UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA Evaluación

INGENIERÍA MECATRONICA
CAMPUS TIQUIPAYA

SISTEMAS DIGITALES 1

INVESTIGACION

TRANSISTOR BJT CORTE Y

SATURACIÓN EN EMISOR COMÚN

GRUPO “B”
Estudiante: Enriquez Rodriguez Noe
Carrera: Ing. Mecatrónica
Docente: Ing. Raúl Balderrama

Cochabamba 20 de mayo del 2020

Gestión I-2020
 Transistor BJT corte y saturación en emisor común

Un transistor BJT en un dispositivo electrónico capas de entregar una señal eléctrica de salida
proporcional a una señal de entrada.  Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres
capas de semiconductor. Las capas de semiconductor se dopan de acuerdo con la estructura del mismo.
El transistor de unión bipolar o transistor BJT, puede configurarse como NPN o PNP de acuerdo al orden
de sus capas.
Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El termino bipolar hace
referencia a que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
opuestamente polarizado. Se puede modelar como la unión de 2 diodos.
Puede encontrar transistor en nuestra tienda virtual de HETPRO.
La configuración que veremos en este tutorial para el transistor BJT es la del emisor común. Se pretende
evaluar su comportamiento en corte y saturación. Este modo de comportamiento es también conocido
como interruptor o transistor como interruptor.

TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR

Primero que nada, tenemos que considerar que el transistor que seleccionemos tiene una beta o HFE
determinada. Este valor de ganancia de corriente lo podemos encontrar en la hoja de datos. Por ejemplo,
para un transistor con las siguientes características queremos controlar una barra de LEDS de 12V. La
salida para activar nuestra barra es un Arduino o microcontrolador.
VCC=12V – La fuente de alimentación del LED.
VBB=5V – La fuente de alimentación de control (Arduino).
hfe=200 – Ganancia de corriente del transistor.
El transistor se encuentra en la región de corte cuando IC=0. Para dejar en cero la corriente de colector, se
requiere tener en cero la corriente de base IB. Esta sera cero cuando VBB=0. El transistor se encuentra en
saturación cuando el voltaje colector emisor sea de cero VCE=0. Cuando VCE=0, podemos determinar el
valor de la corriente de saturación de colector ICsat=VCC/RC.
Si ICsat=250 mA
Para RC=VCC/ICsat=12V/250mA=48 Ohms.
Entonces ICsat=hfe*IB
Por lo tanto:
IB=ICsat/hfe=250mA/200=1.25mA (Para asegurar el estado de saturación, evitando efectos intrínsecos del
transistor podemos multiplicar la ganancia por 5).
IB=5*ICsat/hfe=5*250mA/200=5*1.25mA= 6.25mA.
Considerando la malla de la entrada, podemos determinar el valor adecuado para RB.

 VBB=IB*RB+VBE
 RB=(VBB-VBE)/IB
Sustituyendo:

 RB=(5V-0.7V)/6.25mA= 688 Ohms.

 Por lo tanto la configuración nos queda:
 RB=688 Ohms
 RC=48 Ohms.
 
Como detalle siempre se recomienda medir físicamente el voltaje base emisor, VBE para que el análisis
analítico sea el correcto.

REGIÓN DE CORTE Y SATURACIÓN

Para determinar la corriente de saturación, consideramos el voltaje colector emisor de la malla de salida
igual a cero. Por lo tanto:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=IC*RC+0
IC=VCC/RC
Para determinar el corte, consideramos que la corriente de base es igual a cero, por lo tanto, la corriente
de colector es igual a cero:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=0*RC+VCE
VCE=VCC
Con estos dos puntos determinamos la recta de carga del transistor. La región central se llama, región
activa. Las regiones del extremo son regiones de saturación y de corte.

Fuente: https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor
 
Por último, considerando una carga de RC=6 Ohms y un voltaje de colector VCC = 2V y requiero 400mA
para activar esta carga.  La señal de entrada es de 3V. Por lo tanto, tenemos que calcular la corriente de
base para un transistor con una hfe de 160.
IB=IC/hfe=400mA/160=2.5mA. Para asegurar la región de saturación se recomienda multiplicar la IB por 5.
Por lo que nos quedaría en:
IB=12.5mA
Por lo tanto la resistencia de base
VCC = RB*IB+VBE
RB = (VCC-VBE)/IB = (3V-0.7V)/12.5mA = 184 Ohms. Debido a que no existe una de 184 podemos bajar
un poco a un valor comercial, por ejemplo 180 Ohms.
 
Si tienes alguna duda o comentario, déjalo en los comentarios.  Y te recordamos que siempre puedes
encontrar productos electrónicos en nuestra tienda virtual. En este caso una gama de transistores.