Universidad Tecnológica de San Luis Potosí Electrónica Digital 2010

Unidad IV. MEMORIAS

PROGRAMABLES

Objetivo:

El alumno programará memoria de sistemas electrónicos, mediante el análisis de

las características tales como capacidad, tipo de lectura y escritura,
direccionamiento, para su integración en dispositivos electrónicos.

Resultado de aprendizaje:

Elaborar un circuito digital que incluya:

Un dispositivo de almacenamiento volátil y no volátil (memoria) que contenga

operaciones de lectura y escritura, aplicado a la solución de problemas de control o
automatización.

Temas:

1.1 Tipos de memoria.

1.2 Programación y aplicación

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2.1 Tipos de memorias.

La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes

cantidades. Las memorias semiconductoras están formadas por matrices de
almacenamiento que pueden ser latches o condensadores.

Las memorias empleadas en los sistemas electrónicos microprocesadores se

pueden clasificar en dos grandes grupos:

 SRAM
 RAM 
  DRAM
  ROM
Memorias 
 ROM  PROM
 
  EPROM
  EEPROM

Memorias RAM

Memorias RAM (Random Access Memory), son memorias de acceso aleatorio,

pero la característica que más las define es que son volátiles ya que pierden los
datos almacenados cuando se desconecta la alimentación. Estas memorias
poseen la capacidad de que se puede realizar tanto escrituras como lecturas. Los
datos se pueden leer y escribir en cualquier dirección seleccionada en cualquier
secuencia. Cuando se escriben los datos en una determinada dirección de la
RAM, los datos almacenados previamente son reemplazados por la nueva unidad
de datos. Cuando una unidad de datos se lee de una determinada dirección
permanecen almacenados y no son borrados por la operación de lectura. Esta
operación no destructiva de lectura se puede entender como una copia del
contenido de una dirección, dejando dicho contenido intacto. La RAM se utiliza
habitualmente para almacenamiento de datos a corto plazo.

Las dos categorías de memorias RAM son la RAM estática y la RAM dinámica.

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 RAM estáticas ó SRAM. Cada una de las celdas están construidas

mediante latches, que permanecen indefinidamente en un estado, mientras
no se elimine la alimentación. Los datos pueden leerse más rápidamente
en una SRAM que en una DRAM.

Todas las RAM estáticas se caracterizan por las celdas de memoria match.
Cuando se aplica alimentación continua a una celda de memoria estática se puede
mantener un estado 1 o 0 indefinidamente.

Los tipos básicos de memorias SRAM son:

 SRAM asíncronas: es aquella en la que su funcionamiento no está

sincronizado con un reloj de sistema.
 SRAM síncronas de ráfaga: está sincronizada con el reloj del sistema.

 RAM dinámicas o DRAM. Cada una de las celdas están construidas por
condensadores que almacenan la información mediante la carga o
descarga de estos. Los condensadores pierden cargas y esto obliga a
realizar continuas reescrituras de la misma información para evitar perder la
información. A este proceso se le conoce como “refresco” (refresh).

Los tipos básicos de la DRAM son:

 DRAM con modo página rápido (FPM DRAM)

 DRAM con salida de datos extendida (EDO DRAM),
 DRAM con salida de datos extendida en ráfaga (BEDO DRAM) y
 DRAM síncrona (SDRAM)

Memorias ROM

Memorias ROM (Read Only Memory), son memorias de acceso aleatorio como las
RAM, pero la principal característica por la que son identificadas es que no pierden

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los datos aunque no tengan aplicada la tensión de alimentación, por tanto son
memorias no volátiles.

Estas memorias sólo permiten la lectura, ya que para la escritura se requieren

unos procesos más complejos (hay algunos casos en que sí es permitida la
escritura).

Dependiendo del proceso de grabación, las ROM se clasifican en:

 ROM, se entiende que son memorias programables por máscara, esto es,
los datos se graban durante el proceso de grabación. Una de las máscaras
utilizadas es el proceso fotográfico se diseña para producir en la memoria
los datos deseados en las posiciones necesarias. Para cada conjunto de
información se requiere un tipo de máscara distinta. Ya que las máscaras
son muy costosas, este tipo de ROM sólo es rentable cuando se realizan
grandes series de un tipo de máscara.

 PROM, son memorias ROM programables. Dichas memorias se pueden

grabar por el usuario final, pero una sola vez. El método usado es el de
fundir fusibles para provocar el valor del dato deseado, por tanto es una
grabación irreversible. También se hace referencia a estas memorias como
ROM “programables una sola vez”. Con este tipo de memoria si que es
rentable el realizar series de cantidades pequeñas.

