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Memorias Semiconductoras

Las memorias semiconductoras llamadas tambin de semiconductor, son aquellas memorias


que utilizan circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar informacin. Un
chip de memoria de semiconductor puede contener millones de minsculos transistores o
condensadores.

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS CONDUCTORAS


VELOCIDAD: Registros de Operacin. Memorias (RAM, ROM,PROM,
EPROM,FLASH,EEPROM)
CAPACIDAD: Memoria secundaria y Auxiliar
PUNTO DE VISTA DE FABRICACION: memorias estticas y memorias dinmicas

SEGUN EL TIPO DE ACCESO: menores de Acceso Aleatorias, directo o selectivo

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS CONDUCTORAS


Segn el tiempo de permanencia. Se refiere al tiempo que permanece la informacin graba
en la memoria:
No voltil o duradera. Una vez escrito un punto de memoria, su informacin no se
borra hasta que se vuelva a escribir sobre l. Por ejemplo los medios magnticos.
Voltil. La informacin desaparece si se deja de suministrar energa a la memoria. Por
ejemplo, las memorias de semiconductores.
Con refresco. Aunque la memoria est alimentada, su informacin se va degradando
paulatinamente, llegando un momento en que no se puede leer correctamente. Para
que este tipo de memorias sean tiles deben refrescarse peridicamente, esto es, deben
reactivarse para regenerar los estados de sus puntos de memoria. Por ejemplo un
condensador que se descarga por las corrientes de fuga, o las memorias RAM
dinmicas.
Permanente o de slo lectura (memorias muertas o pasivas). Son aquellas que
contienen siempre la misma informacin y no pueden borrarse. La informacin puede
grabarse en el proceso de fabricacin o posteriormente, en un proceso de grabacin
destructivo o permanente. Por ejemplo las memorias ROM de semiconductores.
TIPOS DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
MEMORIAS VOLATILES: Las memorias voltiles o transitorias son aquellas
memorias cuya informacin se pierde al interrumpirse la energa elctrica. Ejemplos:
memoras DRAM, RAM, SRAM, HPU y GJR.

MEMORIAS NO VOLATILES: Las memorias no voltiles o permanentes son


aquellas memorias cuyo contenido de datos almacenados no se pierden aun si no est
energizada. Ejemplos: EPROM, EEPROM, NVRAM y PRAM.

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS CONDUCTORAS


Segn la forma de acceso.
Acceso aleatorio (RAM). El tiempo de escritura/lectura es independiente de la
localizacin de la informacin dentro de la memoria.
Dentro de este tipo de memorias podemos hacer la siguiente clasificacin, basndonos
en la permanencia de la informacin en ellas:
1. Memorias activas. Los tiempos de escritura/lectura (R/W) son del mismo orden. Segn
como se realice la operacin de lectura/escritura tenemos:
a) Lectura/escritura no simultnea. En estas memorias slo se puede seleccionar una posicin
de memoria simultneamente y realizar en ella la operacin de lectura o escritura.
b) Lectura/escritura simultnea. Se pueden realizar ambas operaciones a la vez, pero sobre
posiciones de memoria distintas.
c) Acceso mltiple. Permiten realizar ambas operaciones simultneamente y sobre mltiples
posiciones de memoria.
2. Memorias pasivas. En stas los tiempos de escritura y lectura difieren considerablemente,
siendo generalmente mucho mayor el de escritura. Los tipos ms importantes son:
a) Totalmente pasivas (ROM). La escritura se realiza en el momento de la fabricacin, siendo
imposible escribir sobre ellas despus (tiempo de escritura infinito).
b) Pasivas programables (PROM). El proceso de escritura slo puede realizarse a travs de
aparatos especiales y es mucho mayor que el de lectura. Una vez almacenada la informacin,
basta con lanzar un impulso elctrico para que la informacin quede grabada para siempre.
c) Pasivas reprogramables (RPROM). Son iguales que las PROM, salvo que el mtodo de
escritura se puede usar para borrar y volver a escribir. El nmero de veces que se puede
realizar esta operacin no es ilimitado
Segn la mnima informacin accesible.
De bit. Por ejemplo, un registro.
De palabra. Por ejemplo las memorias de semiconductores.
De bloque. En este caso, para leer un dato contenido en un bloque, primero hemos de
leer el bloque completo (crear una copia en una zona de memoria), y luego una
bsqueda serie del dato dentro del bloque.

