UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA-
ELECTRICA Y MECATRONICA

CIRCUITOS
ELECTRONICOS
PRÁCTICA
Práctica Nº03:

TRANSISTOR BJT

Alumno:

HINOJOSA CONGONA, FERNANDO

CONZA CORIMANYA, JEANCARLO

Grupo N.º 07

Docente: ING. DIEGO ALONZO MEDINA CALLE

Arequipa, 9 de mayo 2019

 UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y
FORMALES

PRACTICA 03: TRANSISTOR BJT

. OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
 Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT.
 Analizar las características de un transistor BJT.
 Calcular la curva de los transistores BJT.
. MARCO TEORICO
 TRANSISTOR BIPOLAR
. El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos de transistores: el NPN y el
PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se
ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la

flecha en el gráfico de transistor.

. El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregara
por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en un
factor que se llama amplificación. Este factor se
llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es
igual a β (factor de amplificacion) por I b (corriente
que pasa por la patilla base).
 Ic = β * I b
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del
mismo valor que Ic, solo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el
otro caso sale de el, o viceversa.
. Según
la formila

anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (V cc), pero
en la realidad si lo hace y la corriente I b cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.

. En el segundo grafico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a mas corriente la curva es mas alta.
 . Regiones Operativas del Transistor
 Region de Corte: Un transistor esta en corte cuando:
. Corriente de colector = Corriente de emisor = 0, (I c = Ie = 0).
. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacion del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caida
de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib = 0).
 Region de Saturacion: Un transistor esta saturado cuando:
. Corriente de colector = Corriente de emisor = Corriente maxima, (I c = Ie = Imax).
. En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacion
del circuito y de las reisstencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ley de Ohm.
. En este caso normalmente se presenta cuando la corriente base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces
mas grande. (recordar que Ic = β * Ib)
 Region Activa:
. Cuando un transistor no esta ni en su region de saturacion ni en la region de
corte entonces esta en una region intermedia, la region activa. En este region
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante)
y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor. Esta region
es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador.
. EQUIPOS Y MATERIALES
- Protoboard
 - Resistencias (330kΩ, 1kΩ, 4.7kΩ, 100Ω)
- Potenciometro (1MΩ, 5kΩ, 5MΩ, 10kΩ)
- Transistor (BC548 – equivalente, 2N3904 – equivalente)
- Miliamperimetro DC
- Voltimetro DC
- Fuente DC
. PROCEDIMIENTO
 PARTE 1:
. Identificación del transistor.
. Identifique los terminales del transistor BJT.

Colector

Base

Emisor

. Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM.

. Conectar los terminales del DMM con el transistor dde acuerdo a la tabla 1.
Regristar la lectura del DMM.

. TABLA 1: LECTURA DEL DMM DEL TRANSISTOR BC548

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM (V)
1 2 0.64
2 1 0.65
1 3 0.00
3 1 0.00
2 3 0.66
3 2 0.67

. TABLA
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM (V)
1 2 0.42
2 1 0.39
1 3 0.00
3 1 0.00
2 3 0.39
 3 2 0.51

. Identificar las caracteristicas del

Transistor en la siguiente tabla.

. TABLA 2:

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BC548

Terminal Base 2
Terminal Colector 3
Terminal Emisor 1
Tipo de Transistor BC548
Material de Transistor Silicio

. TABLA 2: CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BC548

Terminal Base 2
Terminal Colector 3
Terminal Emisor 1
Tipo de Transistor 2N3904
Material de Transistor Silicio

 PARTE 2:
 1. Mediante el multimetro, obtenga las siguientes caracteristicas del transistor:
deduccion del tipo (NPN o PNP en los BJT), configuracion de cada patilla y β
(hFE).
2. Para ello, encontrar cual es la situacion de los diodos y su polaridad. Una vez
conocida la correpondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el
multimetro para medir β en el caso de un BJT. De esta forma se puede
deducir si se tratan de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizandola hoja de datos analizar las siguientes caracteristicas del transistor:
tipo de transistor, configuracion de cada patilla, potencia maxima, V CE
maxima, IC maxima, β (hFE) y frecuencia de corte.
4. En el circuito, se requiere ajustar R b2 de tal manera que IB alcance los 25 µA.
A continuacion se varia RC2 de forma que VCE sea 0 V, 0.5 V, 1 V y 1.5 V
midiendo en los distintos casos la corriente I C.
5. Grafique VCE vs IC.
6. Obtener las lecturas de VCE, IB e IC empleando el multimetro, repitiendo el
proceso para IB igual a 50 µA, 75 µA y 125 µA. Grafique V CE vs IC para cada
caso.

