Jhon Jairo Ramírez Echeverry

jjramireze@unal.edu.co

Polarización del MOSFET

Incremental
Grupo 03.
2021-3.
L. y Mc. 9 - 11 am.
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
Definición de polarización
• Polarizar el transistor es fijar el punto de trabajo Q (VGSQ, IDQ) a través
de las tensiones de D.C. para determinar la zona en que funcionará el
dispositivo.
• Para hallar el punto de trabajo se especifican las ecuaciones de voltaje
de Kirchhoff de la malla de entrada y de la malla de salida.
• Se verifica si el transistor está en zona de triodo o de saturación.
• Si está en zona de saturación, se omite la solución que no tiene
sentido (ecuación cuadrática).
• La representación gráfica es muy útil para el análisis de estos circuitos.
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
Polarización por retroalimentación
VDD = I D RD + I G RG + VGS Malla de El transistor se encuentra en saturación:
VGS = VDD - I D RD entrada 1 W +
I! = µ" C#$ V%& − V%&(())
2 L +
VDD = I D RD + VDS Malla de I! = k V!! − I! R ! − V%&(())
VDS = VDD - I D RD salida , - /!"#
Con k = µ" C#$ ok =
VDS > (VGS - VGS (th ) )
,
+ .
VGS = VDS ∴ 0$%"#&'$%()*)

I D = k (VDD - I D RD - VGS (th ) )

2
VGS = VDD - I D RD
Polarización por retroalimentación
Ejercicio: halle el punto de trabajo Q para el siguiente circuito.
Solución:
IDon = 6mA
(
VGSon = 8V IG = 0 A I! = k V"# − V"#(%&)
VGS(th)= 3V
I!)*
k= ( k = 0.24mA / V 2
V"#)* − 𝑉+,(-.)

VGS = VDD - I D RD VGS = 12V - I D 2kW

I D = 0.24mA / V 2 (12V - I D 2kW - 3V )

2

I DQ = 2.75mA
Polarización por retroalimentación
Ejercicio: Halle R para que ID = 80 µA. Halle el valor de VD. Suponga
VGS(th) = 0,6 V, 𝜇n𝐶𝑜𝑥=200𝜇𝐴/𝑉2, L = 0,8 µm y W = 4 µm.
Solución:
VGS = VDS ∴ VDS > (VGS - VGS (th ) )
El transistor se encuentra en saturación.
R = 25 kΩ y VD = 1 V

Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
Polarización por división de tensión
IG = 0 A ID = IS
R2
VG = VDD
R1 + R2 Malla de
entrada
VGS = VG - I D RS

VDD = I D ( RD + RS ) + VDS Malla de

VDS = VDD - I D ( RD + RS ) salida

I D = k (VGS - VGS (th ) )

2
Con:
I D = k (VG - I D RS - VGS (th ) )
I DON
2 k=
(VGS ON - VGS (th ) )
2
Polarización por división de tensión
Ejercicio: Para el circuito halle el punto de trabajo Q
IDON = 3mA
VGSON = 10V
VGSTh= 5V
Solución:
I D = k (VGS - VGS (th ) )
2 I!"#
k= (
V$%"#&'!"($%)
M k = 0.12mA / V 2
I D = 0.12mA / V 2 (18V - I D 820W - 5V )
2
 Polarización por división de tensión
Ejercicio: Determine los voltajes en todos los nodos y las corrientes a través de las ramas
del circuito. Suponga VGS(th) = 1 V y k’ (W/L) = 1 mA/𝑉 ! .

Solución:
IG = 0 A VG = 5V VGS = 5V - I D (6kW)

I D = k ' (VGS - VGS (th ) )

1 W 2

2 L
1 W
I D = k ' (5V - I D 6kW - 1V )
2

2 L
I D = 0,5mA I S = 0,5mA I G = 0
VDS = 4V VGS = 2V VD = 7V
Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
Ejercicio:
Ejercicio: Halle RD para que VD = 0,1 V. Cuál es el valor de la resistencia efectiva entre
el drenaje y la fuente, rDS. Suponga VGS(th) = 1 V y k’ (W/L) = 1 mA/𝑉2 .

VDS = 0,1V
VGS = 5V ∴ VDS < (VGS - VGS (th ) )
VGS ( th ) = 1V

El transistor está operando en la región de triodo.

Solución:
RD = 12,25 kΩ y rDS = 250 Ω

Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
Ejercicio:
Ejercicio: Halle RD y RS para que ID = 0,4 mA, VD = 0,5 V. Suponga VGS(th) = 0,7 V,
𝜇. 𝐶/0 = 100𝜇𝐴/𝑉 1, L = 1 µm y W = 32 µm.

VDS = VDG + VGS

VG = 0V y VD = 0,5V ∴ VDG = 0,5V
VDS = VGS + 0,5V ∴ VDS = VDG + VGS

El transistor se encuentra en saturación.

Solución:
RS = 3,25 kΩ y RD = 5 kΩ

Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
Ejercicio:
Ejercicio: Suponga que los transistores canal N y canal P del circuito han sido construidos
de manera que k’n(Wn/Ln) = k’p(Wp/Lp) = 1 mA/𝑉 1 y VGS(th)(n) = - VGS(th)(p) =1 V. Halle IDN,
IDP y V0 si: Vi = 0 V , Vi = 2,5 V ó Vi = -2,5 V Solución:
a) Con Vi = 0 V 𝑉"# = 2.5𝑉y 𝑉$" = 0 𝑉
• IDP = IDN =1,125 mA y VO = 0 V
b) Con Vi = 2,5 V, VGS = 0 V en QP ∴ está en corte.
En QN 𝑣"$ = 2,5𝑉 − (𝑉% ) y 𝑉% es negativo ∴ 𝑣"$ > 1𝑉.
Es decir, QN está en zona de triodo.
• IDN =0,244 mA y VO = -2,44 V
c) Con Vi = -2,5 V, QN en corte y QP en zona de triodo:
• IDP =0,244 mA y VO = 2,44 V
Tomada de: Sedra, A. and Smith, K.; Microelectronics Circuits. New York: Ed. Oxford University Press; 2004. (5ª. Ed.).
Contenido
1. Definición.
2. Polarización por retroalimentación.
3. Polarización por divisor de tensión.
4. Ejercicios.
5. Espejo de corriente.
 Espejo de corriente
Ejercicio: Halle Rref para que IDQ2 ≈1mA, si VDD = 10V. Use VGS(th) y k igual a los valores
que halló en el laboratorio para los transistores MOSFET con los que cuenta. Halle
VGSQ1, VGSQ2 y el rango de valores de RL para los que la fuente de corriente funciona
adecuadamente.
VGSQ1 = VDSQ1 = VGSQ 2 ∴ I REF » I RL
V -V
DD GSQ1
R =
ref I
REF
VDD = I RL * RL + VDSQ 2
VDS ³ VGSQ 2 - VGS (th )
VDD - I RL * RL ³ VGSQ 2 - VGS (th )
VDD + VGS (th ) - VGSQ 2
RL £
I RL
Tomada de: Práctica de Laboratorio “El Transistor MOSFET: Amplificadores y fuentes de corriente”. Electrónica Analógica I. Universidad Nacional de Colombia – Sede Bogotá.
Jhon Jairo Ramírez Echeverry
jjramireze@unal.edu.co

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Electrónica Analógica I.
Grupo 03.
Período 2021-3.