7
Ib=
4.2+1.2 (101 )
Ib=8.13 mA
Ic=Ib∗β
Ic=8.13 mA∗100
Ic=813 mA
Ie=Ib ( β +1 )
Ie=821.13 mA
Vcc=IcRc+ Vce+Ve
Vcc=IcRc+ Vce+ IeRe
Vce=Vcc−IcRc−IeRe
Vce=16 V −( 813 mA )( 3.9 KΩ )−( 821.13 mA ) ( 1.2 KΩ )
Vce=13.814 V
SIMULACIÓN EN ORCAD:
 19

Ilustración 3. Circuito simulado en Orcad figura 1.3.A. Autoría propia

3.6.3.1 Tabla de datos
TEORICOS SIMULACIÓN % DE ERROR
Ic 813 uA 882.9uA 8.59
Ib 8.13 uA 7.93 uA 2.4
Vce 13.814 V 12.56V 9.07
Ie 821.13 uA 890.9uA 8.49
Vc 3.6 V 3.443V 4.36
Tabla 3. Circuito simulado en Orcad figura 1.3.A. Autoría propia

3.6.4 Problema 1.4

1. Para los circuitos de las figuras 8, 9 y 10determine el Vce:

Figura 4.Circuito con fuente dual y resistencia de base . Autoria del docente
 20

I B RB +VBE + I B ( β+ 1 ) R E +VCC

IB¿

7.3
I B= =16.24 uA
3.4 K

I C =β I B =1.74 mA

I E =I B (β +1)

I E =1.76 mA

VCE=16 V −6.96V −7.04 V

VCE=2

SIMULACIÓN ORCAD:

Ilustración 4. Circuito simulado en Orcad figura 1.4.8. Autoría propia

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3.6.4.1 Tabla de datos

TEORICOS SIMULACIÓN % DE ERROR

Ic 1.74 mA 1.77mA 1.72

Ib 16.24 uA 16.31uA 0.43

Ie 1.76 mA 1.79mA 1.70

Vce 2V 1.81V 2.3

Tabla 4. Circuito simulado en Orcad figura 1.4.8. Autoría propia

3.6.5 Problema 1.4.9.

Solución del circuito de la figura 9.

Figura 5. Circuito con dividor en la basa y resistencia emisor con fuente dual Autoria del
docente
Para empezar el desarrollo de este problema es necesario determinar un voltaje y resistencia Thévenin
en la parte izquierda del circuito con un divisor de tensión, puesto que esto facilita la solución de la
malla de entrada.

Vcc∗R 2 V ∗15 kΩ
V TH = V TH =10 =4.28 V
R 1∗R2 ( 20+15 ) kΩ

R 1∗R2
RTH =
R 1 + R2
 22

20 kΩ∗15 kΩ
RTH = =8.57 kΩ
20 kΩ +15 kΩ
Malla de salida figura 9:

V TH =I B∗RTH + V BE

Puesto que de esta ecuación la única variable desconocida es la corriente IB se despejan las otras para
hallar el valor de ésta y quedaría de la siguiente forma:

4.28V −0.7 V
I B= =417.73uA
8.57 kΩ
Malla de entrada figura 9:

Vcc=I E∗R E +V EC

Teniendo el conocimiento de la relación entre la corriente de colector, la beta y la corriente de base se

reemplazan valores y se despeja la variable deseada, en este caso, el voltaje emisor- colector.

V EC =Vcc−I B∗( β +1 )∗R E V EC =−32.19 V

La respuesta tiene gran sentido puesto que la caída de voltaje tiene que ser más negativo en el ánodo
que en el cátodo porque se conecta en inversa.

Ilustración 5. Circuito simulado en Orcad figura 1.4.8. Autoría propia

3.7 Análisis de resultados:

Después de observar los errores cometidos a la hora de simular y comprar los datos obtenidos se realizó
la pertinente modificación para así llegar a errores porcentuales inferiores al 10%, pese a que éstos son
elevados ya no se acercan a los anteriores de orden del 70% o similares. Este error se debe a la cantidad
de cifras decimales tomadas, la modificación de la beta en comparación con el que se tiene en el sistema
y fallos de éste mismo. No obstante, este error es aceptable.
 23

3.8 CONCLUSIONES

1. Con el anterior informe se logró afianzar saberes de los transistores en sus distintas
polarizaciones.
2. Aprendimos como cambiar el valor de Beta en los transistores a través del programa Orcad y a
su vez de manera teórica.
3. Se aprendió las diferentes ganancias que se obtienen al aplicar una resistencia en el emisor para
estabilizar el transistor y evitar la modificación de la resistencia interna.

3.9. Referencias:

 pnp (B.G. Streetman, S. Banerjee, “Solid State Electronic Devices”, Prentice Hall,
2000.)
 2021. polarizacion-transistor. [ebook] Available at:
<http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/polarizacion-transistor.pdf> [Accessed 25 March
2021]. 
 BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos México,2009, PAG12 
 24

3.11 ANEXOS 1.

Data sheet trasistores 2N2221A ; 2N2222A

25