. TABLA 3: MEDICION DE LA INTENSIDAD C

VCE = 0.01 V VCE = 0.5 V VCE = 1 V VCE = 1.5 V

IB = 25 µA IC (mA) = 1.45 7.33 7.37 7.41

IB = 50 µA IC (mA) = 1.45 12.10 13.20 14.73
IB = 75 µA IC (mA) = 1.45 20.19 21.13 21.32
IB = 125 µA IC (mA) = 1.44 31.80 32.98 33.15
 . Grafico 1: IC en funcion de VCE, f(IC) = VCE

 PARTE 3:
. Caracteristicas del colector
1. Construya el circuito de la figura 2.

1kΩ

2. Fijar el voltaje VRB a 3.3 V variando el potenciometro de 1M. Esto fijara I B =

VRB/RB a 10 µA como se indica en la Tabla 4.
3. Luego fijar VCE a 2 V variando el potenciometo de 5k como se indica en la
primera linea de la Tabla 4.
4. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 4.
5. Variar el potenciometro de 5k para incrementar V CE de 2 V hasta los valores
que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10 µA en los
diferentes niveles de VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para
VBE.
 7. Repita los pasos de 2 hasta 6 para todos los valores indicados en la Tabla 3.
Cada valor de VRB establecerá un nivel diferente de I B para la secuencia de
valores VCE.
8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC/VC y el
valor de IE = IC+ IB. Use los valores medidos de RC.
9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en
la figura 3. La curva es I C vs VCE para los diferentes valores de I B. Seleccionar
una escala adecuada para IC e indique cada valor de IB.
. Tabla 4: Calculo de IE, α y β a partir de los datos
VRB (V) IB (µA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido (calculado) (medido) (medido (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
) )
3.3 10 2 2.28 2.28 0.666 2.29 0.9956 228.00
3.3 10 4 2.33 2.33 0.663 2.34 0.9957 233.00
3.3 10 6 2.39 2.39 0.661 2.40 0.9958 239.00
3.3 10 8 2.45 2.45 0.659 2.46 0.9959 245.00
3.3 10 10 2.49 2.49 0.658 2.50 0.9960 249.00
3.3 10 12 2.53 2.53 0.656 2.54 0.9961 253.00
3.3 10 14 2.59 2.59 0.653 2.60 0.9961 259.00
3.3 10 16 2.63 2.63 0.651 2.64 0.9962 263.00

6.6 20 2 4.78 4.78 0.679 4.79 0.9979 239.00

6.6 20 4 4.90 4.90 0.678 4.91 0.9980 245.00
6.6 20 6 5.04 5.04 0.674 5.05 0.9980 252.00
6.6 20 8 5.16 5.16 0.671 5.17 0.9981 258.00
6.6 20 10 5.31 5.31 0.668 5.32 0.9981 265.50
6.6 20 12 5.43 5.43 0.664 5.44 0.9982 271.50
6.6 20 14 5.56 5.56 0.661 5.57 0.9982 228.00

9.9 30 2 7.07 7.07 0.688 7.08 0.9986 235.67

9.9 30 4 7.30 7.30 0.684 7.31 0.9986 243.33
9.9 30 6 7.47 7.47 0.682 7.48 0.9987 249.00
9.9 30 8 7.78 7.78 0.676 7.79 0.9987 259.33
9.9 30 10 8.00 8.00 0.671 8.01 0.9987 266.67

