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Circuitos Electrónicos I
Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Tiene una gran resistencia de entrada, típicamente de muchos
Megaohms.
4. Es menos ruidoso que el transistor bipolar.
5. No muestra voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Un terminal de la región n se llama Fuente (Source) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminal de
las regiones p se llama Compuerta o puerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos óhmicos
Canal-n
p n p
Compuerta (G)
Región de
agotamiento
Fuente (S)
VGS = 0 y VDS > 0
D +
Región de
ID
agotamiento
VDS
G
VDD
p n p
S IS
Potencial dentro de FET
Nivel de saturación
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off) o
estrangulamiento.
Para VDS>VP el FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
VGS < 0
2
V
IDIDSS
1
GS
P
V
IDIDSS
|VGS0V
Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = 1 V
2 2
1 1
II
1
8
mA
14
.
5mA
DDSS
4 4
La relación inversa de la ecuación de Shockley se obtiene con
facilidad:
I
V V
1 D
GS P I
Dss
4.
5
V
GS
4
1
1
V
8
Método manual rápido
Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Más los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
1.-Ejemplo
Trazar la curva para un FET de canal-n definida por IDSS = 4 mA y
VP = - V
2.-Ejemplo
Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = 6V
Hojas de especificación
Valores máximos
Área de operación
Trazador de curvas
Comparación con el BJT
FET BJT
No existe conexión
eléctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.
Operación básica
Aplicando 0V entre
compuerta y fuente, se
obtiene una corriente IDSS
entre drenaje y fuente.
Características de transferencia
Reducción de portadores libre sen el canal debido al potencial
negativo en la terminal de la compuerta.