MEMORIAS DE SEMICONDUCTOR En un sistema de cmputos distinguimos dos tipos importantes de memorias: - Memoria Interna o Principal (de semiconductor) - Memoria

Secundaria o memoria auxiliar (de almacenamiento masivo) Memoria Interna: Esta situada en el interior del sistema microprogramable, regida directamente por la CPU. Almacenan los programas de arranque, los datos de la pila de memoria, las tablas de datos y el programa del usuario que se encuentra en ejecucin. Segn su principio de funcionamiento existen: -Memorias de ncleo de ferrita -Memorias Integradas: Son las nicas empleadas en la actualidad. Son las memorias de lectura y escritura RAM y las memorias de solo lectura ROM. Su costo por bit de almacenamiento es elevado lo cual hace que no se usen como dispositivos de almacenamiento externo. Tambin se la denomina Memoria Principal o Central. Memoria Secundaria: Puede almacenar millones de bits de datos sin gasto de energa elctrica, esta situada en los perifricos. Es ms lenta que la memoria principal y se la utiliza para almacenar informacin que no es requerida regularmente por la computadora, (programas, datos, etc). La informacin es transferida a la memoria interna cuando la computadora as lo requiere. Las mas importantes hoy en da son: Memoria en disco duro, memoria en disquete, memoria en disco ptico o disco CD-ROM, memoria en cinta magntica. Terminologa y caractersticas una memoria Celda de memoria: dispositivo elctrico que se utiliza para almacenar un bit (0 o 1), por ejemplo: flip flop, capacitor con carga y un solo canal en cintas o discos magnticos. Palabra de memoria: Grupo de bits que representa instrucciones o datos de algn tipo. Ejemplo: un registro de 8 flip flops. Sera una memoria que almacena 8 bits. BYTE: Termino especial que se usa para una palabra de 8 bits. Capacidad: Es la cantidad de informacin que puede almacenar una memoria. La unidad bsica de informacin es el bit. Como el bit en la prctica resulta muy pequeo, se suelen emplear las siguientes unidades: Byte. Kilo Byte = 210 = 1 K = 1024 bytes = 1024* 8 = 8192 bytes. Mega Byte = 220 bytes = 1048576 bytes = 1048576 * 8 (bytes). Ejemplo: una memoria tiene una capacidad de almacenamiento de 4K*20 4*1024*20 1

4096*20 4096 palabras de 20 bits por palabra. Tiempo de Acceso: Es una medida de la velocidad de operacin del dispositivo de memoria. Desde que se pide la informacin hasta que se recibe. En la practica hay dos tiempos, el de lectura y el de escritura, entonces se define como valor valido al valor medio entre ambos. El tiempo de acceso depende del tipo de memoria y de la tecnologa de fabricacin. Direccin: Numero que indica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada tiene una direccin nica. Se especifica con un nmero binario. Operacin de Lectura: Operacin por medio de la cual la palabra almacenada en una localidad de memoria es captada y luego transferida a otra localidad. Operacin de Escritura: Operacin por medio de la cual se coloca una palabra en una cierta localidad de memoria (proceso de almacenar). Volatilidad: Propiedad que tiene una memoria de retener o no la informacin que posee, cuando se le desconecta la alimentacin. As se habla de memorias voltiles, esta pierden la informacin cuando se desconecta la energa elctrica, ej. : RAM integrada. O memorias no volatiles, las cuales no pierden la informacin al desconectarse la alimentacin, ej.: EPROM, memorias magnticas, etc. Modo de acceso: Mtodo que la memoria emplea para acceder a una informacin almacenada dentro de ella. Segn el modo se clasifican en: Memorias de acceso aleatorio: En ellas, la localizacin fsica real de una palabra en la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que se tarda en leer o escribir en esa localidad. El tiempo de acceso es independiente de la posicin de memoria a la que se vaya a acceder, es el mismo para cualquier direccin en la memoria (es constante). Ej.: memoria RAM. Memorias de Acceso Secuencial: El tiempo que se tarda en acceder a la informacin depende de la posicin de memoria en que se vaya a trabajar. Para acceder a una posicin de memoria debern recorrerse todas las posiciones anteriores. El tiempo de acceso no es constante, vara segn la posicin donde este ubicada la palabra en la memoria estas memorias se ubican en el perifrico del sistema y forman la memoria masa del sistema. Ej.: disco, cinta magntica. Memorias cclicas: Aqu se combinan el acceso aleatorio y el acceso secuencial. Ej.: disco duro y disquete. Acceso por pila o Acceso LIFO (ultimo en entrar, primero en salir): Se utiliza en los sistemas microprogramables para crear la llamada pila de memoria. Es una zona de memoria creada dentro de la RAM para almacenar resultados intermedios. Memoria de Acceso FIFO (primero en entrar, primero en salir): Similar a la anterior.

