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2.

Contestar las siguientes preguntas:


Qu clases de transistores se usan en las compuertas CMOS?

Las puertas lgicas CMOS se construyen mediante dos planos duales de transistores: plano N y plano P; a cada entrada le corresponden sendos transistores, uno en el plano N y otro en el plano P, conectados de acuerdo con la dualidad serie-paralelo.

Cul es probablemente ms rpida una compuerta NAND-CMOS o una NORCMOS?

Debido a la diferente resistividad de los transistores PMOS y NMOS, interesa ms la utilizacin de puertas "y-negada" (Nand) pues en ellas se equilibran un poco los dos tiempos de conmutacin (aumenta el menor de ambos), mientras que para las puertas "o-negada" (Nor) se aumenta an ms el de subida (que es, ya de por s, el mayor).

Los transistores P y N presentan diferente resistividad (debida a la menor movilidad de los huecos): la conexin PMOS en paralelo, y sus correspondientes NMOS en serie, contribuye a compensar la asimetra, mientras que la conexin de PMOS en serie acenta dicha asimetra y su efecto resistivo; por ello, son preferibles las puertas "y-negada" (Nand) a las puertas "onegada" (Nor). Qu otra caracterstica de un circuito CMOS se afecta por la capacitancia de la carga? Las entradas son de tipo capacitivo Los transistores presentan una capacidad de puerta, que es preciso cargar o descargar en la conmutacin cuando cambia el valor booleano presente en la correspondiente entrada; tal transitorio de carga o descarga: - da lugar a unos tiempos de conmutacin que limitan su velocidad de trabajo; - limita, asimismo, el fan-out de la puerta anterior, es decir, el nmero de entradas de otras puertas que pueden conectarse sobre una salida (pues tal nmero condiciona la velocidad de trabajo);

- requiere un aporte puntual de intensidad durante la conmutacin, que da lugar a un consumo dinmico proporcional a la frecuencia de conmutaciones; - genera ruido sobre las lneas de alimentacin como consecuencia del pulso de intensidad necesario para la conmutacin.

4. Dar tres diferencias entre las memorias RAM esttica y RAM dinmicas.
Memoria RAM esttica Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque tambin existen algunas memorias pequeas construidas con transistores bipolares.

Como se observa en la figura la celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a travs de las lneas laterales. Las celdas de memoria se agrupan en filas y columnas para conformar el arreglo bsico de la memoria. En la figura se muestra la disposicin de las celdas de memoria en una SRAM, donde se observa que cada una de las filas se habilita de forma simultnea para recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida.

Figura Arreglo bsico de una SRAM

Existen otras modalidades de funcionamiento de las memorias estticas, entre ellas se pueden nombrar las siguientes: SRAM Sincrnica. Al igual que en los sistemas sincrnicos, este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en sincrona con otros dispositivos. Esta caracterstica no aporta mejores beneficios, sin embargo simplifica enormemente el diseo de sistemas de alta prestaciones, ya que una nica seal controla todos los dispositivos involucrados. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podra llamar su funcionamiento automtico, guiado por la seal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las seales de control. SRAM de Rfaga. Las memorias de rfagas (burst) son sincrnicas y se caracterizan por incluir un contador que permite que la memoria genere internamente la direccin a la que debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro posiciones de memoria con una sola direccin de referencia. Esto permite acceder de forma mas rpida a la informacin en memoria. Vemos como funciona este tipo de memoria. La CPU genera una direccin de memoria, la cual se propaga a travs del bus de direcciones hasta la memoria, decodificndose y accediendo a la posicin correspondiente. Si se ha configurado la memoria en modo rfaga, una vez obtenido el primer dato, incrementa la direccin y vuelve a acceder. De esta forma se evita el tiempo de propagacin de las seales por el bus y el tiempo de decodificacin de la direccin. El nmero de palabras ledas o escritas en una rfaga, viene limitado por el tamao del contador interno de la memoria. SRAM Pipeline. Con los dos tipos de memorias anteriores se consigue el acceso a posiciones consecutivas de forma rpida. Para mantener esta velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline incluyen un buffer para almacenar la direccin y los datos actuales proporcionados por la memoria. De esta forma, se puede enviar la nueva direccin antes de terminar la lectura, consiguiendo as que la CPU no espere la finalizacin del acceso a una posicin de memoria para generar la nueva direccin. Memoria RAM dinmica Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad. En la figura se observa la composicin interna de una de estas celdas.

Figura Celda de memoria de una DRAM

La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturacin y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operacin de escritura y se extrae en una operacin de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la informacin almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitera adicional para cumplir esta funcin. En la figura 10.2.4 se observa la celda completa con sus aditamentos donde se puede identificar la forma en que se desarrollan las operaciones de escritura, lectura y recarga.

