TEM415L - LEP

INFORME N°10
AMPLIFICADOR CON JFET EN FUENTE COMUN

HEREDIA VALDIVIESO CARLOS MAURICIO

BRYAN ALEXANDER SALAZAR ACONDA

04 de febrero de 2019
RESUMEN
La practica realizada fue de igual dificultad que las
anteriores realizadas solo que cambio en el elemento
principal utilizado el cual fue transistores JFET que se
los reviso anteriormente en las clases teóricas y que
se los aplico en esta práctica, básicamente la dificultad
que se presento fue que el transistor JFET requerido
no se lo pudo conseguir ,por ende se procedió a
realizar la practica con transistores de la misma familia
o que nos den resultados aproximados, con el que se
trabajo en la mesa fue con del numeral 2N3819 del
cual se necesito el datasheet para saber cual de los
terminales va conectado a las distintas partes del
circuito.
En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en
este caso el 2N3819, se muestran los 3 pines que tiene
con sus nombres, el orden va depender del JFET, se tiene
que ver su hoja de datos para conocerlos.
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y
tipo p, al igual que los diodos; la figura que sigue es una
representación para comprender como están distribuidos
los materiales semiconductores para el de canal n y el de
canal p, y las conexiones de los pines a estos
semiconductores, la figura servirá para tener una idea del
comportamiento del JFET.

The practice carried out was of the same difficulty as the

previous ones only that change in the main element used
which was JFET transistors that were previously reviewed
in the theoretical classes and that were applied in this
practice, basically the difficulty that was presented was
that the required JFET transistor could not be
achieved,Therefore we proceeded to practice with
transistors of the same family or that give us approximate
results, with which we worked on the table was with the
numeral 2N3819 of which we need the datasheet to know
which of the terminals is connected to the different parts
of the circuit.

I. MARCO TEORICO

2N3819
El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se
puede controlar el paso de una cierta cantidad de
corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea
principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de
canal p, se comentará para el caso de JFET de canal n, lo
que se comente para el de canal n, es similar para el de
canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes y las
tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales
reciben los nombres de drenaje(D), compuerta(G) y
fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la cantidad de
corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa
corriente se controla mediante la tensión que exista entre
la compuerta y la fuente.
Amplificador de
El amplificador JFET de fuente común utiliza transistores
de efecto de campo de unión como su dispositivo activo
principal que ofrece características de alta impedancia de
entrada
Los circuitos amplificadores de transistores, como el
amplificador de emisor común, se fabrican con
transistores bipolares, pero también se pueden hacer
amplificadores de señal pequeños con transistores de
efecto de campo. Estos dispositivos tienen la ventaja
sobre los transistores bipolares de tener una impedancia
de entrada extremadamente alta junto con una salida de
bajo nivel de ruido, lo que los hace ideales para usar en
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circuitos de amplificador que tienen señales de entrada II. CIRCUITOS IMPLEMENTADOS
muy pequeñas.

El circuito amplificador consiste en un JFET de canal N,

pero el dispositivo también podría ser un MOSFET de
modo de agotamiento de canal N equivalente ya que el
diagrama de circuito sería el mismo solo un cambio en el III. ANALISIS DE RESULTADOS
FET, conectado en una configuración de fuente común.
La tensión de puerta JFET Vg está polarizada a través de  Presente el circuito completo de la práctica,
la red de divisor de potencial establecida por las las gráficas y mediciones. Comente los
resistencias R1 y R2 y está polarizada para operar dentro resultados.
de su región de saturación que es equivalente a la región
activa del transistor de unión bipolar. Voltajes Voltajes Ganancia
DC AC de voltaje
A diferencia de un circuito de transistor bipolar, el FET de
unión prácticamente no tiene corriente de puerta de Drenaje 14,01 v 0,93 v
entrada que permita que la puerta sea tratada como un Compuerta 1,62 v 0,16 v 3,56
circuito abierto. Entonces no se requieren curvas de Fuente 1,15 v 0,15 v
características de entrada. Podemos comparar el JFET
con el transistor de unión bipolar (BJT) en la siguiente  Explique las utilidades del amplificador con
tabla. JFET en configuración colector común.

Con este tipo de circuitos no vamos a conseguir una

amplificación de la tensión, pero son muy buenos
amplificadores de la corriente y de ahí viene su utilidad.

Este circuito también se llama seguidor de emisor, que

también viene porque el emisor sigue a la base, lo que
quiere decir que la tensión que se aplica a la base va a
ser reproducida por el emisor.

La característica más importante de esta

configuración es Queoffers una "alta impedancia" (o
Resistencia) de entrada y Una baja Impedancia de salida.