 EPROM, Son memorias ROM borrables y programables. Son similares a

las PROM, pero el proceso de grabación no es tan destructivo, pudiendo
borrar la EPROM mediante la aplicación de luz ultravioleta a través de una
“ventana” que posee en la parte superior del encapsulado. Tras este
proceso de borrado se vuelven a grabar los mismos datos. Los datos
permanecen grabados durante un largo tiempo. El proceso de
borrado/escritura esta determinado a un número de veces.

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 EAROM o EEPROM (E2PROM), son memorias similares a las EPROM,

pero en este caso se realizan por procedimientos eléctricos. Actualmente
tienen una importancia fundamental en cualquier diseño. Dentro de este
tipo hay que mencionar a las de acceso serie, que actualmente es la que
más aceptación tiene en los diseños con microprocesadores y
microcontroladores.

La memoria EEPROM de datos puede ser de hasta 256 bytes y se direcciona

mediante el registro EEADR, los datos leídos/escritos se almacenan/sitúan en el
registro EEDATA.

La memoria de programa puede tener un tamaño máximo de 8K x 14 bits, el

direccionamiento se realiza con los registros EEADRH:EEADR (13 bits) y los datos
se gestionan mediante los registros EEDATH:EEDATA (14 bits)

PLD

Otro dispositivo programable como las memorias es el PLD.

Un Dispositivo Lógico Programable (PLD) es cualquier dispositivo lógico cuya

función está especificada por el usuario, después de fabricado el dispositivo. Se
usan para reemplazar lógica SSI y MSI, ahorrando así en costo y tiempo en el
diseño. La mayoría de los PLDs consisten en una matriz de compuertas AND
seguidas de una matriz de OR.

La flexibilidad y programabilidad de los PLD's hacen que el diseño con ellos sea
mucho más rápido que diseñar con lógica discreta. Esto es, se puede utilizar el
PLD para implementar la mayoría de las funciones hechas con los cientos de
dispositivos de la familia lógica "7400". También cabe recalcar que se toma menos
espacio sobre el circuito impreso que con los dispositivos discretos.

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Con los dispositivos programables puede obtenerse la misma funcionalidad con un

CI que si se utilizan varios chips lógicos individuales. Esta característica implica
menos espacios en tableros, menos consumo de energía, mayor confiabilidad,
menos inventario y una reducción en el costo total de fabricación.

Los dispositivos lógicos programables se les denominan también como

dispositivos lógicos programables de campo (FPLDs), pueden configurarse a la
medida para crear cualquier circuito digital deseado.

Por lo general los PLDs pueden clasificarse en tres tipos distintos:

 Dispositivos lógicos programables simples (SPLDs): Son dispositivos que

contienen el equivalente de 600 compuertas o menos, son menos
complicados y más económicos.
 Dispositivos lógicos programables complejos (CPLDs): Son dispositivos que
combinan una matriz de dispositivos tipo PAL en el mismo chip.
 Matrices de compuertas programables de campo (FPGAs): Consisten de
muchos módulos lógicos programables relativamente pequeños e
independientes, los cuales pueden interconectarse para crear funciones
más grandes.

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2.2 Programación y aplicación.

MEMORIA EPROM

Una popular familia es la serie 27XX. La EPROM 2716 esta empacada en un

circuito integrado de 24 terminales. Las cuales se muestran a continuación:

 A0-A10: Líneas de direcciones

 D0-D7: Salida de datos
 (CE)' Habilitador de la pastilla
 (OE)' Habilitador de salidas
 PGM Condición de programación
 Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
 Vss Terminal de tierra 0.0 Volts
 Vpp Voltaje de programación
 NC No conexión

Operación de lectura

Para leer la memoria se deben hacer las conexiones de las terminales que a
continuación se especifican, la Terminal Vpp se conecta a Vcc para inhibir con
esto la programación, las entradas (OE)' y (CE)' se colocan en tierra y con estas
simples conexiones se puede leer la memoria, los datos estarán sobre las
terminales D1 - D7, la información se puede visualizar con LED'S quienes indican

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el dato direccionado por las terminales A0 - A10, cuya capacidad es de (2K X 8),
2048 localidades de 8 bits cada una.

Modo de programación.

Para programar la memoria se requieren las siguientes conexiones:

 En la terminal 18 se debe depositar un pulso de Tw = 45 mseg

aproximadamente, dicho pulso deberá estar dado por un monoestable.

