INTEGRANTES:
JOEL HUAMAN ZARATE – 170449
CRISTIAN RIMACHI MACCARCCO – 161771
CUSCO – PERU
2021
AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR REALIMENTADO
OBJETIVOS
Fuente: PROTEUS
En la Tabla 1, se muestra las mediciones de voltaje pico a pico a la entrada (Vi [mVpp]) y a
la salida (Vo [mVpp]) del circuito, estos valores se obtienen mediante la información que
se brinda en el osciloscopio de PROTEUS.
Tabla 1
Datos en Alterna
𝑽𝒊 [𝒎𝑽𝒑𝒑 ] 3
𝑽𝒐 [𝒎𝑽𝒑𝒑 ] 18.50
𝐴𝑣 6.17
A continuación, se desconecta la señal de entrada y se deja al circuito trabajando solo en
DC, tal como se muestra en la figura 6, de esta manera se obtienen las características en DC.
En la tabla 2, se muestran los valores de tensión y corriente del transistor en DC.
Fuente: PROTEUS
Tabla 2.
Datos en Continua
𝑰𝑩 [𝝁𝑨] 25.57𝜇𝐴
𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 1.33𝑚𝐴
𝑉𝐵𝐸 [𝑉] 0.68𝑉
𝑉𝐶𝐸 [𝑉] 0.12𝑉
A continuación, se presenta el desarrollo de las preguntas correspondientes al informe
final de la experiencia de laboratorio N°5.
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = = 1017Ω = 1.017𝐾Ω
𝐼𝐵𝑄 0.02557𝑚𝐴
𝑣𝑖
𝑖𝑏 =
ℎ𝑖𝑒
𝑣𝑖
𝑖𝑐 = ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 = ℎ𝑓𝑒
ℎ𝑖𝑒
𝑣𝑖
𝑣𝑜 = 𝑖𝑐 (𝑅4||𝑅5) = ℎ𝑓𝑒 (𝑅4||𝑅5)
ℎ𝑖𝑒
𝑣𝑜 ℎ𝑓𝑒 200
𝐴𝑣 = = (𝑅4||𝑅5) = (0.5) = 98.33
𝑣𝑖 ℎ𝑖𝑒 1.017
𝒁𝒊 = ℎ𝑖𝑒
𝒁𝒐 = 𝑅4||𝑅5
OBSERVACIONES
El voltaje 𝑉𝐵𝐸 = 0.68𝑉 siendo menor que 0.7V esto afecta en la ganancia resultante que
se obtiene en la simulación.
El voltaje 𝑉𝐶𝐸 = 0.12𝑉 siendo menor que 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 0.25𝑉 por lo que el transistor está
en zona de saturación.
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFIA
[1] S. Sedra y C. Smith, Circuitos Microelectrónicos. 7ma Edición. Oxford University New
York. 2015.
[3] C. Alexander y M. Sadiku. Fundamentos de Circuitos Eléctricos. 5ta Edición. New York.
2013.