UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

"ANTONIO JOSÉ DE SUCRE"

VICERRECTORADO BARQUISIMETO
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA I (EL1154)

EJERCICIOS RESUELTOS
Polarización de Transistores FET

PROF. GABRIEL NORIEGA

EJERCICIO 1 12V
Encuentre el punto de polarización para el JFET canal n
autopolarizado de la figura:
1,5K

Solución
La tensión en la compuerta para crear el canal n es IG +
provista por la tensión en la resistencia de surtidor RS. VDS Vp = -6 V
Determinamos la tensión VGS con la malla en la +
VGS - IDSS = 12 mA
- IS
compuerta:
Luego trazamos la malla en la compuerta: 680
 VGS  RS I D  0V
VGS  680  I D
Usamos la ecuación de Shockley
2
 V   V 
2

I D  I DSS 1  GS   12mA1  GS 
 V    6V 
 p 

De este sistema de ecuaciones, encontramos la solución para la corriente ID y la tensión VGS

 VGS  680  I D
 2
  VGS 
 I D  12mA1   6V 

VGS  2,58V

 I D  3,8mA
Finalmente trazamos la malla entre drenador y surtidor para conseguir la tensión VDS
VDD  RD I D  VDS  RS I D  0V
VDS  12V  1,5 K  I D  680  I D
VDS  3,72V
EJERCICIO 2
Para el circuito con FET canal p indicado en la figura, determine el Punto de Polarización.
VDD = 8V 3.3 kΩ 3.9 kΩ
ID + VDS - VSS = -8V

-
IDSS = -12mA + VGS
VP = 6V
IG

Solución
Podemos notar que la tensión VSS = -8V no permitirán la creación del canal p para activar al
FET. Por lo tanto:
I G  0mA
I D  0mA
Trazamos la malla en la compuerta para determinar la tensión VGS
 VGS  RS I D  VSS
VGS  8V
Con lo que verificamos el estado en la zona de corte del transistor. Vara determinar la tensión
VDS, trazamos la malla entre drenador y surtidor:
VDD  RD I D  VDS  RS I D  VSS
VDS  8V   8V  
VDS  16V
EJERCICIO 3
Encuentre el punto de polarización para el JFET canal p de la -6V

figura:
R1 RD = 1 kΩ
2.2 MΩ
Solución iD
Como el transistor está polarizado por un divisor de tensión
iG +
en la compuerta, buscamos el equivalente de Thevenin: vDS Vp = 4 V
RG  R1 || R2  2,2M || 220K  200K +
vGS
-
iS
IDSS = -6 mA

-
 R2 
VGG  VDD  VSS    VSS R2
 R1  R2  220 kΩ RS = 1 kΩ

 220K 
VGG   6V  6V    6V  4,9V
 2,2M  220K  6V
Luego trazamos la malla en la compuerta:
VGG  RG I G  VGS  RS I D  VSS
4,9V  200 K  0mA  VGS  1K  I D  6V
VGS  1,09V  1K  I D
Usamos la ecuación de Shockley
2
 VGS   V 
2

I D  I DSS 1    6mA1  GS

 V   4 V 
 p 
De este sistema de ecuaciones, encontramos la solución para la corriente ID y la tensión VGS
VGS  1,09V  1K  I D
 2
  VGS 
 I D  6mA1  4V 

 VGS  1,415V

 I D  2,505mA
Finalmente trazamos la malla entre drenador y surtidor para conseguir la tensión VDS
VDD  RD I D  VDS  RS I D  VSS
VDS  6V  1K  I D  1K  I D  6V 
VDS  6,99V
EJERCICIO 4 16V

Para el circuito con transistor JFET canal n de

la figura: RD=2.2 kΩ
IDSS = 6mA
a) Determine el punto de polarización Vp = -8V
iD
b) ¿Qué valor debe tener RD para que +
vi vDS
VDS se encuentre en la mitad de la + -
vo
C vGS
recta de carga AC? -
C
RG=1 MΩ
RL = 2 kΩ
Solución (a) RS=2.2 kΩ
Para determinar el punto de trabajo o
polarización, trazamos una malla en la
compuerta: -4V

0  RG I G  VGS  RS I D  VSS
 1M  0mA  VGS  2,2 K  I D  4V
VGS  4V  2,2 K  I D
Usando la ecuación de Shockley
2
 VGS   VGS 
2

I D  I DSS 1    6mA1  
 V    8V 
 p 

Encontramos la solución para la corriente ID y la tensión VGS en el sistema de ecuaciones

VGS  4V  2,2 K  I D
 2
  VGS 
 I D  6mA1   8V 

VGS  2,42V

 I D  2,92mA
En la malla entre drenador y surtidor conseguimos la tensión VDS
VDD  RD I D  VDS  RS I D  VSS
VDS  16V  2,2 K  I D  2,2 K  I D  4V 
VDS  7,15V

Solución (b)
Para asegurar que la tensión VDS se encuentre en la mitad de la recta de carga AC y garantice
Máxima Excursión Simétrica, debemos cumplir con la ecuación:
V V
I D  DD SS
R AC  RDC
Donde
R AC  RD  RS || RL  RD  2,2 K || 2 K  RD  1,04K
RDC  RD  2,2 K |
Considerando la corriente de drenador ID = 2,92mA, determinamos la resistencia RD
16V   4V 
ID   2,92mA
RD  1,04 K  RD  2,2 K
RD  1,8 K