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Memorias PDF
Memorias PDF
3º Ingeniero Aeronáutico
Memorias
– Densidad.
– No volatilidad.
– Bajo coste.
– Almacenamiento de los datos.
– Tiempo de almacenamiento
Ejemplo: Memoria de 4 bits
24 celdas de memoria.
a0, a1: las dos líneas menos
significativas de la
dirección.
D
Ponen a nivel alto una de e
las líneas de salida del c
decodificador. o
a2, a3: las dos líneas más d
significativas de la i
dirección. f
Se conecta al buffer de i
salida 1 sóla de las 4 c
a
celdas seleccionadas con
d
el decodificador. o
r
Palabra de varios
bits de salida
Señal selección
común.
Clasificación memorias
Memorias no volátiles:
– ROM.
– PROM.
– EPROM.
– EEPROM.
– Flash.
Memorias volátiles:
– RAM estática (SRAM).
– RAM dinámica (DRAM).
Introducción memorias no volátiles
La información no se pierde aún cuando desconectemos su
alimentación.
Interesante par establecer condiciones iniciales en el
encendido en sistemas digitales, actuar como memoria de
programa o almacenar tablas de datos.
La celda básica de memoria caracteriza cada tipo de
memoria.
Las celdas se organizan en una matriz con igual número de
filas que de columnas.
El número de direcciones necesarias para acceder a
cualquier elemento de una memoria genérica de m celdas
es
n ≥ log2 m
Dirección ai, i ∈ (o, n-1), n: número de líneas
Memorias ROM
ROM (Read-Only Memory): memorias
de sólo lectura que se programan
mediante máscaras el contenido de
las celdas de memoria se almacena
durante el proceso de fabricación y se
mantiene irrevocable.
Alta densidad (celda básica con
estructura muy sencilla).
No volátiles.
Coste bajo.
Sólo lectura.
ROM 8K X 8
213=8192
Técnicas de fabricación de memorias ROM
a) Matriz de diodos: Presencia diodo se almacena “1” lógico
Inconveniente: todos lo diodos de una fila conducen, cargando la salida del decodificador
Técnicas de fabricación de memorias ROM
a) Matriz de transistores MOS (nMOS):
Ventana de
desprogramación
Desprogramador
Memoria EPROM por UV
Programador
Memorias EEPROM
EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read-Only
Memory).
Memorias no volátiles y eléctricamente borrables a nivel
de bytes.
Más flexibilidad, pero celdas más complejas.
Utiliza transistor de almacenamiento FAMOS y un
transistor de selección. 2 transistores por celda.
Menor densidad y mayor coste.
Tiempo de programación: 157 μs – 625 μs
Permiten borrado y programación en placa.
Elevados tiempos de programación de datos que
ralentizan la ejecución de un programa.
Ideal salvo en densidad, coste y tiempo almacenamiento
de datos. Memoria de
lectura y
escritura
Programación memorias Flash
EEPROM evolucionada (transistores FAMOS).
Borrado de múltiples posiciones a la vez.
Escritura y lectura a velocidades muy superiores que la
EEPROM.
Puede actuar como memoria de programa y datos
Necesario
Arquitectura interna: borrar antes de
programar
Transistores de
acceso