MEMORIA INTERNA

MEMORIA PRINCIPAL SEMICONDUCTORA

En los primeros días de las computadoras, la memoria principal solía utilizar una disposición de
pequeñas estructuras ferromagnéticas llamadas "núcleos" para el almacenamiento de acceso
aleatorio. Esta tecnología hizo que la memoria principal fuera comúnmente conocida como
"núcleo" o "core" en inglés, un término que ha perdurado con el tiempo. Sin embargo, con la
llegada de la microelectrónica y sus beneficios, las memorias de núcleos fueron reemplazadas
por chips semiconductores en la memoria principal. En la actualidad, el uso de chips
semiconductores es prácticamente universal para la memoria principal.
ORGANIZACIÓN
Las celdas de memoria semiconductora son elementos fundamentales y comunes en diferentes
tecnologías electrónicas. Tienen dos estados estables que representan los valores binarios 1 y 0,
pueden escribirse una vez para establecer su estado y pueden leerse para detectar dicho estado.

Memoria RAM: La RAM (Random Access Memory) es una memoria de acceso aleatorio que
permite leer y escribir datos rápidamente a través de señales eléctricas. Es volátil, lo que
significa que pierde datos cuando se interrumpe la alimentación y se utiliza principalmente
como almacenamiento temporal.
DRAM (Dynamic RAM): La DRAM almacena datos como carga eléctrica en condensadores.
Requiere refrescos periódicos para mantener los datos almacenados debido a la tendencia
natural de los condensadores a descargarse. Es esencialmente analógica y se usa para grandes
cantidades de memoria debido a su menor costo por celda.
SRAM (Static RAM): La SRAM utiliza configuraciones de puertas para formar biestables (flip
flops) y retiene datos mientras se mantiene alimentada. Es una memoria digital y es
generalmente más rápida que la DRAM. Se utiliza comúnmente en memorias caché, tanto
dentro como fuera del chip.
Comparación entre SRAM y DRAM: Las DRAM son más densas y económicas que las SRAM,
pero requieren circuitería de refresco. Las SRAM son más rápidas pero ocupan más espacio y
son más caras por celda. Por lo tanto, las DRAM suelen utilizarse para la memoria principal en
grandes cantidades, mientras que las SRAM se utilizan en memorias caché.
Tipos de ROM:
ROM (Read Only Memory): Contiene datos permanentes que no pueden ser modificados. Es no
volátil y se utiliza para almacenar programas del sistema, subrutinas de bibliotecas y tablas de
funciones.
ROM Programable (PROM): No volátil y puede grabarse una vez eléctricamente después de la
fabricación original. Más económica que la ROM estándar para producciones pequeñas.
ROM de Sobre-todo Lectura (Read-Mostly): Útil cuando las operaciones de lectura son más
frecuentes que las de escritura. Incluye EPROM, EEPROM y memorias flash.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se borra mediante radiación
ultravioleta antes de la escritura. Puede modificarse múltiples veces.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory): Permite escribir sin
borrar su contenido anterior, actualizando solo los bytes necesarios. Más costosa que la
EPROM.
Memoria Flash: Más rápida que la EPROM en el proceso de borrado. Puede borrarse en bloques
en lugar de todo el chip. Se encuentra entre la EPROM y la EEPROM en costo y funcionalidad.
Lógica del Chip: Los chips de memoria semiconductor contienen una matriz de celdas de
memoria y su organización se ajusta a compromisos de velocidad, capacidad y costo.
ENCAPSULADO DE LOS CHIPS Los circuitos integrados se montan en capsulas con patillas
o terminales que los conectan con el mundo exterior.
Corrección de Errores: Las memorias semiconductoras pueden experimentar errores
permanentes (hard) y errores transitorios (soft). Se utilizan técnicas de detección y corrección de
errores para abordar estos problemas.
Organización Avanzada de Memoria DRAM: Se menciona que la interfaz con la memoria
principal interna es crucial en sistemas con procesadores de alto rendimiento. Se han
introducido caches SRAM de alta velocidad para mejorar el rendimiento de la memoria DRAM.
1. SDRAM (DRAM Síncrona):

- A diferencia de las DRAM tradicionales, las SDRAM son síncronas y operan en

sincronización con una señal de reloj externa.
- Eliminan los estados de espera y funcionan a la velocidad máxima del bus
procesador/memoria.
- Permite que el procesador y la SDRAM trabajen de manera sincronizada, reduciendo la
espera del procesador durante las operaciones de acceso a la memoria.
2. RDRAM (DRAM Rambus):

- Desarrollada por Rambus y adoptada por Intel para sus procesadores Pentium e Itanium.
- Utiliza chips con encapsulados verticales y una alta cantidad de hilos de conexión para
una alta velocidad de transferencia de datos.
- Competidora principal de la SDRAM.
3. DDR SDRAM (SDRAM de Doble Velocidad de Datos):

- Permite enviar datos al procesador dos veces en cada ciclo de reloj, coincidiendo con los
flancos de subida y bajada.
- Aumenta la velocidad de transferencia de datos en comparación con la SDRAM
tradicional.
4. DRAM Caches (CDRAM):

- Desarrollada por Mitsubishi, integra una pequeña cache SRAM en un chip de DRAM.
- Puede utilizarse como una verdadera cache para mejorar el rendimiento de accesos a
memoria aleatorios.
- También puede usarse como buffers para soportar el acceso secuencial a un bloque de
datos, como en el caso de refrescar una pantalla gráfica.