PRACTICA N°9

FUENTES DE CORRIENTE

PROTOCOLO

ELECTRÓNICA I

EDICIÓN 2017
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

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 TABLA DE CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN ................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS .......................................................................................................... 3
2.1 OBJETIVO GENERAL. ................................................................................... 3
2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS. ............................................................................ 3
3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA....................................................................... 3
4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS ................................................................................. 3
5. MARCO TEÓRICO ................................................................................................ 4
5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO
…………………………………………………………………………………………4
6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA ............................................................ 11
7. BIBLIOGRAFÍA .................................................................................................... 12
8. ANEXOS.............................................................................................................. 12
A1. PDF’s ............................................................................................................... 12

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1. INTRODUCCIÓN

Existe, en múltiples circuitos electrónicos, la necesidad de tener una máquina

electrónica que entregue corriente constante a pesar de que la carga sea variable,
esta máquina se llama fuente de corriente y existen tres maneras de diseñarla:

 Fuente de corriente con transistor NPN y resistencia de emisor (RE) con voltaje
dado por un diodo ZENER.
 Fuente de corriente con transistor PNP y resistencia de emisor (RE) con voltaje
dado por un diodo ZENER.

 Fuente de corriente por espejo.

2. OBJETIVOS

2.1 OBJETIVO GENERAL.

Lograr que el estudiante ratifique los conceptos de diseño de fuentes de corriente

2.2 OBJETIVO ESPECIFICOS.

 Lograr que el estudiante entienda y ratifique el diseño de fuentes de corriente

con transistor NPN y resistencia de emisor (RE) con voltaje dado por un diodo
ZENER.
 Lograr que el estudiante entienda y ratifique el diseño de fuentes de corriente
con transistor PNP y resistencia de emisor (RE) con voltaje dado por un diodo
ZENER.
 Lograr que el estudiante entienda y ratifique el diseño de fuentes de corriente
por espejo.
 Evaluar el comportamiento de la corriente cuando cambia la resistencia de
carga.
 Explicar los límites de funcionamiento (hasta donde puede cambiar la carga)

3. SEGURIDAD PARA LA PRÁCTICA

Los estudiantes no se exponen a ningún peligro en esta práctica.

4. ASIGNACIÓN DE TIEMPOS

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben llegar al laboratorio con la

práctica diseñada y construida previamente en un protoboard (en el laboratorio de uso
libre con que cuenta la Facultad de Electrónica).
Tiempo asignado para el desarrollo de la práctica: 1 sesión de 1 hora y 30 minutos.

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5. MARCO TEÓRICO

El estudiante debe llegar al laboratorio con un pre-informe escrito a mano alzada que
contenga las explicaciones teóricas de los criterios de diseño vistos en clase y un
diseño con características escogidas por el profesor del laboratorio. Los criterios
teóricos deben ser:
 Circuito de la fuente de corriente con base en transistor NPN. Deducción de
ecuaciones y cálculos de la resistencia de protección del ZENER y del valor de
RE.
 Circuito de la fuente de corriente con base en transistor PNP. Deducción de
ecuaciones y cálculos de la resistencia de protección del ZENER y del valor de
RE.
 Explicación de la fuente de corriente por espejo asociada al comportamiento
similar de voltaje-corriente del diodo base emisor del transistor y el diodo de
polarización de base emisor.
 Diseño sugerido al profesor:3 Fuentes de de corriente de 20mA con Vcc de
12V y zener de 5.1V-1W .Una con transistor NPN, la segunda con transistor
PNP, y la tercera por espejo.

5.1 CONCEPTOS FUNDAMENTALES PARA ELABORAR EL MARCO TEORICO

FUENTE DE CORRIENTE CON BASE EN TRANSISTOR NPN

Una fuente de corriente es una fuente de energía eléctrica que entrega ésta a corriente
constante sin importar que la carga (𝑅𝐿 ) sea variable.
Para hacer este “milagro” basta con tener un diodo ZENER, un transistor, dos
resistencias y por supuesto una carga variable. Con un diodo ZENER y una
resistencia, como se observó en prácticas pasadas, se puede mantener un voltaje
constante (𝑉𝑍 ) (Ver Figura 1), siempre y cuando la corriente que circule por el diodo
ZENER sea constante. Si aplicamos este voltaje 𝑉𝑍 para polarizar en directo la juntura
base-emisor del transistor, aseguramos que la corriente 𝐼𝐸 que pasa por la resistencia
𝑅𝐸 sea constante. Observar que 𝑉𝑍 es constante, 0.7𝑣 es constante y 𝑅𝐸 es constante,
por lo tanto 𝐼𝐸 será constante (Ver Figura 1).

