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Tlalnepantla
Subdirección Académica
Departamento de Ingeniería Eléctrica y
Electrónica
CARRERA PLAN DE NOMBRE DE LA CLAVE DE LA
ESTUDIOS ASIGNATURA ASIGNATURA
INGENIERÍA
ELECTROMECÁNCA SATCA ELECTRÓNICA ANALÓGICA AEF1021
´
3 2 Hrs.
ELECTRÓNICA Polarización
I. Objetivo de la Práctica
Comprender y analizar el funcionamiento del Transistor “BJT” en su aplicación como
amplificador de señal y como conmutador.
II. Introducción
El termino polarización comprende todo lo relacionado con la aplicación de voltajes de DC,
para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor BJT, la
corriente en DC y el voltaje resultante establecen el Punto de Operación, sobre las
características que define la región que será empleada para la amplificación de la señal
aplicada.
un transistor se puede utilizar como amplificador de señal (región activa) o como conmutador
(región de corte y saturación). Para amplificar es necesario polarizar la unión emisor-base en
forma directa y la unión emisor-colector en forma inversa y para que opere en conmutación es
necesario polarizar la unión emisor-base en forma inversa y la unión emisor-colector en forma
inversa, en el caso de que no conduzca (región de corte) y polarizar la unión emisor-base en
forma directa y la unión emisor-colector en forma directa y la unión emisor-colector en forma
directa para que conduzca (región de saturación).
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una señal senoidal pequeña de C.A., para que el amplificador alimente diferente cargas
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La conexión en emisor común se llama así porque las corrientes de base y de colector se
combinan en el emisor, siendo el punto común a tierra la terminal del emisor. La
configuración básica de polarización se muestra en la figura No.2.1. (con los resistores 𝑅𝐵y 𝑅𝐶
, las fuentes de tensión 𝑉𝑐𝑐 y 𝑉𝐵𝐵 ), donde, se utiliza un transistor NPN. En esta configuración
se indica los circuitos de entrada y de salida del amplificador.
Primero analizaremos el circuito en C.D., para la entrada y para la salida, esto quiere decir que
la fuente de C.A. (senoidal), 𝑉𝒊𝒊(𝒘𝒘𝑡), se hace igual a cero (se considera en corto circuito) y
los capacitores en circuito abierto.
Donde, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉 para transistores de silicio y 𝑉𝐵𝐸 = 0.3𝑉 para transistores de germanio.
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𝐼𝐶
𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝑂𝑂 (𝑤𝑡)
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 2.4
De la ecuación (2.3), despejamos el voltaje entre colector y emisor, y después se sustituye la ecuación (2.4), lo
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = � 𝑅 � &𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 2.6
𝐶
onsiderar como corto circuito en C.A., y circuito abierto en C.D., por lo cual, los capacitores C1 y C2 son de acoplamiento, pe
e C.D.
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IV. Metodología
1.- Para los circuitos en configuración de emisor común realizar el análisis por mallas y obtener
el punto de operación, recta de carga y zona de operación.
2. Elabore los siguientes circuitos en configuración de emisor común en Proteus y comprobar el
punto de operación.
3. Implementar físicamente los siguientes circuitos en configuración de emisor común en una
proto-board el punto de operación, recta de carga y zona de operación.
4.- Obtenga los valores teóricos siguientes IB, IC, IE, VCE, VB, VC
5.- Compare los valores teóricos, simulados con los valores prácticos y anótelos en la tabla
respectiva.
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6.- Determine en que región de operación está trabajando cada transistor y porque?
7. Dibuje la recta de carga y punto de operación.
EC Estabilizado en emisor
Parámetro Diseño Simulación Práctico
IB
IC
IE
VCE
VB
VE
VC
Zona de
operación
EC Divisor de voltaje
Parámetro Diseño Simulación Práctico
IB
IC
IE
VCE
VB
VE
VC
Zona de
operación
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De acuerdo a lo visto en clase colocar un VCC 12V
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V. Sugerencias Didácticas
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