CLASIFICACION DE MEMORIAS
Jerarqua de memorias en un sistema microordenador.

Velocidad Capacidad

Registro de operacin Mxima Baja

Memoria principal
Alta Media-Baja
(RAM y ROM)

Memoria secundaria o
Baja Muy Alta
auxiliar
Dependiendo de la realizacin fsica de la celda de memoria:
MEMORIAS ESTATICAS
Acceso por impulsos elctricos: biestables (RAM estticas)
Acceso por haces luminosos
MEMORIAS DINAMICAS
Informacin en movimiento: memorias CCD
Soporte en movimiento: cintas magnticas y discos
ROM: Memorias de Solo Lectura.
Las memorias ROM almacenan habitualmente informacin pre-grabada por el fabricante y
que no puede ser modificada por el usuario. (Ejemplos tpicos son los intrpretes basic, los
juegos de los family game, las rutinas del iocs, etc.)
Este tipo de memorias tiene dos ventajas fundamentales:
a) su gran velocidad de acceso
b) su no volatilidad (no se "borra" al apagar la computadora)
Es muy simple imaginarse la estructura de una memoria ROM. Supongamos tener que
generar la siguiente secuencia de valores:
Que aunque es un simple contador de 0 a 9 (FIG. 1), puede ser considerada (con un poco de
imaginacin), una serie de instrucciones de un programa.
Supongamos adems que disponemos de una malla de conductores elctricos como la de la
FIG. 2: donde los puntos de cada interseccin indican que los conductores horizontales y
verticales estn fsicamente conectados.
Si por algn procedimiento eliminamos adecuadamente "algunas" de estas conexiones fsicas,
podemos obtener la malla siguiente.

Ilustracin 1
Ilustracin 2
PROM:(Programable Read Only Memory):
Se puede advertir que, si alimentamos un "1" (por ej. 5 volts) en las "salidas" S0 S1 S2 S3
obtendremos la secuencia de "1" de nuestro contador (programa).
Este es el principio de generacin de una memoria ROM; basndonos en una matriz (malla
original de conductores), como lo nuestra la figura de la pgina anterior, el programador
"quema" o elimina los enlaces no necesarios, con el fin de obtener a la salida una secuencia
predeterminada con el simple mtodo de alimentar sucesivamente cada una de las entradas.
Existen equipos simples para la programacin de memorias ROM, normalmente asociados a
un microprocesador que facilita la operacin.
Son ROMs programables, es decir suministradas vrgenes (todas las posiciones en 0 o en 1).
Son grabadas por el usuario mediante un equipo especial, convirtindose en ROMs, ya que
slo pueden grabarse una sola vez. Son unitariamente ms caras que las ROMs pero dan una
flexibilidad que estas no tienen.
EPROM: (Erasable Programable Read Only Memory)
Son ROMs programables y borrables. Son ms caras que las PROM, pero pueden borrarse y
volver a grabarse. El borrado se hace sacando los chips de sus zcalos en las plaquetas de
memoria y exponindolos a luz ultravioleta de alta intensidad durante 15 o 20 minutos. Son
muy tiles cuando el software que se carga en ella est en etapa de desarrollo. Desde el punto
de vista de la computadoras son ROMs ya que esta solo puede leer y no escribir en ellas.
EEPROM: (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory).
Similar a la EPROM pero pueden ser borradas mediante elevadas corrientes y reprogramadas
en milisegundos.
Bibliografa
Guisa Torres, J. L. (1998). Electnica Digital. Mxico: Copyright.

Periman., J. E. (1998). Introduccin a los SITEMAS DIGITALES. Mxico : Mc Graww Hill.

Tokheim, R. L. (2008). Electrnica Digital: pricipios y aplicaciones. Espaa: McGraw-Hill.

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