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 Figura 1. Fuente de Corriente con base en transistor NPN.

Mientras la juntura base-emisor esté polarizada en directo y la juntura base-colector

esté polarizada en inverso, 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , por lo tanto:

𝑉𝑧 − 0.7𝑣
𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐸

Que será también constante. Esto significa que 𝑅𝐿 puede variar, y la corriente que
pasa por su cuerpo, siempre será constante (No olvidar que se tiene que cumplir que
la juntura base-emisor del transistor debe estar polarizada en directo y la juntura base-
colector debe estar polarizada en inverso. Si esto no se cumple, la fuente de corriente
deja de funcionar).
Es interesante aquí encontrar entre qué valores máximo y mínimo de 𝑅𝐿 el circuito de
la Figura 1 funciona. Para deducir lo anterior, basta con preguntarse hasta qué valor
de voltaje en 𝑅𝐿 la juntura base-colector queda polarizada en inverso.
Si observamos la Figura 1 se determina que el voltaje que polariza la base es 𝑉𝑧 y el
voltaje que polariza el colector es Vcc - 𝐼𝐶 . 𝑅𝐿 . Para que se cumpla que la juntura base
colector esté polarizada en inverso Vcc – ( 𝐼𝐶 . 𝑅𝐿 ) > 𝑉𝑧 así sea en una centésima de
voltaje ZENER. Por consiguiente se podría aproximar:

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 𝑉𝑐𝑐 − 1.01𝑉𝑧
𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐿 = 1.01𝑉𝑧 ⇒ 𝑅𝐿 𝑚á𝑥 =
𝐼𝐶
Para obtener la 𝑅𝐿 𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑎 es sencillo. Si se observa la Figura 1 se puede determinar
que cuando 𝑅𝐿 sea cero y 𝑅𝐹 sea cero, el voltaje en el colector es 𝑉𝐶𝐶 y la juntura
base-colector quedaría perfectamente polarizada en inverso ya que 𝑉𝐶𝐶 ≫ 𝑉𝑧 ⇒
𝑅𝐿 𝑚í𝑛 = 0.
Ejemplo:
Si se desea diseñar una fuente de corriente de 10mA con base en una fuente de
voltaje de 12V y un diodo ZENER de 5.1V-1W. Cuál sería la 𝑅𝐿 𝑚á𝑥 que podría
alimentar manteniendo la corriente de 10mA constante.
Este diseño se puede abordar de la siguiente manera:
1. Cálculo de la resistencia de protección del ZENER 𝑅𝑃 𝑧 .
2. Cálculo de 𝑅𝐸 .
3. Cálculo de la 𝑅𝐿 𝑚á𝑥 .

Empecemos,

1. Con base en la Figura 1 se observa que por la resistencia 𝑅𝑃 𝑧 debe pasar por lo
𝐼𝐶
menos la 𝐼𝑧 𝑚í𝑛 y la corriente de base del transistor que es 𝛽
, por consiguiente:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑧
𝑅𝑃 𝑧 =
𝐼
𝐼𝑧 𝑚í𝑛 + 𝐶
𝛽

Para este ejemplo se asume 𝛽 = 100, en la práctica de laboratorio se debe obtener 𝛽

de las características que ofrece el fabricante en los manuales del transistor. De igual
manera para el 𝐼𝑧 𝑚í𝑛 del ZENER. Sin embargo, sin temor a equivocarse el 𝐼𝑧 𝑚í𝑛 se
1𝑊
puede calcular como el 10% del 𝐼𝑧 𝑚á𝑥 . En este caso el 𝐼𝑧 𝑚á𝑥 = = 196𝑚𝐴, por
5.1𝑉
consiguiente 𝐼𝑧 𝑚í𝑛 = 19.6𝑚𝐴 ≅ 20𝑚𝐴.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑧 12𝑉 − 5.1𝑉

⇒ 𝑅𝑃 𝑧 = = = 343Ω
𝐼𝐶 10
𝐼𝑧 𝑚í𝑛 + 20𝑚𝐴 + 100 𝑚𝐴
𝛽

Que se normaliza hacia abajo, por lo tanto 𝑅𝑃 𝑧 = 330 Ω.