13.2 40 2 9.47 9.47 0.696 9.48 0.9989 236.75

13.2 40 4 9.73 9.73 0.691 9.74 0.9990 243.25
13.2 40 6 10.07 10.07 0.688 10.08 0.9990 251.75
13.2 40 8 10.43 10.43 0.682 10.44 0.9990 260.75

16.5 50 2 11.68 11.68 0.701 11.69 0.9991 233.60

16.5 50 4 11.85 11.85 0.696 11.86 0.9991 237.00
16.5 50 6 12.09 12.09 0.691 12.10 0.9992 241.80
16.5 50 8 12.33 12.33 0.688 12.34 0.9992 246.60
. Variacion de α y β
 . Para cada linea de la Tabla 4, calcule los niveles correspondientes de α y β
usando las siguientes ecuaciones:

α = IC / I E β = IC / IB

. Grafico 2: IC en funcion de VCE, f(IC) = VCE

- Curva caracteristica del transistor

. CUESTIONARIO FINAL
1. La grafica VCE vs IC, ¿Qué características tiene?, ¿Las interacciones con el
eje “x” y “y” que representan?

. Las dos graficas que son VCE vs IC, muestran un comportamiento lineal en la
corriente IC (corriente colector), paralelo a esto se muestra un crecimiento
considerable en VCE (voltaje colector-emisor). Además, las interacciones de los
ejes “X” y “Y” en las gráficas muestra la relación de voltaje entre V CE e IC.
2. ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 µA?

. La diferencia principal es que, la intensidad I B (intensidad de base), cuando

aumenta de 25 µA a 125 µA, la intensidad I C (intensidad de colector) se vuelve
mayor con respecto a VCE (voltaje colector-emisor). A parte se observa que la
intensidad IC aumenta muy rápido hasta llegar a un cierto punto de V CE, luego de
esto el incremento es lento.

3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿Se da ese caso en la

práctica?

. Un transistor se encuentra en la región de corte cuando I C = 0. Para dejar en cero

la corriente de colector, se requiere tener en cero la corriente de base I B. Esta será
cero cuando VBB = 0 (voltaje base-base). En general, este caso no se llega a dar
del todo en la práctica, si bien el valor de la corriente de base es muy bajo, no se
le consideraría como cero.

4. ¿Cuándo se dice que un transistor esta en saturación?, ¿Se logra en la

práctica?

. Un transistor se encuentra en saturación cuando el voltaje colector-emisor es

cero (VCE = 0). Cuando VCE = 0, podemos determinar el valor de la corriente de
saturación de colector ICsat = VCC / RC. Este caso no se da en la práctica, ya que V CE
no llega al valor de cero, el mínimo valor que se pudo obtener fue de 0.01 V.

5. Indique la relación entre IC e IB que encontró en la práctica.

. La relación existente entre I C e IB es que mientras cualquiera de los dos aumente

en base a una corriente dada el otro también lo hará, no de la misma forma, pero
aumentara. Mientras IB sea mayor, IC será menor con respecto a VCE y llegando a
ser más lineal, tanto que llegara un punto en que el aumento entre las dos
corrientes será constante.
. CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

 Se observó y analizo el comportamiento de las diferentes corrientes,

sobre todo la IC y muy a parte el comportamiento del voltaje V CE y la
estrecha relación que hay entre ellos dos.
 También se concluye que la Intensidad de Base (IB) y la Intensidad de
Colector (IC) son proporcionales al voltaje VCE, ya que estas dos
intensidades aumentan, en un principio de manera diferente hasta que se
vuelve constante.
 En relación a la graficas mostradas, el comportamiento de ambos
transistores es diferente, tanto en valores como en el mismo gráfico, pero
aun así está estrechamente ligado uno con el otro.
 Se aprendió las diferentes regiones en las que puede estar un transistor,
la región de saturación, corte y activa. Se aprendió a diferenciar cada una
de ellas.
 Se concluyó que la curva característica de un transistor, la corriente de
saturación también es llamada corriente máxima, así como el voltaje
Colector-emisor, es llamado voltaje máximo.
 Se observó que los potenciómetros actuando como resistencias variables,
actúan de forma eficiente en el cálculo de estos circuitos.