 La terminal 20 que es el habilitador de salidas se conecta a la polarización

de +5.0 Volts (la alimentación).

 La Terminal 21, voltaje de programación se conecta a un voltaje fijo de +25

Volts, la memoria normalmente cuando no esta grabada contiene "unos",
por lo tanto en la operación de grabación se procede a depositar ceros.

MEMORIA EEPROM

Las memorias programables de solo lectura, en este caso las EEPROM, pueden
aplicarse en cualquier solución que requiera del almacenamiento de datos de
manera no volátil, donde no tengan que ser alterados, al menos de manera
frecuente. Algunas de las aplicaciones comunes son las siguientes:

 Almacenamiento de programas microcomputadoras (firmware)

 Memoria de arranque
 Tablas de datos
 Convertidor de datos
 Generadores de caracteres
 Generador de funciones.

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Operación de lectura.

Un dato es leído de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicación de un nivel

alto en Vpp, (voltaje de programación conectada a Vcc), un nivel bajo en (CE)' y
un nivel bajo en (OE)', con estas condiciones se obtiene información de terminales
E/S estarán en estado de alta impedancia siempre y cuando (OE)' y/o (CE)' están
en un nivel alto.

La función de la terminal (CE)' es la de poder controlar la activación del chip,

puede ser usado por un sistema con microprocesadores para la selección del
dispositivo.

Operación de escritura. (Modo de programación de + 5 Volts)

El ciclo de escritura es iniciado por la aplicación de un nivel bajo en Vpp, 200

nseg, mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la
dirección es doblemente almacenada a la caída y a la salida de Vpp, una vez
realizado esto la arquitectura interna de la memoria borrara automáticamente el
dato seleccionado y procederá a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg,
mientras tanto las terminales E/S o E/S; permanecerán en estado de alta
impedancia durante un tiempo igual al de la operación del proceso de escritura, La
EEPROM 2816 se escribe y se borra eléctricamente utilizando un voltaje de +5
Volts para grabar y leer, la condición de grabado es "borrado antes de escribir",
esta memoria es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el
circuito de alimentación de la energía la información no se pierde, se puede usar el
modo de "stanby" para que la información no se borre.

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PROGRAMACIÓN

Para programar las memorias se puede realizar con un programador universal

llamado comercialmente BK-844. Se dice que es universal, porque programa toda
una gamas de dispositivos distintos tales como: PROM, EPROM, EEPROM, PAL,
GAL, etc.

El programador BK-844 es un sistema que se conecta a la computadora personal

a través del puerto paralelo. Cuenta con los siguientes partes:
Zócalo ZIF (Zero Insertion Force): para insertar los dispositivos y un software que
controla este sistema.

Disco o unidad de almacenamiento masivo: representa el lugar de donde se lee la

información que se desea guardar en algún circuito de memoria o PLD, o el lugar
donde podemos guardar la información leída a un circuito de memoria o PLD.
Generalmente esta información es un archivo binario o en algún otro formato.
Buffer de trabajo: es un área de almacenamiento temporal en donde se puede
modificar la información y preparar esta para guardarse en un disco o programar
un circuito de memoria o PLD.

Teclado y monitor: son los elementos que permiten ver y modificar la información
almacenada en el buffer de trabajo.

Base para dispositivos: es un dispositivo que permite la conexión física del circuito
de memoria con el programador, generalmente se trata de una base tipo ZIF.

1. Con la computadora apagada, conecte el programador universal al puerto

paralelo.
2. Posteriormente energice al programador, conectando su eliminador de
baterías a cualquier toma de corriente, al hacer esto, se encenderá el led
rojo (power).

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3. Asegúrese de que el paquete BK844 esté instalado en su computadora.

Para esto localice el acceso directo en el escritorio o busque en el menú
inicio en la opción programas, la carpeta con el nombre BK844 y en ella
ejecute el archivo bk844 for Windows. Después de esto, aparecerá en el
monitor la pantalla principal del programa

En la figura anterior pueden distinguirse cada una de las cuatro secciones que
conforman la pantalla principal del programa BK844, las cuales son:

1) Sección de menús: Muestra en forma de menús cada una de las opciones

disponibles del programa.
2) Barra de herramientas: Muestra en forma de iconos algunas de las
opciones más empleadas de los menús.
3) Ventana de estado: Despliega la información acerca de cada una de las
tareas que se van realizando con el programador.
4) Ventana de información del sistema: Visualiza al usuario información
relevante, tal como: Nombre del dispositivo, número de patitas, capacidad
del dispositivo, archivo, espacio libre en el disco, etc.