La potencia de esta resistencia es la corriente que pasa por su cuerpo elevada al
cuadrado y multiplicada por su valor óhmico.

2
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑧 (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑧 )2 (12𝑉 − 5.1𝑉)2
𝑃𝑜𝑡𝑅𝑝 ≅( ) 𝑅𝑝 𝑧 = = = 0.14𝑊
𝑧 𝑅𝑝 𝑧 𝑅𝑝 𝑧 330Ω

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0.14𝑊 que se normalizan hacia arriba, o sea queda normalizada esa potencia de la
1
resistencia a 0.25W, es decir que con una resistencia de 4 𝑊 y de un valor de 330Ω,
queda definida 𝑅𝑝 totalmente.
𝑧

2. Definición de 𝑅𝐸

Observando la Figura 1 y la ecuación deducida anteriormente

𝑉𝑧 − 0.7𝑉
𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐸

𝑉𝑧 −0.7𝑉
Se puede deducir que 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶
, para este caso

5.1𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐸 = = 440Ω
10𝑚𝐴

Este valor de resistencia no es producido industrialmente, el valor más cercano es

470Ω, por consiguiente 𝐼𝐶 obtenida será:

𝑉𝑧 − 0.7𝑉 5.1𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐶 ≅ = = 9.36𝑚𝐴
𝑅𝐸 470Ω

Este valor lo podemos ratificar en el laboratorio mediante un amperímetro colocado

entre la resistencia 𝑅𝐿 y el colector del transistor (Ver Figura 2).

Figura 2. Fuente de corriente con amperímetro

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3. Cálculo de la 𝑅𝐿 𝑚á𝑥

De acuerdo a la fórmula deducida anteriormente

𝑉𝑐𝑐 − 1.01𝑉𝑧
𝑅𝐿 𝑚á𝑥 =
𝐼𝐶
Por consiguiente,
12𝑉 − 1.01(5.1𝑉)
𝑅𝐿 𝑚á𝑥 = = 684.9Ω
10𝑚𝐴

En la práctica de laboratorio se puede conseguir esta resistencia sumando una

resistencia variable y una resistencia fija 𝑅𝐹 (Ver Figuras 25 Y 26). Es reconfortante
ratificar que al mover el reóstato (resistencia variable), el amperímetro mantiene la
corriente constante a pesar de los cambios de 𝑅𝐿 . También es clave ratificar que
cuando se supera el valor de 𝑅𝐿 𝑚á𝑥 la fuente de corriente deja de serlo.

FUENTE DE CORRIENTE CON BASE EN TRANSISTOR PNP

Figura 3. Fuente de Corriente con base en transistor PNP

Las formulas y los cálculos son iguales aunque el circuito es el de la Figura 3

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FUENTE DE CORRIENTE POR ESPEJO

La fuente de corriente por espejo representa un ingenioso circuito en el que se

aprovecha la igualdad del comportamiento de corriente contra voltaje en un diodo y en
la juntura base-emisor de un transistor (Ver Figura 4). Este comportamiento,
exactamente igual, sólo se logra en circuitos integrados donde se funden tanto el
transistor como el diodo el mismo día, con las mismas circunstancias físico-químicas.
No es conveniente diseñar fuente de corriente por espejo usando elementos discretos,
ya que va a ser muy difícil encontrar dos elementos fabricados independientemente y
que tengan el mismo comportamiento de su curva corriente-voltaje.
En este punto, la práctica sólo tiene como objetivo que el estudiante sea consciente de
que existe esta forma ingeniosa de hacer fuentes de corriente.

Figura 4. Fuente de corriente por espejo con transistor NPN

Si el diodo base-emisor del transistor tiene la misma curva de comportamiento que el

diodo D1 (Ver Figura 5), la corriente ID que pasa por el diodo D1 es exactamente igual
a la corriente de colector que pasa por el transistor. Supóngase que en la Figura 5 la
curva de color rojo (comportamiento de la juntura diodica base-emisor) es
exactamente igual a la curva de color verde (comportamiento del diodo D1). Se han
colocado las dos curvas separadas para ilustrar que son dos curvas independientes y
porque si se traslapan en el dibujo no se apreciaría que son dos curvas
independientes.

