5 IMA SEMI -UM ELECTRÓNICA ANALÓGICA

TRANSISTOR JFET

También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del acrónimo

inglés Junction Field Effect Transistor.

La principal característica de este tipo de transistores es que prácticamente no requieren de

corriente de entrada en su terminal de control. Permite el paso, o no, de corriente entre sus
terminales Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la aplicación de voltaje en su terminal Gate
(Puerta). Al no necesitar corrientes de polarización, como ocurre con los transistores bipolares, se
puede reducir el número de componentes externos necesarios para hacerlo funcionar. Consiguen
velocidades de conmutación (tiempo de paso de conducción a no conducción y viceversa) mayores
que los transistores bipolares, por lo que se usan preferentemente en Electrónica Digital.

Fue el primer tipo de transistor ideado en el año 1925, pero imposible de llevar a la práctica
con los medios técnicos de los que se contaba en aquella época. En 1947, durante los ensayos
fallidos para su construcción, dio lugar al primer transistor funcional de la historia, que fue de tipo
bipolar, la primera tecnología de transistores que se pudo comercializar. Hasta 1952 no se construyó
en laboratorio el primero transistor de Efecto de Campo (JFET).

En el símbolo, el terminal Gate puede estar desplazado o en el centro. Se usa de manera

indistinta sin que signifique ningún tipo de JFET especial o variación en el transistor.

ING MDU. HUMBERTO VELASCO CALDERÓN

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JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor normal es un

dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la polarización, mientras que JFET
es un dispositivo controlado por voltaje.

JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de nivel de
precisión en electrónica analógica. Podemos usar JFET como resistencias controladas por voltaje o
como un interruptor, o incluso hacer un amplificador usando el JFET. También es una versión de
eficiencia energética para reemplazar los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y
disipaciones de energía bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del circuito. También
proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es una gran ventaja sobre los BJT.

Hay diferentes tipos de transistores, en la familia FET, hay dos subtipos: JFET y MOSFET.

Como trabaja el JFET:

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar el tubo de

manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está proporcionando un flujo de agua
a través de ella. Si apretamos la manguera, el flujo de agua será menor y, en cierto punto, si lo
apretamos por completo, habrá un flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa manera.

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Si intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente y luego construimos
el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de corriente.

Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en un camino

suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo inverso sucede cuando se aplica un
voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad inversa, lo que hace que la unión P-N se desvíe y
hace que el canal sea más estrecho al aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el JFET en
la región de corte o pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a la fuente de

voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET tipo P, necesitamos proporcionar
VGS positivo.

JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET tienen modo de
agotamiento y modo de mejora.

Los transistores de efecto de campo (FET) se utilizan como

Interruptores analógicos

la aplicación de FETs Como los interruptores en circuitos analógicos es una consecuencia

directa de su modo de trabajo. Esto se debe a que cuando la tensión de la fuente de la puerta, VGS
es cero, el FET de canal n operará en saturación y actuará como (casi) un cortocircuito. Por lo tanto,
la tensión de salida será cero. Por otro lado, si se aplica un voltaje negativo entre la puerta y los
terminales de fuente, es decir, si VGS es negativo, entonces el FET opera en su región de corte o
pellizco. Esto significa que, en este caso, el FET actúa como un circuito abierto y la corriente de
drenaje, Ire será igual a cero. Debido a esto, la tensión a través de la resistencia de carga Rre será cero
lo que más causa la VDD aparecer en V0.

ING MDU. HUMBERTO VELASCO CALDERÓN

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