MEMORIAS

SEMICONDUCTORAS
 CAPITULO IV

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
Las memorias semiconductoras son dispositivos que permiten almacenar en ellas en forma
temporal o permanente números binarios para ser utilizados posteriormente.

Clasificación de las memorias semiconductoras

Las memorias semiconductoras se clasifican en dos grupos o categorías que son:

 Memorias de solo lectura o ROM (Read Only Memories).

 Memorias de acceso aleatorio o RAM (Random Access Memories).

Aunque los principios de funcionamiento de ambos tipos de memoria son similares, cada una
juega un papel diferente y tiene ventajas y desventajas únicas. Las memorias ROM se denominan
también memorias permanentes y las RAM memorias temporales o volátiles.

MEMORIAS ROM

Las memorias ROM son las más comúnmente utilizadas para almacenar instrucciones o
constantes numéricas fijas, es decir que no cambian durante la vida de un producto. Las computadoras
personales, por ejemplo, usan memorias ROM para soportar el llamado BIOS (sistema básico de
entrada/salida) que es el encargado de inicializar el sistema. Hay cuatro tipos de ROM.

ROM

Las memorias ROM solamente pueden ser programadas por el fabricante del chip. El usuario o
comprador le especifica a este último cual es la información que debe ser programada. Una vez
programada, una ROM no puede ser alterada. Una ventaja de la ROM es su robustez. Soportan el abuso
eléctrico y físico sin perder su contenido.

PROM

Las memorias PROM (ROM programables) se programan, de manera definitiva por el usuario,
empleando equipo especial. Pueden programarse o quemarse una sola vez. No son borrables. Las
PROM son ligeramente más costosas que las ROM pero su flexibilidad justifica el costo.

EPROM

Las memorias EPROM (ROM programables y con capacidad de borrado) pueden ser
programadas y borradas por el usuario cualquier número de veces. Los datos almacenados en estas
memorias se borran acercando rayos ultravioletas (UV) de alta intensidad a través de una ventana
transparente de cuarzo situada en la parte posterior del circuito integrado. Se programan de manera
similar a las PROM.

EEPROM

Las memorias EEPROM (ROM programables y con capacidad de borrado eléctrico) pueden ser
programadas y borradas por el usuario dentro del circuito de utilización. Los datos almacenados en las
memorias tipo EEPROM se borran usando señales eléctricas digitales. Son relativamente más lentas que
los otros tipos de ROM.

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MEMORIAS RAM

El contenido de las posiciones de esta clase de memoria puede ser leído y alterado en cualquier
momento. La memoria RAM puede ser fácilmente programada, borrada y reprogramada por el usuario.
La información almacenada en una RAM es temporal o volátil, es decir, se pierde al suprimir el suministro
de energía.

El nombre de aleatoria se debe a que cualquier posición puede ser accesada tan rápidamente
como cualquier otra. Hay dos tipos de memoria RAM.

SRAM

Las memorias SRAM (RAM estática) están compuestas por flip - flops. Si se almacena una
información binaria en estas memorias, permanece allí a menos que se cambie por otro dato o se
desconecte la energía. Las SRAM tienden a ser rápidas pero su capacidad de almacenamiento es
limitada debido a que cada flip - flop ocupa un área relativamente grande.

DRAM

Las memorias DRAM (RAM dinámicas) utilizan condensadores MOS como celdas mínimas de
memoria. Son más simples y baratas que las estáticas pero, dado que los condensadores tienden a
perder su carga, es necesario refrescar cada una de las celdas cientos de veces por segundo. Si una
celda no es refrescada a tiempo, pierde el dato que tenía almacenado.

Memoria RAM 27S02DC

La 27S02DC, aunque no tiene mucha capacidad de almacenamiento (64 bits, distribuidos en 16

palabras de 4 bits), es ideal para experimentar y comprender cómo operan.

El circuito integrado 27S02DC es una RAM estática de 64 bits, organizada como una memoria de
16 x 4, es decir, puede almacenar 16 palabras de 4 bits.

Fig. 4.1 Diagrama funcional de los pines de circuito integrado 7489 ó 27S02DC.

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 La función de cada uno de los 16 pines es la siguiente:

 Vcc (pin 16) y GND (pin 8). Terminales de alimentación. Por ser TTL, opera con una tensión
de + 5 V. Aplicada entre estos pines.
 A0 (pin 1), A1 (pin 15), A2 (pin14), A3 (pin 13). Líneas de direccionamiento. Permiten tener
acceso a las 16 posiciones de memoria del chip.
 D0 (pin 4), D1 (pin 6), D2 (pin 10), D3 (pin 12). Líneas de entrada de datos. Reciben la
palabra de 4 bits que se desea almacenar en una determinada posición durante una
operación de escritura.
 S0´ (pin 5), S1´ (pin 7), S2´ (pin 9), y S3´ (pin 11). Líneas de salida de datos, activas en bajo.
Suministran, complementado, el dato almacenado en una determinada posición de memoria.
 CS´ (chip select, pin 2). Línea de habilitación del chip, activa baja. Cuando esta línea se hace
alta, las salidas se inhiben y adoptan el estado de alta impedancia.
 WE´ (write enable, pin 3). Línea de lectura/escritura, activa en bajo. Cuando WE´=0, la
información en las entradas de datos se transfiere a la localización de memoria definida por
las líneas de dirección (operación de escritura). Cuando WE´=1, el dato en la posición de
memoria definida por las líneas de dirección se transfiere a las salidas de datos (operación de
lectura).

Naturalmente, durante una operación de lectura, el dato no se destruye, aunque se transfiere a

las salidas, permanece almacenado en la posición de memoria correspondiente.

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