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4. Lo primero que realizará el programa BK844 al ejecutarse será verificar que

el programador universal esté presente en el puerto paralelo y qué se
encuentre funcionando correctamente. De no ser así, se desplegará el
siguiente mensaje en la ventana de estado.

Can not find the Model 844 programming module

1. En caso de que esto sucediera, verificar lo siguiente:

a) Que el programador se encuentre energizado.
b) Que el cable paralelo entre la PC y el programador se encuentre bien
conectado.
c) Que el puerto paralelo de la PC esté habilitado y se encuentre
funcionando correctamente (esto puede hacerse con la ayuda del
administrador de dispositivos dentro del menú panel de control
de Windows).

2. En caso de que aún verificando lo anterior persista el mensaje, es probable

que el programador esté averiado.

3. Seleccione el tipo de dispositivo que se va a programar, su modelo y marca.

Para esto se puede recurrir a:

 La opción Select del menú Device.

 La tecla rápida F7
 El icono rotulado con Select.

Al elegir alguna de las opciones anteriores se desplegará la ventana mostrada en

la figura

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En la sección (a) del menú, se elige el tipo de dispositivo.

Después se selecciona el fabricante a través de la ventana de la sección (b). Por

último, se escoge el modelo del dispositivo, esto se logra eligiéndolo de la lista
desplegada en la ventana de la sección (c). Cabe señalar que si dentro de la lista
no aparece el modelo del dispositivo no va a ser posible programarlo con el
BK844.

Una vez introducido los datos anteriores y al pulsar el botón aceptar del menú,
estos datos serán desplegados en la ventana de estado de la pantalla principal.
También existe dentro la pantalla de Select la opción de Auto – Select
(autoselección) la cual desafortunadamente no está disponible cuando el
dispositivo es un GAL, EPLD o EEPROM.

4. A continuación, traslade su archivo JED al buffer del programa. Esto puede

lograrse por cualquiera de las siguientes tres formas:

 En el menú File y eligiendo la opción Load.

 Con la tecla rápida F3
 Con el icono de la carpeta.

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Hecho lo anterior, aparecerá la ventana de navegación de Windows que solicitará

la unidad de disco y ubicación del archivo JED. Seleccione el archivo JED
correspondiente al del diseño de su proyecto.

5. 5.- Vaya a la opción Edit Buffer del menú Buffer para verificar que
efectivamente el archivo JED fue cargado al buffer del programa (esto
puede realizarse también con F6 o con el icono Select). Esto desplegará
una ventana en la que se muestra el mapa de fusibles contenido en el
archivo JED previamente cargado.
6. Verifique que su GAL, EPLD o EEPROM esté en blanco por medio de la
opción Blank Check del menú Device (esto también puede hacerse con la
combinación de las teclas Crt+B o con el icono Blank). En caso de que la
GAL, EPLD o EEPROM contenga alguna información, debe ser necesario
eliminarla con la opción Erase del menú Device (o por medio del icono
Erase o la combinación de teclas Crt+E).
7. Proceda a programar su GAL, EPLD o EEPROM pulsando el icono Prog.
8. Pulsando el icono Verify, verifique que el contenido del buffer y lo
programado en la GAL, EPLD o EEPROM coincidan. De no ser así, repita
los pasos del 4 al 7. Si a pesar de esto no siguen coincidiendo, pruebe
programando una GAL, EPLD o EEPROM distinta.
9. El desarrollo de los puntos 6 al 8 puede ser hecho en un solo paso con el
icono Auto, el cual verifica que la GAL, EPLD o EEPROM este en blanco,
de no ser así procede a borrarla, la programa con el contenido del buffer y
finalmente verifica que el buffer y lo programado en la GAL, EPLD o
EEPROM coincidan. Vuelva a programar su GAL, EPLD o EEPROM pero
utilice esta opción.
10. Antes de montar su GAL, EPLD o EEPROM en su circuito revise que:

 Debe existir una resistencia de 470Ù entre cualquier LED conectado a un

pin de la GAL, EPLD o EEPROM y GND (VCC).
 Ningún pin de la GAL, EPLD o EEPROM debe quedar sin conectar.

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11. Monte su GAL, EPLD o EEPROM programada en el circuito final y

compruebe que esté funcionando correctamente. De no ser así, puede que
sea necesario volver a realizar el diseño y por lo tanto volver a programar la
GAL, EPLD o EEPROM.

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