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Informe Previo Laboratorio N1

Circuitos Sintonizados y Transformadores de


Redes Selectivas
Abraham Alvarado Huamani, Luighi A. Vitn Zorrilla, Piero A. Soto Melndez
Universidad Nacional de Ingeniera
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Laboratorio de Circuitos Electrnicos III


Abstract El presente documento es el estudio previo que se
realizar a los circuitos sintonizados y Transformadores de redes
selectivas, para tener una buena realizacin de la experiencia de
laboratorio. Se har un desarrollo analtico de los circuitos usando
los modelos equivalentes del transistor bipolar, incluyendo el
anlisis de la variacin de algunos parmetros para cumplir las
condiciones de diseo. Por ltimo describiremos los procesos a
seguir para obtener de forma experimental los valores
caractersticos del circuito y las consideraciones para elegir los
transistores a usar.

Keywords Circuito sintonizado, resonador, amplificador en base
comn.

I. INTRODUCCIN

Los amplificadores son indispensables en cualquier sistema de
comunicaciones, al igual que los filtros, los osciladores, los
mezcladores, etc. Como sabemos, las seales de radiofrecuencia
generalmente son de muy baja amplitud, desde algunos uV a
algunos mV, es evidente que la seal tiene que amplificarse hasta
conseguir el nivel de potencia de salida requerido, para, por
ejemplo, excitar un altavoz. Los amplificadores sintonizados
contienen circuitos resonantes en el circuito de entrada, en el
circuito de salida, o en ambos. Se usan para amplificar estas
pequeas seales en banda estrecha (es decir, seales cuyas
componentes pertenecen a una estrecha banda de frecuencias),
mientras que rechazan las seales de las bandas de frecuencia
adyacentes. Por ejemplo, los receptores de radio y televisin
utilizan amplificadores sintonizados para seleccionar una seal
de entre las varias que llegan al receptor a travs de la antena.
Como una continuacin a la introduccin a circuitos
sintonizados vistos en el curso previo de Circuitos Electrnicos
II, en esta experiencia se pretende hacer una experiencia prctica
en el cual se pueda evidenciar la sintonizacin de la frecuencia
de resonancia que estara determinada por el llamado circuito
tanque en el colector del amplificador. Tambin se tiene como
antecedente terico el rendimiento en alta frecuencia de la
configuracin del amplificador en base comn, el cual se desea
verificar a travs de esta experiencia.

II. OBJETIVOS
Como objetivo principal se busca el entendimiento de la
importancia y funcionamiento de los circuitos sintonizados. La
envergadura del uso de estos circuitos es grande, debido a sus
interesantes caractersticas, por lo tanto es prioridad tambin
conocer estas caractersticas.
Adems siempre es importante en una experiencia de
laboratorio la familiarizacin con diversos componentes, que
harn de nuestra formacin profesional ms slida.
III. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
A. Materiales:
- Transformadores de frecuencia intermedia (455
KHz).
- Transistores bipolares 2n2222A.
- Resistencias y capacitancias.
- Fuentes de voltaje DC.
- Generador de onda.
- Potencimetro.

B. Procedimiento:
- 1ra parte:
Variando la sintonizacin del tanque obtendremos la amplitud
del voltaje al momento de resonancia.
Ajustaremos R3 para obtener un voltaje de resonancia de
100mVpp
Variando la frecuencia del generador mediremos la frecuencia
de resonancia mxima y mnima, para cada tipo de bobina.
- 2da parte:
Cambiar la posicin del colector al terminal intermedio de la
bobina y seguir los pasos de la parte 1.
- 3ra parte:
Hallar Lin y Cin, para eso colocar condensadores a cada una
de las bobinas.
- 4ta parte:
Con el generador con 200mVpp y el tanque sintonizado,
ajustar R3 hasta obtener Vo2=100mVpp y anotar el valor DC del
punto A respecto a tierra.
- 5ta parte:
Colocar un potencimetro de 100k entre los terminales a y
c del tanque y ajustar hasta obtener Vo2=50mVpp. Anotar el
valor de Rp.
- 6ta parte:
Con la bobina sintonizada y desconectada del circuito medir
la resistencia que existe entre sus terminales a y c (que es la
resistencia de prdidas).