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Lo anterior significa que si deseo una corriente IC de 6mA y la fuente Vcc es de 12V,
por consiguiente:
12𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐷 = = 1883 Ω
6𝑚𝐴
Que se normaliza al más cercano, el cual sería 1800 Ω.
El diodo D1 se puede reemplazar por un transistor de la misma referencia, no
obstante, haciéndole un corto entre base-colector para que el transistor quede anulado
y se comporte como diodo. (Ver lado derecho de la Figura 4).

Figura 5. Comportamiento idéntico del diodo D1 y del diodo base-emisor del transistor.

El nombre de fuente de corriente por espejo o polarización por espejo viene de la

analogía que la corriente que pasa por el diodo es el espejo de la corriente que pasa
por el transistor o viceversa.
Con las mismas reflexiones precedentes, se puede hacer una fuente de corriente por
espejo con un transistor PNP (Ver Figura 6).

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 Figura 6. Fuente de corriente por espejo con transistor PNP.

6. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

El diseño, cuyas características fueron escogidas por el profesor, debe llegar al

laboratorio construido con anticipación a nivel de “protoboard” (los estudiantes cuentan
con un laboratorio libre para llevar a cabo las construcciones y pruebas antes de llegar
al día de presentación de la práctica de laboratorio).

Los estudiantes, divididos en grupos de 3 personas, deben mostrar al profesor que las
características solicitadas por él se cumplen en la práctica gracias al diseño elaborado
por ellos, en ese momento el profesor debe recibir el pre-informe escrito realizado con
anticipación, lo revisa y hace correcciones que deben ser corregidas y agregadas en el
informe de práctica siete días después, en la siguiente fecha de laboratorio.

Esto significa que los estudiantes elaboran un pre-informe con las características
anteriormente mencionadas antes de ingresar a la práctica y adicionalmente, en la
siguiente sesión deben presentar un informe con las conclusiones de la práctica
pasada más las correcciones teóricas del pre-informe que el profesor detectó.
De acuerdo a lo anterior, sólo en la primera práctica, los estudiantes presentan un pre-
informe. A partir de la segunda práctica los estudiantes presentan el informe de la
práctica pasada y el pre-informe de la práctica actual.

Los informes de prácticas son más sencillos, sólo deben contener:

1. Conclusiones: Conceptos que el estudiante ratificó.

2. Correcciones: Conceptos que el profesor corrigió (Si los hubo)

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7. BIBLIOGRAFÍA

 Malvino, A. (2007). Principios de Electrónica. Septima Edición. McGraw-Hill

 Boylestad, R.; Nashelsky, L. (2003). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos. Octava Edición. Pearson Educación.

8. ANEXOS

A1. PDF’s

Los estudiantes deben anexar al pre-informe los pdf’s con las características del
transistores usados. Estos los pueden descargar de internet e imprimirlos. No es
necesario hacerlos a mano alzada.

A2. AYUDA CONCEPTUAL

Una fuente de corriente se diseña con base en una fuente de voltaje regulada. Si se
dispone de un diodo ZENER de un voltaje menor que la fuente de voltaje regulada, un
transistor NPN o PNP y dos resistencias se puede diseñar un circuito de tal manera
que el voltaje del diodo ZENER polarice en directo la juntura base emisor del transistor
e inyecte una corriente de emisor limitada sólo por el valor de la resistencia RE (Ver
figura).
La corriente de emisor IE es igual:
𝑣𝑧 − 𝑣𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
Como 𝑣𝑧 es constante, 𝑣𝐵𝐸 es constante (aproximadamente 0.7 V) Y RE es constante,
por lo tanto IE es constante.
Ahora, recordar que IC es aproximadamente IE, esto implica que la resistencia RC
puede cambiar y la corriente IC permanece constante. En estos circuitos RC
representa la resistencia de carga y se puede afirmar que a pesar de que la resistencia
de carga cambia la corriente que pasa por su cuerpo se mantiene constante.
La variación de RC no es infinita, el estudiante debe averiguar entre qué valor máximo
y mínimo puede variar RC. Una buena pista es recordar que el transistor, para que
trabaje en zona lineal, necesita que su juntura base-colector esté polarizada en inverso
y su juntura base-emisor debe estar polarizada en directo.

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