“Año de la Universalización de la Salud”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

Facultad de Ingeniería Mecánica

PREVIO - LABORATORIO N°3

AMPLIFICADOR BÁSICO CON TRANSISTOR FET DE UNIÓN O JFET

Curso: Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos (ML - 831)
Profesor: Ing. Edilberto Huamaní Humaní
Sección: A
Nombre – Código UNI:

Fecha de presentación: 20 / 08 / 2020

2020 – I
OBJETIVOS

• Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO con un

Transistor FET de Unión o JFET. Reconocer en la práctica la
configuración de SURTIDOR COMÚN.
• Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del Transistor de Efecto
de Campo, su trabajo en DC y en AC.
• Operar el circuito amplificador básico para determinar el
correspondiente punto de operación del transistor, sus componentes:
corriente de drenador ID, y voltaje entre drenador (D) y fuente o
surtidor (S). Reconocer la ganancia de corriente del JFET a partir de
valores medidos.
• Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar
la ganancia de tensión a partir de valores medidos. Reconocer la
máxima excursión simétrica y las razones por las cuales hay
distorsión en la tensión de salida.

MARCO TEORICO

JFET:

JFET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor

normal es un dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la
polarización, mientras que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que
los MOSFET, como hemos visto en nuestro tutorial anterior, JFET tiene tres
terminales: Gate, Drain y Source

JFET es un componente esencial para los controles operados por voltaje de nivel
de precisión en electrónica analógica. Podemos usar JFET como resistencias
controladas por voltaje o como un interruptor, o incluso hacer un amplificador
usando el JFET. También es una versión de eficiencia energética para reemplazar
los BJT. JFET proporciona un bajo consumo de energía y disipaciones de energía
bastante bajas, lo que mejora la eficiencia general del circuito. También
proporciona una impedancia de entrada muy alta, lo cual es una gran ventaja
sobre los BJT.

Hay diferentes tipos de transistores, en la familia FET, hay dos subtipos: JFET y
MOSFET.

Como trabaja el JFET

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar el

tubo de manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está
proporcionando un flujo de agua a través de ella. Si apretamos la manguera, el
flujo de agua será menor y, en cierto punto, si lo apretamos por completo, habrá un
flujo de agua cero. JFET funciona exactamente de esa manera. Si intercambiamos
la manguera con un JFET y el flujo de agua con una corriente y luego construimos
el canal de corriente, podríamos controlar el flujo de corriente.

Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en un

camino suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo inverso
sucede cuando se aplica un voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad inversa,
lo que hace que la unión P-N se desvíe y hace que el canal sea más estrecho al
aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el JFET en la región de corte o
pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a la

fuente de voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET tipo P,
necesitamos proporcionar VGS positivo.

JFET solo funciona en modo de agotamiento, mientras que los MOSFET tienen
modo de agotamiento y modo de mejora.
Amplificador de fuente común JFET
El amplificador JFET de fuente común utiliza transistores de efecto de campo de
unión como su dispositivo activo principal que ofrece características de alta
impedancia de entrada

Los circuitos amplificadores de transistores, como el amplificador de emisor

común, se fabrican con transistores bipolares, pero también se pueden hacer
amplificadores de señal pequeños con transistores de efecto de campo. Estos
dispositivos tienen la ventaja sobre los transistores bipolares de tener una
impedancia de entrada extremadamente alta junto con una salida de bajo nivel de
ruido, lo que los hace ideales para usar en circuitos de amplificador que tienen
señales de entrada muy pequeñas.

El diseño de un circuito amplificador basado en un transistor de efecto de campo

de unión o "JFET", (FET de canal N para este tutorial) o incluso un FET de silicio
de óxido de metal o "MOSFET" es exactamente el mismo principio que para el
circuito de transistor bipolar.

En primer lugar, es necesario encontrar un punto de reposo adecuado o "Q-point"

para la polarización correcta del circuito amplificador JFET con configuraciones de
amplificador único de fuente común (CS), drenaje común (CD) o seguidor de
fuente (SF) y Common-gate (CG) disponible para la mayoría de los dispositivos
FET.

Estas tres configuraciones de amplificador JFET corresponden a las

configuraciones de emisor común, emisor seguidor y base común que utilizan
transistores bipolares.
Curvas de características del amplificador JFET de fuente
común

Al igual que con el circuito bipolar emisor común, la línea de carga de CC para el
amplificador JFET de fuente común produce una ecuación de línea recta cuyo
gradiente se da como: -1 / (Rd + Rs) y que cruza el eje vertical Id en el punto A
igual Vdd / (Rd + Rs) . El otro extremo de la línea de carga cruza el eje horizontal
en el punto B que es igual a la tensión de alimentación, Vdd .

La posición real del punto Q en la línea de carga de CC generalmente se ubica en

el punto central medio de la línea de carga (para la operación de clase A) y está
determinada por el valor medio de Vg que está sesgado negativamente ya que el
JFET es un dispositivo de modo de agotamiento. Al igual que el amplificador
emisor común bipolar, la salida del amplificador JFET de fuente común está
desfasada 180 ° con la señal de entrada.

Una de las principales desventajas de utilizar el JFET de modo de agotamiento es

que deben estar sesgados negativamente. Si este sesgo falla por alguna razón, el
voltaje de la compuerta puede aumentar y volverse positivo, causando un aumento
en la corriente de drenaje que da como resultado la falla del voltaje de drenaje, Vd.

Corriente del amplificador JFET y ganancias de potencia

Anteriormente dijimos que la corriente de entrada, Ig de un amplificador JFET de

fuente común es muy pequeña debido a la impedancia de puerta extremadamente
alta, Rg. Por lo tanto, un amplificador JFET de fuente común tiene una muy buena
relación entre sus impedancias de entrada y salida y para cualquier cantidad de
corriente de salida, I OUT el amplificador JFET tendrá una ganancia de corriente
muy alta Ai .

Debido a esta fuente común, los amplificadores JFET son extremadamente

valiosos como circuitos de adaptación de impedancia o se usan como
amplificadores de voltaje. Del mismo modo, porque: Potencia = Voltaje x Corriente,
(P = V * I) y los voltajes de salida son generalmente varios milivoltios o incluso
voltios, la ganancia de potencia, Ap también es muy alta.

Bibliografía
• http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-
jfet-de-fuente-comun.html
• https://viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.php
• https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
• https://electrotec.pe/blog/jfet