IV. ANLISIS TERICO
El modelo que usualmente se emplea para representar a un
transistor es el de red bipuerto hbrido. No obstante para nuestro
caso resulta ms prctico emplear el modelo de red bipuerto
admitancia. Luego se pueden obtener algunas equivalencias entre
ambos tal como se muestra a continuacin:

(

=
(

2
1
2
1
V
I
h h
h h
I
V
oe fe
re ie
(1)

Se debe transformar a una red impedancia a travs de los
siguientes clculos:



Fig.1 Modelo de admitancias

fe re ie oe
V
fe re ie oe
V
re ie oe
V
re ie oe fe ie
V
h h h h
V
I
Y
h h h h
V
I
Y
h h h
V
I
Y
h h h h h
V
I
Y
1
0
2
1
12
1
0
2
2
22
1
0
1
2
21
1 1
0
1
1
11
2
) 1 (
1
1
2
2

=

=
+ = =
= =
= =
+ + + = =
(2)
Despus el modelo queda expresado de la siguiente manera,
en el cual los voltajes
eb
V V =
1
y
cb
V V =
2
.

(

=
(

2
1
2
1
V
V
Y Y
Y Y
I
I
o f
r i
(3)

Con esto se puede realizar el anlisis en AC para encontrar el
valor del voltaje de salida en funcin del de entrada.

En este caso el circuito que interviene en la amplificacin
slo es el configurado en base comn para el cual se debe
desarrollar su modelo para pequea seal.
Si consideramos las bobinas con una impedancia de entrada
in
Y y
de salida
out
Y se tendra una impedancia total resultado de la
suma de la primera y la reflexin de la segunda.

a)


b)

c)
Fig.2. a) Esquema general del circuito en Ac. b) Representacin de la bobina.
c) Impedancia de salida equivalente
Luego se obtiene de la relacin del transformador:
2 1
) (
o o
V V V n = (4)
Adems se sabe que la impedancia reflejada en el primario lo
hace en un factor
out out
Y n Y
2
' =
Se asocian las resistencias resultantes y se reemplaza el
transistor por el modelo de impedancia.

) ( ) ( 0
) ( ) ( ) (
1
1 1 1
T o o f A
r o i c A c i
Y Y V Y V
Y V Y Y V Y V
+ + =
+ + =
(5)
Resolviendo el sistema se obtiene:

r
f
T o i c
i
o
Y
Y
Y Y Y Y
V
V
+
+ +
=
) )( (
1 1
(6)
Finalmente de acuerdo a la ecuacin (4) se puede obtener el
voltaje a la salida del transformador.
|
|
.
|

\
|
+
(
(

+
+ +
=
out in
T
r
f
T o i c
i
o
Y Y
Y
Y
Y
Y Y Y Y
V
V ) )( (
1 2
(7)

Adicionalmente el voltaje en la toma central del transformador
estar determinado por el factor de escala del mismo.

V. ANLISIS EN DC

Del anlisis en DC tenemos:

(8)

(9)
Para tener una corriente en el intervalo de 0.1mA y 1.2mA.
Calculamos la resistencia R cuando I=0.1mA

De la ecuacin (9)

(10)
V = -11.906v (11)
De la ecuacin (8)

(12)
R = 112.06 K (13)
Ahora calculamos la resistencia R cuando I=1.2mA:
De la ecuacin (9)

(14)
V=-10.872v (15)










Fig. 3. Circuito para el anlisis en DC
De la ecuacin (1)

(16)
R=8.74 K (17)
De los resultados (13) y (17) hallamos que el rango del
potencimetro es
R= [8.47K, 112.06K]
VI. PROCEDIMIENTO PARA HALLAR PARAMETROS
EXPERIMENTALMENTE

- Frecuencia de resonancia mnima:
Con el generador de frecuencias variar la sintonizacin del
tanque hasta obtener la mxima salida (Vo2max) cuando la perilla
de la bobina este en la parte ms alta.
- Frecuencia de resonancia mxima:
Con el generador de frecuencias variar la sintonizacin del
tanque hasta obtener la mxima salida (Vo2max) cuando la perilla
de la bobina este en la parte ms baja.
- Lin y Cin de la bobina:
Colocamos un capacitor C conocido entre los terminales a y b
del tanque, disminuir la frecuencia de resonancia, por lo que se
tendr que disminuir la frecuencia del generador y observar cual
es la nueva frecuencia con la que resuena.
Entonces tendramos dos ecuaciones y dos incgnitas siendo
posible el clculo de Lin y Cin.
- Rp (Resistencia de prdidas de la bobina)
Teniendo un Vo2 = 100mVpp en resonancia a 455Khz colocar
un potencimetro entre los terminales a y c del tanque y ajustar
hasta obtener Vo2 = 50mVpp. Anotar el valor de R, luego
desconectar la bobina del circuito y medir la resistencia que existe
entre sus terminales a y c, adems es conocida la relacin que
existe entre Vo2 y la resistencia de sintonizacin. Con estas
ecuaciones ser posible el clculo de Rp.
VII. CONSIDERACIONES PARA LA ELECCIN DE TRANSISTORES