ESTRUCTURA DE LA MEMORIA -CS: chip Selector o Ce: chip enable -Alimentacin: 5V = Vcc -GND: terminal de masa. En la tecnologa MOS se puede encontrar como VDD y VSS. Bus de datos: Los terminales de datos son bidireccionales. En la lectura sern terminales de salida y en la escritura sern terminales de entrada. Cuando la pastilla no se utiliza ni para leer, ni para escribir, los terminales estarn en estado de alta impedancia. No de terminales de datos: esta relacionado con la organizacin interna de la pastilla... No celdas = No posiciones * No bits por palabra. Bus de direcciones: Entrada de direcciones. Los terminales AoAn sirven para poder leer o escribir en cada una de las posiciones de memoria. Estos terminales son unidireccionales y su numero esta en relacin directa con el numero de posiciones que tiene la memoria. Si la memoria tiene 2048 posiciones o direcciones: No de posic. = 2 No de terminales de direcciones 2048 = 211 o sea que tendr 11 terminales de direcciones. Comando de lectura / escritura: En una memoria RAM es necesario que la pastilla reciba informacin desde el exterior sobre la operacin que realizara (lectura o escritura) en una posicin. Se realiza a travs del comando R/W. Se pone esta lnea en 0 o 1 para indicar el tipo de operacin. Generalmente el 0 indica escritura (write) y el 1 lectura (read). Suele aparecer este comando tambin como W. Comando de seleccin de pastilla: CS: chip selector o CE: chip enable. Este terminal actuara sobre los buffer de los terminales de datos. Mientras no se active este terminal desde el exterior, estos buffer estarn en alta impedancia haciendo imposible toda operacin. En estado alto (1), este comando es una entrada activa que habilita la memoria para operar en forma normal. En estado bajo, esta entrada deshabilita la memoria y no responder a las direcciones o a las entradas R/W. El comando CS es de utilidad cuando varias memorias se combinan entre si para obtener una memoria mayor. Expansin de la longitud de la palabra almacenable

MEMORIAS DE SOLO LECTURA ROM Creadas para retener datos en forma permanente o que no cambien con mucha frecuencia. Durante la operacin normal de la memoria no se puede escribir en ella, pero si se puede leer de ella. Programacin de la memoria ROM: es el proceso de grabar datos. En algunos tipos de ROM los datos pueden grabarse durante el proceso de fabricacin del chip, en otras se puede hacer esto en forma elctrica. La memoria ROM se usa para almacenar datos e informacin que no cambiara durante la operacin del sistema. Por ello este tipo de memorias se encuentra en dispositivos y maquinas programadas, producidas en elevado numero: lavadoras automticas, generadores de caracteres para TV, videocmaras, Almacenamiento de programas de micro computadoras, etc. Su produccin puede ser estndar o bajo pedido pero en cualquier caso su fabricacin solo es rentable para grandes series. Diagrama en bloques Tiene tres conjuntos de comandos: -entrada de datos -salida de datos -seal de control El comando CS, seleccin de CI habilita o deshabilita las salidas de la Rmo. Se encuentra activa en bajo, permitiendo que aparezcan los datos en la salida de datos. No existe comando R/W porque la ROM no puede grabarse en condiciones normales de operacin. Tipos de ROM MROM: Son memorias de lectura programables solo una vez por el fabricante segn especificaciones del cliente. Una vez programadas no se pueden borrar. Tambin se las conoce como programables por mascarilla, la cual es muy costosa. Por ello se la fabrica en grandes volmenes para abaratar costos. PROM: Estas memorias son programadas por el usuario y no durante el proceso de fabricacin. Una vez programada no se puede borrar y reprogramar. Si el programa es errneo, la PROM deber desecharse. Son para aplicaciones de bajo volumen. EPROM : (Programable y borrarle ) la celda de memoria esta formada por un transistor MOS al que se le aplica un impulso negativo de tensin para su programacin durante unos 50 mseg; esto se realiza con circuitos especialmente diseados para la grabacin de este tipo de memorias. El proceso de borrado de las celdas EPROM consiste en anular la informacin exponiendo las celdas a una radiacin de luz ultravioleta a travs de una ventana practicada en el encapsulado del integrado.

