Transistor FET

Desde 1953 se propuso su fabricación (5 años después de los BJT), aunque su fabricación
fue posible hasta mediados de los años 60's.

Características:

• Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

• Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

Tipos de transistores de efecto campo

• JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

• MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
• MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la juntura del
JFET con una barrera Schottky.
• HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con “huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.
• MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
• IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia.
Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los
200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
• FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra
rápida del transistor.
• DNAFAD es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una
puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales

1
 Transistor JFET

Ya en 1925, se había visualizado el JFET y para mediados de los años 30 se patentó la

teoría de funcionamiento del dispositivo. Sin embargo, la tecnología del momento no
permitió producir los cristeles dopados con la precisión requerida y por ello hasta mediados
de los años 60 que se contó con el primer JFET práctico.

2
VCR:
vGS
Resistencia controlada por Voltaje iDS = IP0 1 +
Saturación Con VP0 > 0
vP0
VP02 VDS > VP = VP0 + VGS 2
rDS ≈
2IP0(VGS + VP0) vGS
iDS = IP0 1 - Con VP0 < 0
vP0
Motorola: BFR31
IP0 = 5 mA

IP0 = IDSS

iDS = 2.55 mA

D:Drain

G:gate
S:Source
VP0 = 3.5 V (pinch-off)

Voltaje de estrangulamiento: VP = VP0 + VGS

2
 30 V

RD = 8.67 K Ω

BFR31

2.7 MΩ
RS =1K Ω

iDS =
vGS =
vDS =

30 V

VGG =
R1 RD
RS =

RD =
VGG BFR31

R1 =
R2 R2 =
RS

3
Transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)

Aplicaciones
Inventado en 1960, Laboratorios Bell, la forma más habitual de emplear transistores
MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y
nMOS complementarios
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
• Resistencia controlada por tensión.
• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Características:
• Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• Funcionamiento por tensión.
• Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.

1 Saturación
rDS ≈
2kn(vGS - VTN) iDS = kn (vGS – VTN)2

VCR:
VDS > vGS - VTN
Resistencia
controlada por
Voltaje

Vth = VTN

G
S D

µn: Movilidad de los portadores en el canal n+ n+

kn = µnCox W Cox: Capacitancia del óxido metálico
W: Ancho del canal
2 L
L: Longitud del canal
p
Sustrato

4
 2
vGS
iDS = IP0 1 +
iDS vP0

JFET
IP0

-VP0 vGS

iDS = kn (vGS – VTN)2

iDS iDS
MOSFET MOSFET
(Enriquecimiento (Empobrecimiento
- depletion) IP0
- enhancement)

VTN vGS VTN vGS

5
Inversor Lógico CMOS Vi Vo

A pMOS nMOS Q
pMOS
VSS on off VDD
VDD off on VSS

nMOS
A Q
VSS = 0 lógico
0 1
VDD = 1 lógico
1 0

iDS = kn (vGS – VTN)2

iDS
pMOSFET nMOSFET

(Enriquecimiento (Enriquecimiento
- enhancement) - enhancement)

VSS VTN VTN VDD vGS

Encuentre el valor de RD para garantizar un VDS de 5V

+ 10
iDS = kn (vGS – VTN)2
RG RD kn = 1.25 A/V2
VTN = 3 V

MRF150 iDS =
RD =

6
 30 V

VGG =
RD = 1.2 Ω RS =
R1
R1 =
R2 =
VGG MRF150

R2
RS