- Limitacin de los dispositivos en alta frecuencia:
En alta frecuencia el lmite superior del dispositivo activo
(transistor) depende o est limitado por la capacidad interna del
mismo. La capacidad de difusin, esta surge cuando
consideramos la juntura base-emisor. En este caso, cuando pasan
huecos desde el emisor hacia el colector por difusin a travs de
la base y cuando el hueco se mueve a travs de la base, por efecto
de la tensin de seal aplicada Vi, si se invierte la polaridad de
esta tensin antes de que el hueco llegue al colector, el hueco
tender a regresar al emisor y el colector no registrar esta
corriente de seal. Esto ltimo significa que si la frecuencia de Vi
aumenta la corriente de colector disminuir debido a que algunas
cargas son atrapadas en la base.
Este efecto es el mismo que producira un capacitor ubicado
entre base y emisor (Cbe). Esta capacidad al depender del
nmero de cargas en la regin, aumenta casi linealmente con la
corriente esttica de emisor (Ieq). Esta capacidad Cb`e es mucho
mayor que Cbc y sus valores varan entre unos 100 pF y unos
5000 pF. Por esto los transistores de alta frecuencia se construyen
para trabajar con una base lo ms delgada posible.

- Circuito en emisor comn:
Este circuito equivalente es de mucha utilidad para analizar al
transistor en alta frecuencia. Como se ve en la Fig.4, B es el
terminal de base y B es la unin de base, entre estos puntos
aparece la resistencia rbb de base (directamente proporcional al
ancho de la base) y que vara entre 10 y 50. Los transistores en
alta frecuencia presentan menores anchos de base por lo que la
rbb resulta ser ms pequea. La resistencia rbe (resistencia de la
unin base-emisor) presenta un valor de aproximadamente 0,025
hfe/Ieq a temperatura ambiente y generalmente es mucho mayor
que la rbb. La hie resulta ser la suma de las dos resistencias, esto
es:
hie = rbb + rbe (18)
Como rbe >> rbb se podra considerar:
hie = rbe (19)

La Impedancia de salida 1/hoe generalmente es mucho mayor
que RL por lo que se suele despreciar en alta frecuencia.







Fig 4. Circuito hbrido (emisor comn)

La forma ms sencilla de obtener un amplificador sintonizado
es utilizando en la entrada y en la salida un circuito sintonizado.
Idealmente y trabajando con este circuito se obtienen las
ecuaciones de trabajo para el amplificador sintonizado. Las
dificultades pueden surgir al aumentar la frecuencia de trabajo. El
ms comn de los amplificadores sintonizados lo constituye un
amplificador trabajando en emisor comn, en este el circuito
sintonizado se coloca en el circuito de colector. Se deber tener en
cuenta la necesidad o no de efectuar una adaptacin de
impedancias entre el colector y el sintonizado. En este ltimo
caso de podr utilizar una inductancia con una derivacin y
adems como ya se vio se podr tambin adaptar la impedancia a
la etapa siguiente. Si se incrementa la frecuencia de operacin el
valor de L y C del circuito resonante disminuirn, pudiendo llegar
a tener valores pequeos, comparables con las capacidades
parsitas, esto ltimo es una limitacin.

Con la adaptacin de impedancia se asegura adems obtener la
mxima transferencia de energa y un mnimo efecto de las
capacidades parsitas, en este caso se puede hacer trabajar al
circuito a frecuencias mayores. Por ejemplo una inductancia que
permita trabajar al circuito con una frecuencia de 10 a 20 Mhz, al
minimizar el efecto de las capacidades parsitas por la adaptacin,
podr trabajar quizs hasta frecuencias de 30 Mhz o 40 Mhz.

- Circuito en base comn:

Para este caso la ganancia de corriente del circuito, para una
tensin colector-base
igual a cero ( Vcb = 0 ) es:

(20)


La frecuencia de transicin tiene importancia porque determina
cuando la frecuencia ha crecido lo suficiente como para hacer que
la ganancia empiece a disminuir. Es en este punto donde el
elemento activo empieza a presentar problemas de operacin,
debido a las capacidades internas. En baja frecuencia esto no
sucede, ya que son las capacidades asociadas con el elemento
activo las que tienen importancias y no las intrnsecas del mismo.






Fig.5. Circuito hibrido equivalente en emisor comn

En resumen, los elementos que debemos tener en cuenta son:

10 r
bb
50 (21)

r
be
=h
fe
/ 40I
EQ
(22)

g
m
= 40I
EQ
(23)

hoe I
EQ
(24)

Cbe = g
m
/
T
(25)

Cob V
bc
-p
p = o 1/3 (26)

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