I.T. RVDO.

PADRE “SEBASTIAN OBERMAIER”

LABORATORIO DE ELECTRONICA I
LABORATORIO N° 4
TRANSISTORES

1. OBJETIVO.

Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado interno de los

mismos, tipo de transistor, así como identificación de sus terminales y estudiar las características
V-I del transistor y determinar el punto de trabajo estático del transistor.

2. FUNDAMENTO TEORICO.

Transistores bipolares

Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN en contraposición. Físicamente, está constituido
por tres regiones semiconductoras: emisor, base y colector. Hay dos tipos de transistores
bipolares: NPN y PNP. El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona activa.

En ausencia de tensiones de polarización, los electrones libres existentes en cada una de las capas
del transistor (NPN o PNP) producen dos zonas de difusión originadas por recombinación de los
electrones y huecos, con una barrera de potencial próxima a 0.7 v, que es insalvable para los portadores
si no se les comunica, externamente energía suficiente.
Para que un transistor funcione en zona activa, las polarizaciones de sus uniones deben ser directa la
de base-emisor e inversa la de base-colector, tal como indica la siguiente figura:

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Transistor bipolar en corte

Debido a que el montaje más utilizado es el de emisor común, estudiaremos las características del
transistor bipolar en corte usando esa configuración:

El hecho de que la corriente de base sea aproximadamente nula es equivalente a

mantener el circuito de base abierto. Lo que supone que el potencial existente entre la base y el
emisor en el transistor es negativo o nulo. La intensidad de colector cuando la de base sea cero
es igual a la de fugas. Debido a que esta intensidad alcanza valores muy pequeños, cuando se
realizan estos cálculos se supone que la corriente de colector es nula, por lo tanto la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor se aproxima a la de alimentación.

Transistor bipolar en saturación

En este caso utilizaremos también la configuración de emisor común. Las tensiones y las corrientes
en un transistor en saturación son las siguientes:
Para que un transistor de silicio este saturado, la diferencia de potencial (VBE) entre la base y el emisor
ha de ser de unos 0.8 v. La diferencia de potencial entre el colector y el emisor no es cero pero
alcanza valores muy pequeños. Esto se debe a que el diodo colector-base esta polarizado
directamente y se comporta como una pequeña resistencia interna que produce una caída de tensión.
Prácticamente toda la tensión de alimentación cae en la resistencia de colector.
La IC es máxima.
Un aumento de la IB no provoca un aumento de la IC, la corriente que circula por la IC ha de ser limitada
por el circuito exterior. La razón de transferencia (ganancia) de corriente directa en corriente continua
establece la relación entre las corrientes de colector y de base. Se le conoce además como beta (β) de
corriente continua y se representa por hFE. Conocemos IC, dado por Vcc/Rc y el fabricante
proporciona (β=hFE), por lo que obtenemos como dato fundamental la IB de entrada (Ic/β) que será
necesaria para saturar el transistor.

3. PREINFORME. (MANUSCRITO)
REQUISITO PARA LABORATORIO CON TODOS SUS DATOS PERSONALES.

3.1. Imprima la hoja de datos (datasheet) del transistor q utilizara en laboratorio NPN y otro transistor PNP
que se encuentre disponible en el mercado. (ejem. NPN BC548, 2N2222, 2N3904 y PNP BC558,
BC559)

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3.2. IDENTIFICANDO TRANSISTORES

Investigue una técnica eficaz para determinar en base a un multímetro (analógico y digital)
los terminales de los transistores BJT y proceda a verificarlos expresando cual es base,
colector y emisor tomando en cuenta que la configuración interna de los transistores es como
se muestra en la figura adjunta.

3.3. Investigue las características del transistor (zonas de trabajo y recta de carga).

3.4. Resuelva el siguiente ejercicio determine el punto de trabajo está el transistor. (evalué los
resultados)

200 Ω
150 k Ω

15 V
𝛽 =300

100 Ω

3.5. Resuelva el siguiente ejercicio determine el punto de trabajo está el transistor. (evalué los
resultados)

10K Ω
50 k Ω

15 V
𝛽 =300

220 Ω

3.5
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4. MATERIALES QUE SE VA A UTILIZAR

- Fuente de alimentación: fuente de cd de alta corriente, voltaje bajo, variable y regulada.

- Equipo: multímetro digital,
- Transistor BC548 NPN, 2N2222 NPN o similar.
- Lote de resistencias de todo valor: 330[]; 470[]; 1[K]; 2.2 [K]; 4.7 [K]; 10
[K] todos de ½ [W];
- Potenciómetro de 1 [K], 10, [K], 100 [K].

5. LABORATORIO.

Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los

materiales para el desarrollo del mismo.

5.1. Según el punto nro. 3.2. del pre informe realizar la identificación de los transistores NPN y PNP
y compararlos con el datasheet.

5.2. CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Implemente los circuitos de las figuras 1, llene las tablas 1, y con los valores de dichas
tablas en una hoja milimetrada si es posible y a una escala adecuada represente las
características de salida de dos transistores bipolares.
15V
+V

330
100k 10%
DC A
100k Q1 NO DATA
100k 10% NPN
NO DATA
DC V

DC A
NO DATA

Figura 1
Transistor……..
# VCE V IC mA IC mA IC mA IC mA
IB=10 𝜇𝐴 IB=20 𝜇𝐴 IB=30 𝜇𝐴 IB=40 𝜇𝐴
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TABLA 1
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5.3. Arme el circuito del punto 3.4 del pre informe y verifique los cálculos realizados, el punto
de trabajo Q(Vce,Ic) y verifique en que zona de trabajo esta. Nota: Mida el hfe, Beta del
transistor con el multitester.

200 Ω
150 k Ω

15 V
𝛽=????

100 Ω

6. INFORME

1) Anota los objetivos del presente laboratorio

2) Exponer un resumen de los fundamentos teóricos en los cuales se basaron para
desarrollar el pre-informe para el desarrollo del presente laboratorio.
3) Establecer conclusiones (si se cumplieron los objetivos).
4) Escriban cada integrante del grupo una opinión acerca del laboratorio.

7. BIBLIOGRAFÍA:

• Boylestad Robert, Louis Nashelsky, “Electrónica, teoría de circuitos”, décima edición, Ed. Prentice Hall,
• Millman J., A. Grabel, “Microelectrónica”, Second Edition, Ed. Mc Graw Hill Book Co.,