5. Dar 4 diferencias entre las memorias RAM esttica y RAM dinmicas.


Memoria SRAM La velocidad de acceso es alta. Para retener los datos solo necesita estar energizada. Son mas fciles de disear. DRAM Mayor densidad y capacidad. Menor costo por bit. Menor consumo de potencia. Menor capacidad, debido a que cada celda de almacenamiento requiere mas transistores. Mayor costo por bit. Mayor consumo de Potencia. La velocidad de acceso es bajar. Necesita recargar de la informacin. almacenada para retenerla. Diseo complejo.

Dar una aplicacin para las memorias RAM esttica y RAM dinmicas
MEMORIA SRAM - MCM6264C Esta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnologa CMOS tiene una capacidad de 8K x 8. Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de aproximadamente 12 ns y tiene un consumo de potencia aproximado de 100 mW. En la Figura se observa la disposicin de los pines del circuito integrado de esta memoria y sus las caractersticas tcnicas bsicas.

Caractersticas Tcnicas Referencia MCM6264C Tipo SRAM Capacidad (bits) 8192 X 8 Tipo de salida 5V Tiempos de Acceso 12/15/20/25/35 ns Encapsulado DIL-28 Figura SRAM MCM6264C MEMORIA DRAM 4116 El CI 4116 es una memoria DRAM de 16K x 1. La estructura interna de este integrado se encuentra constituida por un arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los bits se ubica con una direccin de 14 bits. En la figura se muestra la disposicin de los pines del circuito integrado. Observe que la entrada de direcciones es de 7 bits (A0...A6). La razn de poseer 7 pines y no 14, se debe a que estos tienen funcin doble, por ejemplo la entrada A0 se utiliza para establecer los valores de los bits A0/A7 de la direccin de memoria que se quiere acceder. Caractersticas Tcnicas Referencia 4116 Tipo DRAM Capacidad (bits) 16384 X 1

Tipo de salida TRI-STATE Tiempos de Acceso 100/120/150/200 ns Encapsulado DIL-16 Figura DRAM 4116 Para ingresar una direccin de memoria en este integrado se utilizan las seales de entrada RAS y CAS, las cuales deben estar inicialmente en "1" para recibir los 7 bits menos significativos de la direccin (A6...A0). Despus de ello la entrada RAS debe cambiar a "0" con lo cual los 7 bits se cargan en el registro de direcciones de memoria y el dispositivo queda disponible para recibir los 7 bits mas significativos (A7...A14) de la direccin. Una vez se aplican estos bits, la entrada CAS debe cambiar a "0", cargndolos de esta forma en el registro de direcciones en su respectiva posicin y permitiendo finalmente acceder a la posicin de memoria para efectuar la operacin de lectura o escritura.

9. Definir y explicar el funcionamiento (programacin y borrado) de las memorias ROM, PROM, EPROM Y EEPROM.
Memorias totalmente pasivas (ROM) Son aquellas que slo pueden ser ledas por el usuario. La grabacin o escritura la realiza el fabricante. Esta memoria es ideal para almacenar las rutinas bsicas a nivel de hardware, por ejemplo, el programa de inicializacin de arranque de un sistema programado. Memorias pasivas programables (PROM) Son aquellas cuyo contenido puede ser escrito por el usuario una sola vez. Como vemos con ms detalla ms adelante, este tipo de circuitos consiste en una matriz de elementos que actan como fusibles que pueden o no fundirse, segn convenga, en el proceso de grabacin. Dicho proceso se realiza con una mquina especial llamada programador de PROM o quemador de PROM, para fundir los fusibles uno por uno segn las necesidades del software que se va a codificar en el chip. Este proceso se conoce normalmente como el quemado de la PROM. Memorias borrables con rayos ultravioleta (EPROM) Estas memorias se graban mediante impulsos elctricos cuyo nivel de tensin es, en general, mayor que el de los normales de operacin del circuito. Las modernas grabadoras de EPROM son sistemas basados en microprocesador que permiten la grabacin de mltiples tipos de chips. Tambin existen en el mercado tarjetas que se conectan al PC y permiten la grabacin de EPROM's mediante ordenador. El borrado se realiza mediante rayos ultravioleta antes de la grabacin; para ello el circuito integrado posee una zona transparente que permite el paso a los citados rayos. Memorias pasivas reprogramables borrables elctricamente (EEPROM) La informacin contenida en una memoria EPROM no puede mortificarse mientras est en el circuito. En las aplicaciones en las que dicha modificacin sea interesante, deber utilizarse una EEPROM. Al igual que la EPROM, la principal aplicacin de las memorias EEPROM es la de formar parte, junto con las memorias activas (RAM) y pasivas (EPROM), de la memoria de un microprocesador, para almacenar tablas modificables por el propio sistema.