La corriente de entrada es muy pequeña, mientras que la

salida puede ser muy grande.

 Enumere cuáles son las diferencias entre un

circuito amplificador que usa JFET y uno que
usa TBJ.

El análisis presentado en esta comparativa de JFET vs
MOSFET, sirve como una simple comparativa. Nótese
que solo en casos muy particulares se elige el JFET
sobre el MOSFET. Antes que nada. vamos detallando
algunas características de JFET vs MOSFET.
Actualmente un transistor MOSFET es más facil de
fabricar que un transistor JFET. No por el proceso de
fabricación, si no, por su popularidad, existen mas lineas
de fabricación.
En JFET la corriente se controla mediante la polarización
inversa de las compuertas con el canal S-D. En el
transistor MOSFET mediante un campo eléctrico que
atrae a los portadores minoritarios a través de una capa
dieléctrica.
El transistor JFET tiene una desviación de cero del
voltaje, cuando no esta polarizada la compuerta la
corriente en D-S no es cero. En el MOSFET la corriente
D-S es igual a cero, a menos de que exista polarización.
El transistor MOSFET soporta mayores voltajes.
Debido a la capa de dieléctrico entre la compuerta y el
substrato, el transistor MOSFET tiene una impedancia de
entrada mayor que el JFET.
El transistor JFET tiene mayor ganancia
(transconductancia) que el MOSFET.
El transistor JFET tiene menores niveles de ruido.
¿CUAL TRANSISTOR ES MÁS UTILIZADO?
En conclusión, de la comparativa JFET vs MOSFET
tenemos que los MOSFET de manera general son mas
populares y utilizados en la electrónica hoy en día. Uno
de los parámetros más importantes es debido a su mayor
impedancia, consumen menos corriente, por lo tanto,
menos potencia. Si observamos el panorama global y
vemos los circuitos integrados, nos daremos cuenta que
prácticamente todos se basan en MOSFET. Sin embargo,
existe todavía un nicho de mercado para los JFET, se
implementan cunado requieres además de un bajo ruido
una tolerancia alta ante radiación y temperatura (usados
en aplicaciones de alta confiabilidad).
 Enumere algunas aplicaciones específicas de
los JFET.
Se usa como adaptador de impedancias, es decir,
cuando se solicita una baja impedancia de salida.
Logra una muy baja distorsión sobre la señal de salida.
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IV. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Conclusiones:
 En la practica realizada se logro aprender a usar
de manera adecuada los transistores JFET a
observar de que manera influye en el circuito y
como poder aplicarlo en cualquier situación para
beneficio de nosotros debido a su
comportamiento que es algo similar al de los
transistores revisados anteriormente.
 La numeración del transistor requerido es de
mucha importancia debido a que cada uno tiene
especificaciones propias en cada caso pueden
variar (no mucho) pero los resultados si se ven
afectados por los materiales utilizados.
 Se observo como se puede modificar las señales
del osciloscopio para colocar una señal de voltaje
menor a 1 voltio debido a que no se lograba
obtener los 500 mV que nos pedían en la practica.
Recomendaciones:
 Aunque se procuró usar los valores más cercanos
en los disponibles comercialmente es
indispensable el conocimiento de los materiales
que se están utilizando ya que al no importa que
sea materiales parecidos, cada uno de ellos tiene
configuraciones distintas.
 Verificar el estado en el que se encuentran los
materiales y saber como manejar cada uno de
ellos, como por ejemplo el transistor no se lo
debía tocar directamente con los dedos por la
corriente estática que se puede quedar ahí.
 Revisar el datasheet de cada uno de los
elementos que estamos utilizando para así tener
una noción de que o como debemos conectar en
el circuito que se esta implementando.
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V. BLIOGRAFIA
[1]H. Torres, "JFET vs MOSFET transistores, una
comparativa - HETPRO
TUTORIALES", HETPRO/TUTORIALES, 2019. [Online].
Available: https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-
mosfet/. [Accessed: 05- Feb- 2019].

[2]O. Ovando, "3 5. Configuración en Colector

Común", Academia.edu, 2019. [Online]. Available:
http://www.academia.edu/3769943/3_5._Configuraci%C
3%B3n_en_Colector_Com%C3%BAn. [Accessed: 05-
Feb- 2019].

[3]M. Almeida, "JFET, conociendo las características del

transistor JFET. - MrElberni", MrElberni, 2019. [Online].
Available: http://mrelbernitutoriales.com/transistor-
jfet/conociendo-el-jfet/. [Accessed: 05- Feb- 2