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO RAM DE SC Son memorias que tienen acceso fcilmente a cualquier direccin de memoria. En las computadoras se emplean como medios de almacenamiento temporal para programas y datos. El contenido de las localidades de una RAM ser ledo y escrito a medida que la computadora ejecuta un programa, lo que requiere que la RAM tenga ciclos de lectura y escritura rpidos para que no reduzca la velocidad de operacin de la computadora. Desventaja: Son voltiles o sea, pierden toda la informacin contenida en ellas si se interrumpe el suministro de potencia. Ventaja: Se puede escribir en ella o leer de ella muy rpidamente con la misma facilidad. Tipos de RAM RAM estticas o SRAM: Disponibles en tecnologa bipolar y MOS. Las celdas de almacenamiento de un bit estn formadas por flip flop, que permanecen indefinidamente en su estado set (1) o reset (0) mientras no se elimine la alimentacin. Las SRAM de tecnologa bipolar tienen como ventaja la alta velocidad de respuesta, y como desventaja el alto consumo de los transistores, lo que crea el sobrecalentamiento de los chips. Las SRAM de tecnologa MOS tienen como ventaja la sencillez de integracin al estar formada solo por transistores MOS, bajo consumo de energa, alta densidad de integracin. Desventaja: Velocidad de trabajo lenta. Sensibilidad a la electricidad esttica. RAM dinmicas o DRAM: Se fabrican en tecnologa MOS y se caracterizan por su gran capacidad, bajos con sumos y velocidad de operacin media. Las celdas estn formadas por pequeos condensadores que guardan ceros y unos. Como estas cargas tienden a fugarse despus de un tiempo por la existencia de corrientes de fuga, los condensadores se van descargando y la informacin se pierde. Para evitar esto las memorias se someten a un proceso de reescritura peridico llamado refresco, el tiempo de duracin de este es e 2 a 10 mseg. Para que no se pierdan los datos. Desventaja: El refresco hace que la DRAM requiera una mayor complejidad del hardware y que no este disponible en todo momento para ser leda o escrita porque el proceso de recarga peridica de los condensadores no es instantneo. Ventaja: Ofrece mayor numero de bits por chip, lo que la hace menos costosa y en menores dimensiones de montaje, aunque el circuito de refresco encarece el conjunto. RAM con PILA:

Es no voltil. Son memorias RAM CMOS que llevan incorporada en el mismo encapsulado una pequea batera de litio que segn el fabricante asegura la estabilidad de la memoria durante 10 anos con el chip extrado del circuito. Almacenamiento secundario El almacenamiento secundario (memoria secundaria, memoria auxiliar o memoria externa) es el conjunto de dispositivos (aparatos) y medios (soportes) de almacenamiento, que conforman el subsistema de memoria de una computadora, junto a la memoria principal. Tambin llamado perifrico de almacenamiento. No deben confundirse las "unidades o dispositivos de almacenamiento" con los "medios o soportes de almacenamiento", pues los primeros son los aparatos que leen o escriben los datos almacenados en los soportes. La memoria secundaria es un tipo de almacenamiento masivo y permanente (no voltil), a diferencia de la memoria RAM que es voltil; pero posee mayor capacidad de memoria que la memoria principal, aunque es ms lenta que sta. El proceso de transferencia de datos a un equipo de cmputo se le llama "procedimiento de lectura". El proceso de transferencia de datos desde la computadora hacia el almacenamiento se denomina "procedimiento de escritura". En la actualidad para almacenar informacin se usan principalmente tres 'tecnologas': 1. Magntica (ej. disco duro, disquete, cintas magnticas); 2. ptica (ej. CD, DVD, etc.) 1. Algunos dispositivos combinan ambas tecnologas, es decir, son dispositivos de almacenamiento hbridos, por ej., discos Zip. 3. Tecnologa Flash (Tarjetas de Memorias Flash) Introduccin El almacenamiento secundario es una forma permanente, masiva y necesaria para guardar los datos. Esta forma garantiza la permanencia de datos a falta del suministro continuo de energa, sin embargo el acceso a la informacin ("datos") es ms lento que en el caso de una memoria primaria. Caractersticas del almacenamiento secundario Capacidad de almacenamiento grande.

No se pierde informacin a falta de alimentacin. Altas velocidades de transferencia de informacin. Mismo formato de almacenamiento que en memoria principal.

Siempre es independiente del CPU y de la memoria primaria. Debido a esto, los dispositivos de almacenamiento secundario, tambin son conocidos como, Dispositivos de Almacenamiento Externo.

Unidades y soportes de almacenamiento secundario

Dispositivos (Unidades) y soportes (medios) de almacenamiento: Dispositivos o Unidades Disquetera o Unidad de Discos Flexibles (Floppy Disc Drive, FDD) Unidad de Disco Rgido (Hard Disc Drive, HDD) Unidad de Cintas Magnticas (Tape Drive) Lectora o Grabadora de Discos pticos (DO) o Unidad de DO Lector de tarjetas de memoria Soportes o Medios

Discos Flexibles o Disquetes (de 3" o 5")

Discos Rgidos o Discos Duros

Cintas magnticas de Audio, Video (Videocasete) o Datos CD (CD-ROM, CD-R, CD-RW), DVD (DVDR, DVDRW), Blu-ray Tarjetas de Memorias Flash

Tipos de almacenamiento Las dos principales categoras de tecnologas de almacenamiento que se utilizan en la actualidad son el almacenamiento magntico y el almacenamiento ptico. A pesar de que la mayora de los dispositivos y medios de almacenamiento emplean una tecnologa o la otra, algunos utilizan ambas. Una tercer categora de almacenamiento (almacenamiento de estado slido) se utiliza con mayor frecuencia en los sistemas de computacin, pero es ms comn en cmaras digitales y reproductores multimedia. En funcin de la tecnologa utilizada por los dispositivos y medios (soportes), el almacenamiento se clasifica en:

Almacenamiento magntico. Almacenamiento ptico. Almacenamiento magneto-ptico (hbrido, Disco magneto-opticos)

Almacenamiento electrnico o de estado slido (Memoria Flash)

Almacenamiento magntico Es una tcnica que consiste en la aplicacin de campos magneticos a ciertos materiales capaces de reaccionar frente a esta influencia y orientarse en unas determinadas posiciones mantenindolas hasta despus de dejar de aplicar el campo magntico. Ejemplo: disco duro, cinta magntica. Almacenamiento ptico En los discos pticos la informacin se guarda de una forma secuencial en una espira que comienza en el centro del disco. Adems de la capacidad, estos discos presentan ventajas como la fiabilidad, resistencia a los araazos, la suciedad y a los efectos de los campos magnticos. Ejemplos:

CD-ROM Discos de solo lectura. CD-R Discos de escritura y mltiples lecturas. CD-RW Discos de mltiples escrituras y lecturas. DVD+/-R Discos de capacidad de 4.5GB, hasta 9.4GB, de escritura y mltiples lecturas. DVD+/-RW Discos de capacidad de 4.5GB, hasta 9.4GB, de mltiples escritura y mltiples lecturas. Blue Ray Nueva tecnologa de disco de alta capacidad, desarrollada por Sony. Gan la contienda, por ser el nuevo estndar contra su competidor el HDDVD (DVD de Alta Definicin). Su superioridad se debe a que hace uso de un laser "Azul", en vez de "Rojo", tecnologa que ha demostrado ser mucho ms rpida y eficiente que la implementada por el DVD de alta definicin.

Memoria cach o RAM cach Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cache, llamada tambin a veces almacenamiento cach o RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cache es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando se encuentra un dato en la cach, se dice que se ha producido un acierto, siendo un cach juzgado por su tasa de aciertos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en la cual el sistema puede reconocer cierto 8

tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el cache constituyen uno de los problemas ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cache estn construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una cach L2 de 512 Kbyte. La cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cache del disco para ver si los datos ya estn ah. La cache de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro.